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31. 发明专利

TW201739756A 產生薄無機膜的方法审中-公开
简体标题：产生薄无机膜的方法
公开(公告)号：TW201739756A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106102908
申请日：2017-01-25
申请人：巴斯夫歐洲公司 , BASF SE
发明人：雅貝斯法爾扣 , ABELS, FALKO , 羅福勒丹尼爾 , LOEFFLER, DANIEL , 威爾摩哈根 , WILMER, HAGEN , 沃夫羅伯特 , WOLF, ROBERT
IPC分类号： C07F15/06 , C23C16/448 , C23C16/18 , C23C16/42
CPC分类号： C07F9/65686 , C07F15/06 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/4486 , C23C16/45525
摘要：本發明領域係屬於在基質上產生薄無機膜之方法，特別是原子層沉積法。尤其是，本發明係關於一種包含將通式(I)化合物帶入氣態或氣溶膠狀態之方法Ln----M--Xm (I)並在固體基質上沉積氣態或氣溶膠狀態之通式(I)化合物，其中M為金屬，L為配位至M之配位基，且其含有至少一個磷-碳多鍵，其中L含有含磷雜環或磷-碳三鍵，X為配位至M之配位基，n為1至5，且m為0至5。
简体摘要：本发明领域系属于在基质上产生薄无机膜之方法，特别是原子层沉积法。尤其是，本发明系关于一种包含将通式(I)化合物带入气态或气溶胶状态之方法Ln----M--Xm (I)并在固体基质上沉积气态或气溶胶状态之通式(I)化合物，其中M为金属，L为配位至M之配位基，且其含有至少一个磷-碳多键，其中L含有含磷杂环或磷-碳三键，X为配位至M之配位基，n为1至5，且m为0至5。

32. 发明专利

TWI548613B 烷氧化方法及其催化劑（三）有权
简体标题：烷氧化方法及其催化剂（三）
公开(公告)号：TWI548613B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW099105456
申请日：2010-02-25
申请人：陶氏全球科技有限責任公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
发明人：亞羅伍德提娜L , ARROWOOD, TINA L. , 艾洛保羅 , ELOWE, PAUL , 佛里克德列克W , FLICK, DERRICK W. , 麥克唐納傑森C , MACDONALD, JASON C.
IPC分类号： C07B41/00 , C07C251/00 , B01J23/75 , C07F15/06
CPC分类号： B01J31/2243 , B01J21/08 , B01J31/1633 , B01J31/2252 , B01J2231/34 , B01J2231/349 , B01J2531/0216 , B01J2531/0252 , B01J2531/845 , C07C41/03 , C07C41/44 , C07C43/13

33. 发明专利

TW201602120A 鈷錯合物及其製造方法、含有鈷的薄膜及其製作方法审中-公开
简体标题：钴错合物及其制造方法、含有钴的薄膜及其制作方法
公开(公告)号：TW201602120A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104118222
申请日：2015-06-05
申请人：東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION , 公益財團法人相模中央化學研究所 , SAGAMI CHEMICAL RESEARCH INSTITUTE
发明人：尾池浩幸 , OIKE, HIROYUKI , 摩庭篤 , MANIWA, ATSUSHI , 古川泰志 , FURUKAWA, TAISHI , 河野和久 , KAWANO, KAZUHISA , 小礒尙之 , KOISO, NAOYUKI , 多田賢一 , TADA, KEN-ICHI
IPC分类号： C07F15/06 , C23C16/18 , C23C16/455 , H01L21/285 , H01L21/768
CPC分类号： C07F15/06 , C07C11/12 , C07C11/167 , C07C11/18 , C07C13/23 , C07C13/263 , C07F17/02 , C07F19/00 , C23C16/18
摘要：本發明提供一種於在不使用氧化性氣體的條件下製作含有鈷的薄膜時有用的鈷錯合物。本發明的鈷錯合物是由通式（I）所表示。（式中，RA 表示通式（II）所表示的醯基、通式（III）所表示的1-三氟甲基-1-矽烷氧基烷基、通式（IV）所表示的N-烷基醯亞胺基或通式（V）所表示的烯基，m表示0或2；RB 及RC 表示氫原子或成為一體而形成碳數1～4的伸烷基的基團；RD 、RE 、RF 及RG 分別獨立地表示氫原子或碳數1～4的烷基；其中於m為2時，將RA 為醯基（II）、1-三氟甲基-1-矽烷氧基烷基（III）及烯基（V）的情形除外；於RA 為N-烷基醯亞胺基（IV）時，將RB 及RC 為成為一體而形成亞甲基的基團的情形除外），（式中，RH 表示氫原子或可經氟原子取代的碳數1～6的烷基），（式中，RH 與通式（II）的RH 表示相同含意；RI 表示碳數1～4的烷基）（RJ 表示碳數1～6的烷基；RK表示可經二(碳數1～3的烷基)胺基取代的碳數1～6的烷基），（式中，RM 表示氫原子或碳數1～4的烷基；RL 表示碳數1～4的烷基；波浪線表示E/Z幾何異構物的任一種或該些幾何異構物的混合物）。
简体摘要：本发明提供一种于在不使用氧化性气体的条件下制作含有钴的薄膜时有用的钴错合物。本发明的钴错合物是由通式（I）所表示。（式中，RA 表示通式（II）所表示的酰基、通式（III）所表示的1-三氟甲基-1-硅烷氧基烷基、通式（IV）所表示的N-烷基酰亚胺基或通式（V）所表示的烯基，m表示0或2；RB 及RC 表示氢原子或成为一体而形成碳数1～4的伸烷基的基团；RD 、RE 、RF 及RG 分别独立地表示氢原子或碳数1～4的烷基；其中于m为2时，将RA 为酰基（II）、1-三氟甲基-1-硅烷氧基烷基（III）及烯基（V）的情形除外；于RA 为N-烷基酰亚胺基（IV）时，将RB 及RC 为成为一体而形成亚甲基的基团的情形除外），（式中，RH 表示氢原子或可经氟原子取代的碳数1～6的烷基），（式中，RH 与通式（II）的RH 表示相同含意；RI 表示碳数1～4的烷基）（RJ 表示碳数1～6的烷基；RK表示可经二(碳数1～3的烷基)胺基取代的碳数1～6的烷基），（式中，RM 表示氢原子或碳数1～4的烷基；RL 表示碳数1～4的烷基；波浪线表示E/Z几何异构物的任一种或该些几何异构物的混合物）。

34. 发明专利

TWI501990B 內含客體化合物之高分子金屬錯合物結晶、其製造方法、結晶構造解析用試料之製作方法、及有機化合物之分子構造決定方法有权
简体标题：内含客体化合物之高分子金属错合物结晶、其制造方法、结晶构造解析用试料之制作方法、及有机化合物之分子构造决定方法
公开(公告)号：TWI501990B
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW102108219
申请日：2013-03-08
申请人：獨立行政法人科学技術振興機構 , JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：藤田誠 , FUJITA, MAKOTO , 豬熊泰英 , INOKUMA, YASUHIDE , 吉岡翔太 , YOSHIOKA, SHOTA , 有吉絢子 , ARIYOSHI, JUNKO
IPC分类号： C08G61/12 , C07F3/06 , C07F15/06 , G01N23/20
CPC分类号： G01N1/28 , B05D1/18 , C07D307/92 , C07D311/30 , C07D401/14 , C30B7/06 , C30B29/54 , C30B29/58 , G01N23/207 , G01N31/22 , Y10T428/249921

35. 发明专利

TW201533261A 產生薄無機膜之方法审中-公开
简体标题：产生薄无机膜之方法
公开(公告)号：TW201533261A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW104102515
申请日：2015-01-26
申请人：巴斯夫歐洲公司 , BASF SE
发明人：蘇克 , XU,KE , 席爾克內希特克里斯欽 , SCHILDKNECHT, CHRISTIAN , 斯匹爾曼炎 , SPIELMANN, JAN , 法蘭克猶根 , FRANK, JUERGEN , 布拉斯柏佛羅里昂 , BLASBERG, FLORIAN , 賈特納馬汀 , GAERTNER, MARTIN , 羅福勒丹尼爾 , LOEFFLER, DANIEL , 維格尼薩賓納 , WEIGUNY, SABINE , 席勒安德克斯汀 , SCHIERLE-ARNDT, KERSTIN
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/06 , C07F3/00 , C07F15/04 , C07F15/06 , H01L21/205
摘要：本發明係關於產生基板上之薄無機膜之方法，特定言之原子層沈積方法。此方法包含使通式(I)之化合物變為氣態或霧態Ln---M--Xm (I)及將通式(I)之化合物自氣態或霧態沈積至固體基板上，其中R1、R2、R3、R4、R5及R6彼此獨立地為氫、烷基或三烷基矽烷基，n為1至3之整數，M為金屬或半金屬，X為與M配位之配位體，且m為0至4之整數。
简体摘要：本发明系关于产生基板上之薄无机膜之方法，特定言之原子层沉积方法。此方法包含使通式(I)之化合物变为气态或雾态Ln---M--Xm (I)及将通式(I)之化合物自气态或雾态沉积至固体基板上，其中R1、R2、R3、R4、R5及R6彼此独立地为氢、烷基或三烷基硅烷基，n为1至3之整数，M为金属或半金属，X为与M配位之配位体，且m为0至4之整数。

36. 发明专利

TWI452049B 配位錯合物以及使用該配位錯合物爲催化劑以藉由二氧化碳與環氧化物之共聚合作用來製造聚碳酸酯之方法失效
简体标题：配位错合物以及使用该配位错合物为催化剂以借由二氧化碳与环氧化物之共聚合作用来制造聚碳酸酯之方法
公开(公告)号：TWI452049B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW103107177
申请日：2009-07-30
申请人： SK新技術股份有限公司 , SK INNOVATION CO., LTD.
发明人：玉明岸 , OK, MYUNGAHN , 鄭智水 , JEONG, JISU , 李泍烈 , LEE, BUNYEOUL , 蘇帝文蘇吉司 , SUDEVAN, SUJITH , 辛瑞克安尼蘇 , CYRIAC, ANISH , 閔栽基 , MIN, JAEKI , 成宗彦 , SEONG, JONGEON
IPC分类号： C07F15/06 , C08G64/34 , C07C251/24 , C07C249/00 , C07C39/24 , C07C37/62
CPC分类号： C08G64/34 , C07C37/16 , C07C39/24 , C07C45/00 , C07C45/63 , C07C45/68 , C07C249/02 , C07C251/24 , C07C2601/14 , C07F15/065 , C07C47/565

37. 发明专利

TW201422629A 配位錯合物以及使用該配位錯合物爲催化劑以藉由二氧化碳與環氧化物之共聚合作用來製造聚碳酸酯之方法失效
简体标题：配位错合物以及使用该配位错合物为催化剂以借由二氧化碳与环氧化物之共聚合作用来制造聚碳酸酯之方法
公开(公告)号：TW201422629A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW103107177
申请日：2009-07-30
申请人： SK新技術股份有限公司 , SK INNOVATION CO., LTD.
发明人：玉明岸 , OK, MYUNGAHN , 鄭智水 , JEONG, JISU , 李泍烈 , LEE, BUNYEOUL , 蘇帝文蘇吉司 , SUDEVAN, SUJITH , 辛瑞克安尼蘇 , CYRIAC, ANISH , 閔栽基 , MIN, JAEKI , 成宗彦 , SEONG, JONGEON
IPC分类号： C07F15/06 , C08G64/34 , C07C251/24 , C07C249/00 , C07C39/24 , C07C37/62
CPC分类号： C08G64/34 , C07C37/16 , C07C39/24 , C07C45/00 , C07C45/63 , C07C45/68 , C07C249/02 , C07C251/24 , C07C2601/14 , C07F15/065 , C07C47/565
摘要：一種錯合物，其係由含胺鹽之配位體所製得且具有一金屬中心之負價數為2或更多的平衡結構式；以及一種使用該錯合物為一催化劑以藉由二氧化碳與環氧化物之共聚合作用製造聚碳酸酯之方法。當該錯合物用於作為一供共聚合一環氧化合物及二氧化碳之催化劑時，其顯現出高活性、高選擇性並提供高分子量聚碳酸酯，因此確實適用於商業製程。此外，於使用該錯合物為一催化劑以藉由二氧化碳/環氧化物之共聚合作用形成聚碳酸酯之後，可單獨地自共聚物中回收該觸媒。
简体摘要：一种错合物，其系由含胺盐之配位体所制得且具有一金属中心之负价数为2或更多的平衡结构式；以及一种使用该错合物为一催化剂以借由二氧化碳与环氧化物之共聚合作用制造聚碳酸酯之方法。当该错合物用于作为一供共聚合一环氧化合物及二氧化碳之催化剂时，其显现出高活性、高选择性并提供高分子量聚碳酸酯，因此确实适用于商业制程。此外，于使用该错合物为一催化剂以借由二氧化碳/环氧化物之共聚合作用形成聚碳酸酯之后，可单独地自共聚物中回收该触媒。

38. 发明专利

TW201323645A 鈷系膜形成方法、鈷系膜形成材料以及新穎化合物审中-公开
简体标题：钴系膜形成方法、钴系膜形成材料以及新颖化合物
公开(公告)号：TW201323645A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101136809
申请日：2012-10-05
申请人：氣相成長股份有限公司 , GAS-PHASE GROWTH LTD. , 東京電子股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LTD.
发明人：町田英明 , MACHIDA, HIDEAKI , 石川真人 , ISHIKAWA, MASATO , 須藤弘 , SUDOH, HIROSHI , 河野有美子 , KAWANO, YUMIKO , 岩井和俊 , IWAI, KAZUTOSHI
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/455 , C07F15/06 , H01L21/285
CPC分类号： C23C18/08 , C07F15/065 , C23C16/18 , C23C18/04
摘要：〔課題〕提供一種熔點低、在40℃前後成為液體、恐怕會引起在配管中途之固化閉塞之可能性變小、可以安定地供應原料、容易形成高品質之鈷系膜的技術。〔解決手段〕成為用以形成鈷系膜之材料，具有雙(N,N’-二異丙基二乙基甲酮脒酸酯)鈷。
简体摘要：〔课题〕提供一种熔点低、在40℃前后成为液体、恐怕会引起在配管中途之固化闭塞之可能性变小、可以安定地供应原料、容易形成高品质之钴系膜的技术。〔解决手段〕成为用以形成钴系膜之材料，具有双(N,N’-二异丙基二乙基甲酮脒酸酯)钴。

39. 发明专利

TW201309712A 雜配位吡咯醛亞胺前驅物审中-公开
简体标题：杂配位吡咯醛亚胺前驱物
公开(公告)号：TW201309712A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW101125762
申请日：2012-07-18
申请人：液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 , L'AIR LIQUIDE SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE
发明人：科羅里夫安德烈V , KOROLEV, ANDREY V. , 蘭薩洛馬特拉斯克雷門
IPC分类号： C07F13/00 , C07F15/04 , C07F15/06 , C07C257/14 , C07D207/335 , C23C16/18
CPC分类号： C07F13/005 , C07F15/045 , C07F15/065 , C23C16/18 , C23C16/406 , C23C16/42 , C23C16/45553
摘要：揭示具有吡咯醛亞胺基配位基的前驅物以及合成彼等之方法。吡咯醛亞胺基配位基可經取代。
简体摘要：揭示具有吡咯醛亚胺基配位基的前驱物以及合成彼等之方法。吡咯醛亚胺基配位基可经取代。

40. 发明专利

TWI670275B 用於鈷之化學氣相沉積的鹵炔基六羰基二鈷前驅物有权
简体标题：用于钴之化学气相沉积的卤炔基六羰基二钴前驱物
公开(公告)号：TWI670275B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW106140703
申请日：2017-11-23
申请人：美商恩特葛瑞斯股份有限公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：韓相範 , HAN, SANGBUM , 張守奉 , CHANG, SEOBONG , 朴載英 , PARK, JAEEON , 漢迪克斯布萊恩克拉克 , HENDRIX, BRYAN CLARK , 包姆湯瑪斯 , BAUM, THOMAS
IPC分类号： C07F15/06 , C23C16/16 , C23C16/18 , C23C16/448 , C23C16/455

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