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    • 31. 发明专利
    • 觸媒組成物,使用觸媒組成物之降冰片烯系共聚物之製造方法,及降冰片烯系共聚物,與使用該共聚物之耐熱薄膜
    • 触媒组成物,使用触媒组成物之降冰片烯系共聚物之制造方法,及降冰片烯系共聚物,与使用该共聚物之耐热薄膜
    • TW201217410A
    • 2012-05-01
    • TW100126784
    • 2011-07-28
    • 普利司通股份有限公司
    • 會田昭二郎塔迪夫 奧利維爾
    • C08FC08J
    • C08F222/26C08F4/65908C08F232/04C08F232/08C08F4/70C08F4/61925
    • 本發明係提供可有效率製造具有極性基之降冰片烯化合物的高分子量加成共聚物之觸媒組成物,使用該觸媒組成物之降冰片烯化合物的高分子量加成共聚物之製造方法,該共聚物,及使用該共聚物之薄膜。含有使用於具有極性基之降冰片烯系共聚合之主觸媒(A)與助觸媒(B)之觸媒組成物中,主觸媒(A)為一般式(1):MLnK1xK2yK3z…(1)(式中,M為周期表第8屬元素、第9屬元素及第10屬元素中所選出之1種過渡金屬,L為含有環戊二烯環之環戊二烯基系配位基,K1、K2及K3為相互不同之陰性配位基或中性配位基,n為0至2之整數,x、y及z各自為包含0之整數,此等之和為1至7)所表示之錯合物,助觸媒(B)為與主觸媒(A)反應可生成陽離子性過渡金屬化合物之離子性化合物(a)。
    • 本发明系提供可有效率制造具有极性基之降冰片烯化合物的高分子量加成共聚物之触媒组成物,使用该触媒组成物之降冰片烯化合物的高分子量加成共聚物之制造方法,该共聚物,及使用该共聚物之薄膜。含有使用于具有极性基之降冰片烯系共聚合之主触媒(A)与助触媒(B)之触媒组成物中,主触媒(A)为一般式(1):MLnK1xK2yK3z…(1)(式中,M为周期表第8属元素、第9属元素及第10属元素中所选出之1种过渡金属,L为含有环戊二烯环之环戊二烯基系配位基,K1、K2及K3为相互不同之阴性配位基或中性配位基,n为0至2之整数,x、y及z各自为包含0之整数,此等之和为1至7)所表示之错合物,助触媒(B)为与主触媒(A)反应可生成阳离子性过渡金属化合物之离子性化合物(a)。
    • 37. 发明专利
    • 正型光阻劑共聚物及使用其的光阻劑組成物
    • 正型光阻剂共聚物及使用其的光阻剂组成物
    • TW546538B
    • 2003-08-11
    • TW087120806
    • 1998-12-15
    • 現代電子產業股份有限公司
    • 鄭旼鎬高次元金亨基
    • G03F
    • C08F232/04C07C69/753C08F222/06
    • 本發明關於一種作為使用於超短波長光源如氟化氪或氟化氬之光阻劑之共聚物樹脂,其製備方法,及使用其所製成的光阻劑。經由導入2,3-二-第三丁基-5-原冰片烯-2,3-二羧酸酯單元至原冰片烯-順丁烯二酸酐共聚物之結構中,根據本發明之共聚物樹脂可經由傳統自由基聚合作用而被容易地製備,在193nm波長具有高透明性,提供增加的抗蝕刻性,由於在共聚物樹脂中之保護比例增加而防止尖端損失現象及增加黏著強度,且顯示0.13μm之優良解析度。
    • 本发明关于一种作为使用于超短波长光源如氟化氪或氟化氩之光阻剂之共聚物树脂,其制备方法,及使用其所制成的光阻剂。经由导入2,3-二-第三丁基-5-原冰片烯-2,3-二羧酸酯单元至原冰片烯-顺丁烯二酸酐共聚物之结构中,根据本发明之共聚物树脂可经由传统自由基聚合作用而被容易地制备,在193nm波长具有高透明性,提供增加的抗蚀刻性,由于在共聚物树脂中之保护比例增加而防止尖端损失现象及增加黏着强度,且显示0.13μm之优良分辨率。