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31. 发明专利

TW201609600A 模來石燒結體、其製法以及複合基板审中-公开
简体标题：模来石烧结体、其制法以及复合基板
公开(公告)号：TW201609600A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104117122
申请日：2015-05-28
申请人：日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：磯田佳範 , 佐藤洋介 , 勝田祐司
IPC分类号： C04B35/101 , C04B38/00
CPC分类号： C04B35/185 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B37/008 , C04B37/02 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6586 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , C04B2235/9646 , C04B2235/9653 , C04B2237/34 , C04B2237/55 , C04B2237/72
摘要：本發明的模來石燒結體，雜質元素的含量為1質量%以下，模來石燒結粒的平均粒徑為8μm以下，研磨精加工的表面所存在的氣孔的最大部長度的平均為0.4μm以下。前述表面的中心線平均粗度(Ra)較佳為3nm以下。前述表面的最大高度(Rp)較佳為30nm以下。前述表面所存在的氣孔數，較佳為每4μm×4μm的面積為10個以下。
简体摘要：本发明的模来石烧结体，杂质元素的含量为1质量%以下，模来石烧结粒的平均粒径为8μm以下，研磨精加工的表面所存在的气孔的最大部长度的平均为0.4μm以下。前述表面的中心线平均粗度(Ra)较佳为3nm以下。前述表面的最大高度(Rp)较佳为30nm以下。前述表面所存在的气孔数，较佳为每4μm×4μm的面积为10个以下。

32. 发明专利

TW201540690A 陶瓷氧化物主體及其製造方法以及製造玻璃片的方法审中-公开
简体标题：陶瓷氧化物主体及其制造方法以及制造玻璃片的方法
公开(公告)号：TW201540690A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW104109814
申请日：2015-03-26
申请人：康寧公司 , CORNING INCORPORATED
发明人：苗維高 , MIAO, WEIGUO , 希摩爾大衛艾文 , SEYMOUR, DAVID IVAN , 威爾森尙達丹尼司卡能 , WILSON, SHUNDA DENISE CANNON
IPC分类号： C04B35/101 , C04B35/46 , C04B35/626 , C03C3/12
CPC分类号： C04B35/107 , C03B17/064 , C03B17/067 , C04B35/1015 , C04B35/117 , C04B35/62605 , C04B35/6261 , C04B35/64 , C04B35/6455 , C04B38/00 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C04B2235/6022 , C04B2235/6025 , C04B2235/6027 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/77 , C04B2235/78 , C04B2235/786 , C04B2235/9607 , C04B2235/9669 , C04B35/10 , C04B38/0054 , C04B38/0074
摘要：本案揭示陶瓷氧化物主體。陶瓷氧化物主體可包括熔鑄氧化鋁粉末、細氧化鋁粉末，及氧化鈦粉末。
简体摘要：本案揭示陶瓷氧化物主体。陶瓷氧化物主体可包括熔铸氧化铝粉末、细氧化铝粉末，及氧化钛粉末。

33. 发明专利

TW201529524A 耐火物件及使用耐火物件形成玻璃板之方法审中-公开
简体标题：耐火对象及使用耐火对象形成玻璃板之方法
公开(公告)号：TW201529524A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW104113970
申请日：2013-01-10
申请人：聖高拜陶器塑膠公司 , SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.
发明人：西緹奧利維 , CITTI, OLIVIER , 福卡德朱利安P , FOURCADE, JULIEN P. , 卡斯美亞薩克安德亞L , KAZMIERCZAK, ANDREA L.
IPC分类号： C04B35/101 , C03B5/43
CPC分类号： C04B35/1015 , C03B17/064 , C04B35/111 , C04B35/117 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3272 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/3463 , C04B2235/349 , C04B2235/6027 , C04B2235/604 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/80 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , Y02P40/57
摘要：一種耐火物件可以包括至少約10wt% Al2O3和至少約1wt% SiO2。在一實施方式中，該耐火物件可以包括一添加劑。在一具體實施方式中，該添加劑可以包括TiO2、Y2O3、SrO、BaO、CaO、Ta2O5、Fe2O3、ZnO或MgO。該耐火物件可以包括至少約3wt%的該添加劑。在一附加實施方式中，該耐火物件可以包括不超過約8wt%的該添加劑。在另一實施方式中，該耐火物件的蠕變速率可以是至少約1×10-6h-1。在另一實施方式中，該耐火物件的蠕變速率可以是不超過約5×10-5h-1。在一示意性實施方式中，該耐火物件可以包括一玻璃溢流槽或一形成塊。
简体摘要：一种耐火对象可以包括至少约10wt% Al2O3和至少约1wt% SiO2。在一实施方式中，该耐火对象可以包括一添加剂。在一具体实施方式中，该添加剂可以包括TiO2、Y2O3、SrO、BaO、CaO、Ta2O5、Fe2O3、ZnO或MgO。该耐火对象可以包括至少约3wt%的该添加剂。在一附加实施方式中，该耐火对象可以包括不超过约8wt%的该添加剂。在另一实施方式中，该耐火对象的蠕变速率可以是至少约1×10-6h-1。在另一实施方式中，该耐火对象的蠕变速率可以是不超过约5×10-5h-1。在一示意性实施方式中，该耐火对象可以包括一玻璃溢流槽或一形成块。

34. 发明专利

TW201429920A 無碳鋁鎂不燒磚审中-公开
简体标题：无碳铝镁不烧砖
公开(公告)号：TW201429920A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102102333
申请日：2013-01-22
申请人：中國鋼鐵股份有限公司 , CHINA STEEL CORPORATION
发明人：黃豐基 , 翁丁財
IPC分类号： C04B35/101 , B65D90/04
摘要：一種無碳鋁鎂不燒磚，包含：組成分包括以整體總重量百分比為100%計，重量百分比為15%至35%的棕剛玉、重量百分比為55%至75%的白剛玉、重量百分比為2%至5%的鎂砂、重量百分比為1%至3%的氧化矽砂、重量百分比為0.5%至1.5%的廢紙漿粉，以及重量百分比為1%至3%的氯化鎂。採用棕剛玉、白剛玉為基材，添加少許鎂砂、氧化矽砂，並配合氯化鎂、廢紙漿粉為結合劑，產生出具有鋁鎂尖晶石的磚胚，且不需要大型施工機具的攪拌，並有較優異的抗侵蝕的功能，且預熱時間短，節省製造與煉鋼上的作業時間。
简体摘要：一种无碳铝镁不烧砖，包含：组成分包括以整体总重量百分比为100%计，重量百分比为15%至35%的棕刚玉、重量百分比为55%至75%的白刚玉、重量百分比为2%至5%的镁砂、重量百分比为1%至3%的氧化硅砂、重量百分比为0.5%至1.5%的废纸浆粉，以及重量百分比为1%至3%的氯化镁。采用棕刚玉、白刚玉为基材，添加少许镁砂、氧化硅砂，并配合氯化镁、废纸浆粉为结合剂，产生出具有铝镁尖晶石的砖胚，且不需要大型施工机具的搅拌，并有较优异的抗侵蚀的功能，且预热时间短，节省制造与炼钢上的作业时间。

35. 发明专利

TW201425269A 高電子密度之導電性鈣鋁石化合物之製造方法审中-公开
简体标题：高电子密度之导电性钙铝石化合物之制造方法
公开(公告)号：TW201425269A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102135203
申请日：2013-09-27
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：伊藤和弘 , ITO, KAZUHIRO , 渡邊曉 , WATANABE, SATORU , 渡邊俊成 , WATANABE, TOSHINARI , 宮川直通 , MIYAKAWA, NAOMICHI
IPC分类号： C04B35/64 , C04B35/101 , C01F11/22 , C01F7/02 , C23C14/24 , H01B1/08 , C04B111/94
CPC分类号： C23C14/3414 , C01F7/002 , C01F7/164 , C01P2006/40 , C04B35/117 , C04B35/44 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/402 , C04B2235/445 , C04B2235/46 , C04B2235/652 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6587 , C04B2235/664 , C04B2235/77 , H01B1/08
摘要：本發明係一種導電性鈣鋁石化合物之製造方法，其特徵在於包括：準備包含鈣鋁石化合物之被處理體之步驟；及於一氧化碳氣體及由鋁源供給之鋁蒸氣之存在下，於未與上述鋁源接觸之狀態下配置上述被處理體，並於還原性氛圍下將上述被處理體保持於1080℃~1450℃之範圍之溫度的步驟。
简体摘要：本发明系一种导电性钙铝石化合物之制造方法，其特征在于包括：准备包含钙铝石化合物之被处理体之步骤；及于一氧化碳气体及由铝源供给之铝蒸气之存在下，于未与上述铝源接触之状态下配置上述被处理体，并于还原性氛围下将上述被处理体保持于1080℃~1450℃之范围之温度的步骤。

36. 发明专利

TW201402516A 高電子密度之導電性鈣鋁石（Ｍａｙｅｎｉｔｅ）化合物之製造方法及靶材审中-公开
简体标题：高电子密度之导电性钙铝石（Ｍａｙｅｎｉｔｅ）化合物之制造方法及靶材
公开(公告)号：TW201402516A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102121853
申请日：2013-06-19
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：伊藤和弘 , ITO, KAZUHIRO , 渡邊曉 , WATANABE, SATORU , 渡邊俊成 , WATANABE, TOSHINARI , 宮川直通 , MIYAKAWA, NAOMICHI
IPC分类号： C04B35/101 , C23C14/24 , H01B1/08 , C01F11/02
CPC分类号： H01J37/3426 , C01F7/164 , C01P2006/40 , C01P2006/80 , C04B35/44 , C04B35/6261 , C04B35/6455 , C04B37/021 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/442 , C04B2235/444 , C04B2235/445 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/6587 , C04B2235/664 , C04B2235/77 , C04B2237/343 , C04B2237/402 , C04B2237/50 , C23C14/3414 , H01B1/08
摘要：本發明係電子密度為5×1020 cm-3以上之導電性鈣鋁石化合物之製造方法，其特徵在於包括：(1)製備包含鈣鋁石化合物或鈣鋁石化合物之前驅物之被處理體的步驟；與(2)於上述被處理體之表面之至少一部分配置鋁箔，並將上述被處理體於低氧分壓之氛圍下保持於1080℃~1450℃範圍之溫度的步驟。
简体摘要：本发明系电子密度为5×1020 cm-3以上之导电性钙铝石化合物之制造方法，其特征在于包括：(1)制备包含钙铝石化合物或钙铝石化合物之前驱物之被处理体的步骤；与(2)于上述被处理体之表面之至少一部分配置铝箔，并将上述被处理体于低氧分压之氛围下保持于1080℃~1450℃范围之温度的步骤。

37. 发明专利

TWI415818B 釔鋁石榴石粉末之製備方法有权
简体标题：钇铝石榴石粉末之制备方法
公开(公告)号：TWI415818B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW099145180
申请日：2010-12-22
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：顏富士 , YEN, FU SU , 洪辰宗 , HUNG, CHEN TSUNG , 賴佳芸 , LAI, CHIA YUN
IPC分类号： C04B35/101 , C04B35/505

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