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31. 发明专利

TWI244099B 疊層陶瓷電容器、疊層陶瓷電容器之安裝構造及電容器模組失效
简体标题：叠层陶瓷电容器、叠层陶瓷电容器之安装构造及电容器模块
公开(公告)号：TWI244099B
公开(公告)日：2005-11-21
申请号：TW093110454
申请日：2004-04-15
申请人：太陽誘電股份有限公司 TAIYO YUDEN CO., LTD.
发明人：風間智
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01G2/08 , H01G4/30 , H01G4/38
摘要：本發明提供一種散熱能力優異之疊層陶瓷電容器。
由於散熱導體部17設置在複數第一導體層13及複數第二導體層14以經由陶瓷層12而交互地，並且以橫向對向之方式配置之長方體形狀之疊層片11之上面11b，該散熱導體部17連接於各第二導體層14上緣，因此若於發揮內部電極作用之各第一導體層13及各第二導體層14產生熱，各第二導體層14之熱將由各第二導體層14直接傳遞到散熱導體部17，並由該散熱導體部17放出外部。
简体摘要：本发明提供一种散热能力优异之叠层陶瓷电容器。由于散热导体部17设置在复数第一导体层13及复数第二导体层14以经由陶瓷层12而交互地，并且以横向对向之方式配置之长方体形状之叠层片11之上面11b，该散热导体部17连接于各第二导体层14上缘，因此若于发挥内部电极作用之各第一导体层13及各第二导体层14产生热，各第二导体层14之热将由各第二导体层14直接传递到散热导体部17，并由该散热导体部17放出外部。

32. 发明专利

TW200419606A 雙極性超高電容器及其模組 SUPERCAPACITOR AND A MODULE OF THE SAME 审中-公开
简体标题：双极性超高电容器及其模块 SUPERCAPACITOR AND A MODULE OF THE SAME
公开(公告)号：TW200419606A
公开(公告)日：2004-10-01
申请号：TW092106448
申请日：2003-03-24
申请人：友昕科技股份有限公司 LUXON ENERGY DEVICES CORPORATION
发明人：薛立人 SHIUE, LIH REN , 鄭俊昇 CHUN-SHEN CHENG , 張宗熙 JSUNG-HIS CHANG , 李莉頻 LI-PING LI , 羅萬鋌 WAN-TING LO , 黃崑福 KUN-FU HUANG
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01G9/155 , H01G4/32 , H01G4/38 , Y02E60/13
摘要：一種雙極性超高電容器及其模組，係數個電極與隔離膜被一起同心捲繞，並被密封側邊而形成圓筒型或方型之雙極性超高電容器。由於捲繞操作可提供高電容量所需之大表面積，而雙極性封裝加上使用有機電解液，單一雙極性超高電容器捲體的最低工作電壓可為5V。雙極性捲體為組裝超高電容器模組的有力建造基石。藉著具多隔間之容器，置入應用所需之多個雙極性超高電容器捲體，即可在其中進行串聯，並聯或串並聯之整合製得高能量密度的整合超高電容器模組。
简体摘要：一种双极性超高电容器及其模块，系数个电极与隔离膜被一起同心卷绕，并被密封侧边而形成圆筒型或方型之双极性超高电容器。由于卷绕操作可提供高电容量所需之大表面积，而双极性封装加上使用有机电解液，单一双极性超高电容器卷体的最低工作电压可为5V。双极性卷体为组装超高电容器模块的有力建造基石。借着具多隔间之容器，置入应用所需之多个双极性超高电容器卷体，即可在其中进行串联，并联或串并联之集成制得高能量密度的集成超高电容器模块。

33. 发明专利

TW394963B 陶瓷電容器有权
简体标题：陶瓷电容器
公开(公告)号：TW394963B
公开(公告)日：2000-06-21
申请号：TW087121980
申请日：1999-01-06
申请人： TDK股份有限公司
发明人：石垣高哉 , 石川正利 , 神谷貴志 , 板倉俊二 , 相庭二 , 山本真範
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01G4/232 , H01F2027/295 , H01G4/38 , H05K3/3426 , Y02P70/613 , Y10T29/43 , Y10T29/435 , Y10T29/49144 , Y10T29/49149
摘要：一種陶瓷電容器，係含有至少一個陶瓷電容器元件，和至少一對金屬端子的陶瓷電容器，
其中前述陶瓷電容器元件係在相對的兩側端面具有端子電極，
前述金屬端子分別在前述一個端子電極連接其前端部，在中間部具有折回部，在前述折回部的後方具有和外部連接的端子部者。
简体摘要：一种陶瓷电容器，系含有至少一个陶瓷电容器组件，和至少一对金属端子的陶瓷电容器，其中前述陶瓷电容器组件系在相对的两侧端面具有端子电极，前述金属端子分别在前述一个端子电极连接其前端部，在中间部具有折回部，在前述折回部的后方具有和外部连接的端子部者。

34. 发明专利

TW311327B 包含一極高壓串聯電路之電路配置失效
简体标题：包含一极高压串联电路之电路配置
公开(公告)号：TW311327B
公开(公告)日：1997-07-21
申请号：TW085110490
申请日：1996-08-29
申请人：飛利浦電子股份有限公司
发明人：胡伯特瑞特斯
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05G1/08 , H01G4/38 , H01G4/385 , H02M7/103
摘要：一種電路配置包括一極高電壓(EHT)串聯電路(1)，此電路有至少一組電容器之串聯配置(2, 3)，電容器含有參差導體條 (19,20,21,22,23,24,25)備於介質層 (18,18a,18b)之兩側，該介質層與導體條 (19,20,21,22,23,24,25) 繞在一支撐部份之周圍以形成一繞組 (15,15a,15b)。一種密集而價廉之結構因此完成。此結構特別適用於供一影像顯示管中之一EHT產生器中之電路配置，其中EHT串聯電路(1)在 EHT輸出電容器(6,12)之前，及EHT輸出電容器(6,12)即為該支撐部份。
简体摘要：一种电路配置包括一极高电压(EHT)串联电路(1)，此电路有至少一组电容器之串联配置(2, 3)，电容器含有参差导体条 (19,20,21,22,23,24,25)备于介质层 (18,18a,18b)之两侧，该介质层与导体条 (19,20,21,22,23,24,25) 绕在一支撑部份之周围以形成一绕组 (15,15a,15b)。一种密集而价廉之结构因此完成。此结构特别适用于供一影像显示管中之一EHT产生器中之电路配置，其中EHT串联电路(1)在 EHT输出电容器(6,12)之前，及EHT输出电容器(6,12)即为该支撑部份。

35. 发明专利

TWI564920B 用於多層電容器中的聲噪消降之器件、系統及方法有权
简体标题：用于多层电容器中的声噪消降之器件、系统及方法
公开(公告)号：TWI564920B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104101109
申请日：2015-01-13
申请人：蘋果公司 , APPLE INC.
发明人：寇勒傑弗瑞G , KOLLER, JEFFREY G. , 安格 P 傑弗瑞 , UNGAR, P. JEFFREY
IPC分类号： H01G4/12 , H01G4/30 , H01G4/35 , G05F1/10
CPC分类号： H01G4/30 , G05F1/10 , H01G4/012 , H01G4/12 , H01G4/35 , H01G4/38 , H01G4/40 , H02M1/12 , H02M3/04

36. 发明专利

TW201642291A 薄膜電容器之製造方法、積體電路搭載基板、及具備該基板之半導體裝置审中-公开
简体标题：薄膜电容器之制造方法、集成电路搭载基板、及具备该基板之半导体设备
公开(公告)号：TW201642291A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105107032
申请日：2016-03-08
申请人：野田士克林股份有限公司 , NODA SCREEN CO., LTD.
发明人：服部篤典 , HATTORI, ATSUNORI
IPC分类号： H01G4/38 , H01G4/30 , H01L23/12
CPC分类号： H05K3/303 , H01G4/33 , H01G4/38 , H01L23/49827 , H01L23/642 , H01L28/60 , H01L2224/16225 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H05K1/0298 , H05K1/162 , H05K3/002 , H05K3/32 , H05K3/46
摘要：本發明係一種薄膜電容器之製造方法，積體電路搭載基板，及具備該基板之半導體裝置，其中，製造薄膜電容器於電路基板之方法，包含：於加以形成於支持構件(31)表面之介電體膜(12M)上，以所需圖案而形成薄膜電容器之第1電極層(11)之第1電極形成工程(圖3(d))，和於介電體膜(12M)上及第1電極層(11)上，呈埋入在第1電極層(11)地加以形成電路基板之絕緣基材(16)之基材形成工程(圖3(e))，和除去支持構件(31)，使與介電體膜(12M)之第1電極層(11)相反側的面露出之除去工程，和由圖案化介電體膜(12M)者，而殘留重疊於第1電極層(11)之介電體層之同時，於其介電體層形成第1貫通孔而使第1電極層(11)之介電體層側的面之一部分露出之介電體圖案化工程，和於包含在第1貫通孔內之介電體層上，重疊薄膜電容器之第2電極層而形成之第2電極形成工程。
简体摘要：本发明系一种薄膜电容器之制造方法，集成电路搭载基板，及具备该基板之半导体设备，其中，制造薄膜电容器于电路基板之方法，包含：于加以形成于支持构件(31)表面之介电体膜(12M)上，以所需图案而形成薄膜电容器之第1电极层(11)之第1电极形成工程(图3(d))，和于介电体膜(12M)上及第1电极层(11)上，呈埋入在第1电极层(11)地加以形成电路基板之绝缘基材(16)之基材形成工程(图3(e))，和除去支持构件(31)，使与介电体膜(12M)之第1电极层(11)相反侧的面露出之除去工程，和由图案化介电体膜(12M)者，而残留重叠于第1电极层(11)之介电体层之同时，于其介电体层形成第1贯通孔而使第1电极层(11)之介电体层侧的面之一部分露出之介电体图案化工程，和于包含在第1贯通孔内之介电体层上，重叠薄膜电容器之第2电极层而形成之第2电极形成工程。

37. 发明专利

TW201622128A 關於電容感器（ｃａｐｄｕｃｔｏｒ）組合之技術與組態审中-公开
简体标题：关于电容感器（ｃａｐｄｕｃｔｏｒ）组合之技术与组态
公开(公告)号：TW201622128A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104122556
申请日：2015-07-13
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：藍伯特威廉 , LAMBERT, WILLIAM J. , 希爾麥可 , HILL, MICHAEL J. , 瑞達克里斯能喀拉達 , RADHAKRISHNAN, KALADHAR
IPC分类号： H01L27/22 , H01L25/065 , H01L23/528 , H01L23/31 , H01L21/768 , H01L21/56
CPC分类号： H01G4/38 , H01G4/30 , H01L21/4846 , H01L23/49822 , H01L23/50 , H01L23/5227 , H01L23/5389 , H01L23/64 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L28/10 , H01L28/40 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H05K1/185 , H05K3/007 , H05K2201/1003 , H01L2924/014
摘要：本揭示發明的實施例指向關於電容感器組合之技術與組態。在一實施例中，電容感器組合可包括半導體晶圓及設置在該半導體晶圓之第一側上的複數個電感器。該複數個電感器可嵌入在具有在複數個互連結構設置於其上的電絕緣材料中。該複數個互連結構可組態成電耦接該複數個電感器至晶粒。該IC組合可更包括設置在其設置成與該晶圓的該第一側相對之該晶圓的第二側上的複數個電容器。該複數個電容器可與其可組態成將該複數個電容器與該晶粒電耦接的第二複數個互連結構電耦接。可描述及/或主張其他實施例。
简体摘要：本揭示发明的实施例指向关于电容感器组合之技术与组态。在一实施例中，电容感器组合可包括半导体晶圆及设置在该半导体晶圆之第一侧上的复数个电感器。该复数个电感器可嵌入在具有在复数个互链接构设置于其上的电绝缘材料中。该复数个互链接构可组态成电耦接该复数个电感器至晶粒。该IC组合可更包括设置在其设置成与该晶圆的该第一侧相对之该晶圆的第二侧上的复数个电容器。该复数个电容器可与其可组态成将该复数个电容器与该晶粒电耦接的第二复数个互链接构电耦接。可描述及/或主张其他实施例。

38. 发明专利

TW201545183A 直流電容模組及其疊層母排結構审中-公开
简体标题：直流电容模块及其叠层母排结构
公开(公告)号：TW201545183A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW103126517
申请日：2014-08-04
申请人：台達電子企業管理(上海)有限公司 , DELTA ELECTRONICS (SHANGHAI) CO., LTD.
发明人：文森林 , WEN, SENLIN , 應建平 , YING, JIANPING , 甘鴻堅 , GAN, HONGJIAN , 趙攝 , ZHAO, SHE
IPC分类号： H01G2/02
CPC分类号： H01G4/38 , H01G2/04 , H01G2/06 , H01G4/228 , H02M7/003 , H05K7/1432
摘要：本揭示文件揭露一種直流電容模組包含複數個直流電容以及疊層母排結構。直流電容分為第一部份以及第二部份。疊層母排結構用以與該些直流電容的該些電容接線柱電性連接，並具有正接線端以及負接線端。疊層母排結構包含第一層母排、第二層母排以及絕緣層。第一層母排包含一第一子母排其電性連接於該第一部份中至少兩個直流電容之間。第二層母排包含第二子母排其電性連接於該第二部份中至少兩個直流電容之間。絕緣層設置於第一層母排與第二層母排之間。
简体摘要：本揭示文档揭露一种直流电容模块包含复数个直流电容以及叠层母排结构。直流电容分为第一部份以及第二部份。叠层母排结构用以与该些直流电容的该些电容接线柱电性连接，并具有正接线端以及负接线端。叠层母排结构包含第一层母排、第二层母排以及绝缘层。第一层母排包含一第一子母排其电性连接于该第一部份中至少两个直流电容之间。第二层母排包含第二子母排其电性连接于该第二部份中至少两个直流电容之间。绝缘层设置于第一层母排与第二层母排之间。

39. 发明专利

TWI386959B 電子零件有权
简体标题：电子零件
公开(公告)号：TWI386959B
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：TW101104304
申请日：2012-02-10
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：佐佐木宏幸 , SASAKI, HIROYUKI , 田丸育生 , TAMARU, IKUO
IPC分类号： H01G4/40
CPC分类号： H01G4/30 , H01G4/38 , H03H7/0115 , H03H7/075 , H03H7/1708 , H03H7/1775 , H03H2001/0085 , H05K1/162

40. 发明专利

TW201303934A 電子零件审中-公开
简体标题：电子零件
公开(公告)号：TW201303934A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101129333
申请日：2012-02-10
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：佐佐木宏幸 , SASAKI, HIROYUKI , 田丸育生 , TAMARU, IKUO
IPC分类号： H01G4/40 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/30 , H01G4/38 , H03H7/0115 , H03H7/075 , H03H7/1708 , H03H7/1775 , H03H2001/0085 , H05K1/162
摘要：提供一種內設有具有所欲電容值之電容器之電子零件。積層體(12)，複數個絕緣體層(16)積層而成。焊墊電極(14a,14c)，係設在積層體(12)之底面。內部導體(18l,18m)，分別在積層體(12)內隔著絕緣體層(16i)與焊墊電極(14a,14c)對向，具有較焊墊電極(14a,14c)之面積大之面積且從z軸方向俯視時包含焊墊電極(14a,14c)。電容器導體(19)，係設在較電容器導體(18l,18m)更靠z軸方向之正方向側，且與電容器導體(18l,18m)對向。
简体摘要：提供一种内设有具有所欲电容值之电容器之电子零件。积层体(12)，复数个绝缘体层(16)积层而成。焊垫电极(14a,14c)，系设在积层体(12)之底面。内部导体(18l,18m)，分别在积层体(12)内隔着绝缘体层(16i)与焊垫电极(14a,14c)对向，具有较焊垫电极(14a,14c)之面积大之面积且从z轴方向俯视时包含焊垫电极(14a,14c)。电容器导体(19)，系设在较电容器导体(18l,18m)更靠z轴方向之正方向侧，且与电容器导体(18l,18m)对向。

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