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32. 发明专利

TW201426918A 引線架面陣列封裝技術审中-公开
简体标题：引线架面数组封装技术
公开(公告)号：TW201426918A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102127320
申请日：2013-07-30
申请人：聯合測試裝配中心 , UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.
发明人：狄馬諾二世安東尼歐班巴蘭 , DIMAANO JR., ANTONIO BAMBALAN , 蘇西黃桑卓納沙彭 , SUTHIWONGSUNTHORN, NATHAPONG , 楊永博 , YANG, YONG BO
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/97 , H01L21/2855 , H01L21/4821 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L21/76802 , H01L21/76879 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/495 , H01L23/49541 , H01L23/528 , H01L23/53228 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81801 , H01L2224/85801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
摘要：本發明的具體實施例針對用於製造I/O接點的面積陣列的引線架面積陣列封裝技術。所製造出的封裝包括聚合物材料基板、位在該聚合物材料基板頂部上的內連線層、經由焊線或導電柱而耦合至該內連線層的晶粒、以及封裝該晶粒、該內連線層以及該焊線或導電柱的成形化合物。該聚合物材料典型地在組裝之前在載體上形成，且不被移除，以作用為所製造出的封裝的基板。該聚合物材料基板具有在預定的位置曝露該內連線層、並能夠讓焊球直接植入或焊接直接印刷至該內連線層的多個穿透孔洞。在一些具體實施例中，該半導體封裝包括在該聚合物材料基板中的釋放通道，以改進所製造封裝的可靠性性能。
简体摘要：本发明的具体实施例针对用于制造I/O接点的面积数组的引线架面积数组封装技术。所制造出的封装包括聚合物材料基板、位在该聚合物材料基板顶部上的内连接层、经由焊线或导电柱而耦合至该内连接层的晶粒、以及封装该晶粒、该内连接层以及该焊线或导电柱的成形化合物。该聚合物材料典型地在组装之前在载体上形成，且不被移除，以作用为所制造出的封装的基板。该聚合物材料基板具有在预定的位置曝露该内连接层、并能够让焊球直接植入或焊接直接印刷至该内连接层的多个穿透孔洞。在一些具体实施例中，该半导体封装包括在该聚合物材料基板中的释放信道，以改进所制造封装的可靠性性能。

33. 发明专利

TW201423917A 樹脂密封型半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：树脂密封型半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201423917A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102130602
申请日：2013-08-27
申请人：精工電子有限公司 , SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：木村紀幸 , KIMURA, NORIYUKI
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/50
CPC分类号： H01L24/97 , H01L21/4842 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/495 , H01L23/49503 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L24/94 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48247 , H01L2224/85005 , H01L2224/85801 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
摘要：提供一種樹脂密封型半導體裝置，其包含被搭載在晶片焊墊部上之半導體元件，和被配置成其前端部與晶片焊墊部相向之複數引線部，和連接半導體元件之電極和引線部之金屬細線，和部分性密封該些之密封樹脂，和從密封樹之露出的晶片焊墊部之底面部和引線部之底面部和外側面部和上側端部，在露出的引線部之底面部及上側端部被施予電鍍層。
简体摘要：提供一种树脂密封型半导体设备，其包含被搭载在芯片焊垫部上之半导体组件，和被配置成其前端部与芯片焊垫部相向之复数引线部，和连接半导体组件之电极和引线部之金属细线，和部分性密封该些之密封树脂，和从密封树之露出的芯片焊垫部之底面部和引线部之底面部和外侧面部和上侧端部，在露出的引线部之底面部及上侧端部被施予电镀层。

34. 发明专利

TW201415596A 無線模組审中-公开
简体标题：无线模块
公开(公告)号：TW201415596A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW102132525
申请日：2013-09-09
申请人：菲爾卻德半導體公司 , FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：佛羅蕾斯阿蘭突古爾 , FLORES, ALLAN TUNGUL , 馬納塔羅米爾N , MANATAD, ROMEL N. , 曼塞利塔詹文森特C , MANCELITA, JAN VINCENT C.
IPC分类号： H01L23/495
CPC分类号： H01L27/088 , H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L23/49524 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49589 , H01L23/52 , H01L24/36 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L2224/16245 , H01L2224/37147 , H01L2224/40245 , H01L2224/73255 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：一無線多晶片模組具有一引線框結構10，該引線框結構10具有用於接納經倒裝晶片安裝之晶粒(包括一積體電路20以及高側及低側mosfet 30、40)之若干部分，以形成囊封在模製化合物70中之一半橋電路。該模組在無任何接合線之情況下組裝。該模組亦可攜載被動組件，包括一外部輸入電容器150或一內部輸入電容器350。
简体摘要：一无线多芯片模块具有一引线框结构10，该引线框结构10具有用于接纳经倒装芯片安装之晶粒(包括一集成电路20以及高侧及低侧mosfet 30、40)之若干部分，以形成囊封在模制化合物70中之一半桥电路。该模块在无任何接合线之情况下组装。该模块亦可携载被动组件，包括一外部输入电容器150或一内部输入电容器350。

36. 发明专利

TWI433289B 半導體裝置封裝有权
简体标题：半导体设备封装
公开(公告)号：TWI433289B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW097128179
申请日：2008-07-24
申请人：精工電子有限公司 , SEIKO INSTRUMENTS INC.
发明人：門井聖明 , KADOI, KIYOAKI
IPC分类号： H01L23/50 , H01L23/48 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/49541 , H01L23/3107 , H01L23/49537 , H01L23/49579 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/10162 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

37. 发明专利

TW201409642A 引線框架上的焊錫流阻礙特徵件审中-公开
简体标题：引线框架上的焊锡流阻碍特征件
公开(公告)号：TW201409642A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102122682
申请日：2013-06-26
申请人：英特希爾美國公司 , INTERSIL AMERICAS LLC
发明人：克魯茲蘭多夫 , CRUZ, RANDOLPH , 小卡本特洛伊德米爾頓 , CARPENTER JR., LOYDE MILTON
IPC分类号： H01L23/495
CPC分类号： H01L23/49513 , H01L21/4832 , H01L23/49503 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/40247 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/12032 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：一個實施方案目的在於製造封裝電路的方法。該方法包括部分地蝕刻在引線框架的未來區段之間的分界線處的引線框架的內表面作為第一部分蝕刻。一個或多個裸晶附接到引線框架的內表面並被密封。該方法還包括部分地蝕刻分界線處的引線框架的外表面以使引線框架的不同區段分離作為第二部分蝕刻，其中該第二部分蝕刻比內表面的第一部分蝕刻移除引線框架的橫向更寬的部分；以及包括部分地蝕刻引線框架的外表面作為第三部分蝕刻，其中該第三部分蝕刻與該第二部分蝕刻的一部分重叠並且比該第二部分蝕刻更深地延伸到引線框架中。
简体摘要：一个实施方案目的在于制造封装电路的方法。该方法包括部分地蚀刻在引线框架的未来区段之间的分界线处的引线框架的内表面作为第一部分蚀刻。一个或多个裸晶附接到引线框架的内表面并被密封。该方法还包括部分地蚀刻分界线处的引线框架的外表面以使引线框架的不同区段分离作为第二部分蚀刻，其中该第二部分蚀刻比内表面的第一部分蚀刻移除引线框架的横向更宽的部分；以及包括部分地蚀刻引线框架的外表面作为第三部分蚀刻，其中该第三部分蚀刻与该第二部分蚀刻的一部分重叠并且比该第二部分蚀刻更深地延伸到引线框架中。

38. 发明专利

TWI427749B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI427749B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW099102262
申请日：2010-01-27
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：津守拓 , TSUMORI, TAKU
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/28
CPC分类号： H01L23/49503 , H01L23/3107 , H01L23/4952 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48253 , H01L2224/48465 , H01L2224/49109 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

39. 发明专利

TWI419287B 用於四面扁平無引線封裝之方法及裝置失效
简体标题：用于四面扁平无引线封装之方法及设备
公开(公告)号：TWI419287B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW096135959
申请日：2007-09-27
申请人：飛思卡爾半導體公司 , FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：詹姆士J 王 , WANG, JAMES J. , 威廉G 麥當納 , MCDONALD, WILLIAM G.
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/488
CPC分类号： H01L23/4951 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/06135 , H01L2224/06136 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4826 , H01L2224/48465 , H01L2224/73215 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599

40. 发明专利

TW201338115A 具有擴大的晶片島狀區之基板审中-公开
简体标题：具有扩大的芯片岛状区之基板
公开(公告)号：TW201338115A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101144502
申请日：2012-11-28
申请人：赫里斯材料技術公司 , HERAEUS MATERIALS TECHNOLOGY GMBH & CO. KG
发明人：渥特齊格弗 , WALTER, SIEGFRIED , 迪索連哈德 , DITZEL, ECKHARD
IPC分类号： H01L23/495
CPC分类号： H01L23/49541 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
摘要：本發明有關帶狀托架基板，用於多重半導體晶片之組合，包含一導電層，其係藉由該層中之凹槽所建構，藉以使凹槽形成多重相同的單元於托架基板中，且各自單元包含接收表面、剩餘區、及兩個電極，接收表面係用於至少一半導體晶片之組合，及兩電極係用以接觸半導體晶片，其係藉由凹槽所預建構，而藉以使接收表面被配置在相同單元的電極之間，且托架基板係透過單元的密鋪而予以形成，其中接收表面、剩餘區、及電極係透過足夠狹窄的條狀物而彼此互相連接，接收表面可透過以壓製衝孔工具之衝壓鬆開條狀物而與電極電性絕緣，並使得單元的收接表面可與剩餘區分開，且連接電極至剩餘區之至少二條狀物係配置於單元之轉角的區域中。本發明亦有關電子組件，其包含兩個電極及一接收表面，而藉由該類型之托架基板所製造，其中至少一半導體晶片係附著於接收表面上且透過接合佈線而電性接觸至電極。此外，本發明有關用以製造帶狀托架基板及用以製造電子組件之方法。
简体摘要：本发明有关带状托架基板，用于多重半导体芯片之组合，包含一导电层，其系借由该层中之凹槽所建构，借以使凹槽形成多重相同的单元于托架基板中，且各自单元包含接收表面、剩余区、及两个电极，接收表面系用于至少一半导体芯片之组合，及两电极系用以接触半导体芯片，其系借由凹槽所预建构，而借以使接收表面被配置在相同单元的电极之间，且托架基板系透过单元的密铺而予以形成，其中接收表面、剩余区、及电极系透过足够狭窄的条状物而彼此互相连接，接收表面可透过以压制冲孔工具之冲压松开条状物而与电极电性绝缘，并使得单元的收接表面可与剩余区分开，且连接电极至剩余区之至少二条状物系配置於单元之转角的区域中。本发明亦有关电子组件，其包含两个电极及一接收表面，而借由该类型之托架基板所制造，其中至少一半导体芯片系附着于接收表面上且透过接合布线而电性接触至电极。此外，本发明有关用以制造带状托架基板及用以制造电子组件之方法。

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