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31. 发明专利

TW422988B 非揮發性半導體記憶裝置失效
简体标题：非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TW422988B
公开(公告)日：2001-02-21
申请号：TW088106803
申请日：1999-04-27
申请人：日本電氣股份有限公司
发明人：上久保雅規
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/3409 , G11C16/28 , G11C16/3404 , G11C16/3436 , G11C16/3445 , G11C16/3459
摘要：一種電性可抹除及可程式之非揮發性半導體記憶裝置，其中資料係藉由一感應放大器比較記憶單元的輸出與參考單元的輸出而讀出。在本裝置中，參考單元為內建，使得其具有一特定臨限電壓值，而記憶單元的閘電壓與參考單元的閘電壓可以分別設定。
简体摘要：一种电性可抹除及可进程之非挥发性半导体记忆设备，其中数据系借由一感应放大器比较记忆单元的输出与参考单元的输出而读出。在本设备中，参考单元为内置，使得其具有一特定临限电压值，而记忆单元的闸电压与参考单元的闸电压可以分别设置。

32. 发明专利

TW340202B 限制過拭除及防止拭除驗證錯誤之快閃記憶體之過拭除更正失效
简体标题：限制过拭除及防止拭除验证错误之闪存之过拭除更正
公开(公告)号：TW340202B
公开(公告)日：1998-09-11
申请号：TW084113742
申请日：1995-12-22
申请人：高級微裝置公司
发明人：李.E.克萊佛蘭得 , 忠.K.張 , 唐原 , 梁思雷 , 郭苕華 , 麥可.D.弗蕾絲樂
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G11C16/3409 , G11C16/3404 , G11C16/3445
摘要：一種包括快閃EEPROM（電子可拭除式可程式唯讀記憶體）之陣列的積體電路，其中在各拭除脈波之施用後，提供過拭除校正。
简体摘要：一种包括快闪EEPROM（电子可拭除式可进程唯读内存）之数组的集成电路，其中在各拭除脉波之施用后，提供过拭除校正。

33. 发明专利

TW231343B 免於資料線干擾之記憶塊分割的閃光記憶及具有閃光記憶的微電腦失效
简体标题：免于数据线干扰之记忆块分割的闪光记忆及具有闪光记忆的微电脑
公开(公告)号：TW231343B
公开(公告)日：1994-10-01
申请号：TW082101739
申请日：1993-03-09
申请人：日立超愛爾.愛斯.愛工程股份有限公司 , 日立製作所股份有限公司
发明人：伊藤高志 , 向井浩文 , 寺槷正明 , 佐藤齊尚 , 松原清 , 屋鋪直樹 , 馬場志朗
IPC分类号： G06F , G01N
CPC分类号： H01L27/11526 , G06F9/445 , G06F15/7814 , G06F15/7821 , G11C7/1045 , G11C16/0416 , G11C16/102 , G11C16/105 , G11C16/12 , G11C16/16 , G11C16/26 , G11C16/30 , G11C16/3418 , G11C16/3427 , G11C16/3445 , G11C16/3459 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11531 , H01L27/11546 , Y02D10/43
摘要：可電性重寫閃光記憶裝置具有記憶格陣列，包含排成行列的多個記憶格，分成具有不同記憶容量的多個記憶塊。每一記憶塊包含一列以上的記憶格，其控制閘極接到在列方向延伸的相關字線導體。每一記憶塊之所有記憶格的源極接到相關且在列方向延伸的單一共同導體。記憶格的汲極接到在行方向延伸的各資料線導體。共同電壓控制電路供給每一記憶塊，將第一電位施於含有以施於寫入作業之相關資料線導體的選擇電壓所選擇之記憶格之記憶塊的共同導體，將高於第一電位的第二電位施於含有以施於相關資料線導體的選擇電壓所未選之記憶格且不含寫入作業之選擇記憶格之記憶塊的共同導體。具有形成於單一半導體晶片之中央處理單元和上述可電性重寫閃光記憶的微電腦包含接收作業模式信號的輸入端，將微電腦切換於第一和第二作業模式之間，第一作業模式中，在中央處理單元的控制下來重寫閃光記憶，第二作業模式中，在可外接到微電腦之獨立寫入電路的控制下來重寫閃光記憶。
简体摘要：可电性重写闪光记忆设备具有记忆格数组，包含排成行列的多个记忆格，分成具有不同记忆容量的多个记忆块。每一记忆块包含一列以上的记忆格，其控制闸极接到在列方向延伸的相关字线导体。每一记忆块之所有记忆格的源极接到相关且在列方向延伸的单一共同导体。记忆格的汲极接到在行方向延伸的各数据线导体。共同电压控制电路供给每一记忆块，将第一电位施于含有以施于写入作业之相关数据线导体的选择电压所选择之记忆格之记忆块的共同导体，将高于第一电位的第二电位施于含有以施于相关数据线导体的选择电压所未选之记忆格且不含写入作业之选择记忆格之记忆块的共同导体。具有形成於单一半导体芯片之中央处理单元和上述可电性重写闪光记忆的微电脑包含接收作业模式信号的输入端，将微电脑切换于第一和第二作业模式之间，第一作业模式中，在中央处理单元的控制下来重写闪光记忆，第二作业模式中，在可外置到微电脑之独立写入电路的控制下来重写闪光记忆。

34. 发明专利

TW201807711A 半導體儲存裝置审中-公开
简体标题：半导体存储设备
公开(公告)号：TW201807711A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106109826
申请日：2017-03-23
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：妹尾真言 , SENOO, MAKOTO , 須藤直昭 , SUDO, NAOAKI
IPC分类号： G11C16/10
CPC分类号： G11C16/16 , G11C7/04 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/3445 , G11C16/3459
摘要：本發明提供一種半導體儲存裝置，改善資料的高溫保持特性。本發明的快閃記憶體包括抹除儲存單元陣列的選擇儲存單元的抹除部件，抹除部件更包含：施加部件，在開始選擇儲存單元的抹除動作之前，對監控用儲存單元施加監控用抹除脈衝；校驗部件，進行施加有監控用抹除脈衝的監控用儲存單元的校驗；以及決定部件，基於校驗部件的校驗結果來決定ISPE條件。抹除部件依照所決定的ISPE條件來抹除儲存單元。
简体摘要：本发明提供一种半导体存储设备，改善数据的高温保持特性。本发明的闪存包括抹除存储单元数组的选择存储单元的抹除部件，抹除部件更包含：施加部件，在开始选择存储单元的抹除动作之前，对监控用存储单元施加监控用抹除脉冲；校验部件，进行施加有监控用抹除脉冲的监控用存储单元的校验；以及决定部件，基于校验部件的校验结果来决定ISPE条件。抹除部件依照所决定的ISPE条件来抹除存储单元。

35. 发明专利

TWI607440B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI607440B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW103127662
申请日：2014-08-12
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：加藤多實結 , KATO, TAMIYU
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/04 , G11C16/06
CPC分类号： G11C16/14 , G11C16/0408 , G11C16/0425 , G11C16/06 , G11C16/22 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/3445

36. 发明专利

TWI604451B 在記憶體操作中控制主體電壓之裝置及方法有权
简体标题：在内存操作中控制主体电压之设备及方法
公开(公告)号：TWI604451B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW102144697
申请日：2013-12-05
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：趙涵 , ZHAO, HAN , 合田晃 , GODA, AKIRA , 帕拉特奎許納K , PARAT, KRISHNA K. , 莫瑞歐瑞里歐吉安卡羅 , MAURI, AURELIO GIANCARLO , 劉海濤 , LIU, HAITAO , 丹沢徹 , TANZAWA, TORU , 山田重和 , YAMADA, SHIGEKAZU , 作井浩司 , SAKUI, KOJI
IPC分类号： G11C16/08 , G11C8/08
CPC分类号： G11C16/3459 , G11C8/08 , G11C16/0483 , G11C16/06 , G11C16/08 , G11C16/16 , G11C16/26 , G11C16/32 , G11C16/3445 , G11C2213/71

37. 发明专利

TWI570733B 非揮發性記憶元件的抹除系統與方法有权
简体标题：非挥发性记忆组件的抹除系统与方法
公开(公告)号：TWI570733B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW101123815
申请日：2012-07-03
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：南尚完 , NAM, SANG-WAN
IPC分类号： G11C16/18
CPC分类号： G11C16/14 , G11C16/16 , G11C16/26 , G11C16/3445 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582

38. 发明专利

TWI569268B 半導體記憶裝置有权
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI569268B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104106912
申请日：2015-03-04
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：滋賀秀裕 , SHIGA, HIDEHIRO , 白川政信 , SHIRAKAWA, MASANOBU , 阿部健一 , ABE, KENICHI
IPC分类号： G11C13/00 , H01L45/00
CPC分类号： G11C16/14 , G11C16/0483 , G11C16/16 , G11C16/3445 , H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11548 , H01L27/11551

39. 发明专利

TW201637024A 半導體記憶裝置及記憶體系統审中-公开
简体标题：半导体记忆设备及内存系统
公开(公告)号：TW201637024A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105105282
申请日：2016-02-23
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：車野敏文 , SHANO, TOSHIFUMI , 白川政信 , SHIRAKAWA, MASANOBU , 原德正 , HARA, TOKUMASA
IPC分类号： G11C29/44
CPC分类号： G11C16/08 , G11C7/106 , G11C7/1087 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/26 , G11C16/3445 , G11C29/804 , G11C29/82 , G11C29/848
摘要：本發明之實施形態提供一種能夠有效率地修復不良之半導體記憶裝置及記憶體系統。實施形態之半導體記憶裝置具備第1及第2區塊(通常BLK及A型BLK)、以及列控制電路120、130。列控制電路120、130對第1區塊以第1模式進行控制，對第2區塊以第2模式進行控制。第1及第2區塊分別具備第1至第3字元線WLn+1、WLn-1、WLn。列控制電路120、130於第1模式下選擇第3字元線WLn，將第1及第2字元線之兩者(WLn+1、WLn-1)設為非選擇。進而，於第2模式下，選擇第1及第3字元線之兩者(WLn及WLn+1)，將第2字元線(WLn-1)設為非選擇。
简体摘要：本发明之实施形态提供一种能够有效率地修复不良之半导体记忆设备及内存系统。实施形态之半导体记忆设备具备第1及第2区块(通常BLK及A型BLK)、以及列控制电路120、130。列控制电路120、130对第1区块以第1模式进行控制，对第2区块以第2模式进行控制。第1及第2区块分别具备第1至第3字符线WLn+1、WLn-1、WLn。列控制电路120、130于第1模式下选择第3字符线WLn，将第1及第2字符线之两者(WLn+1、WLn-1)设为非选择。进而，于第2模式下，选择第1及第3字符线之两者(WLn及WLn+1)，将第2字符线(WLn-1)设为非选择。

40. 发明专利

TWI550619B 記憶體電路及其操作方法有权
简体标题：内存电路及其操作方法
公开(公告)号：TWI550619B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW104104073
申请日：2015-02-06
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：郭乃萍 , KUO, NAI-PING , 洪俊雄 , HUNG, CHUN HSIUNG , 許文銘 , HSU, WEN-MING
IPC分类号： G11C16/14 , G11C16/22
CPC分类号： G11C16/16 , G11C16/3409 , G11C16/3445

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