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    • 39. 发明专利
    • 接觸氣相氧化方法
    • 接触气相氧化方法
    • TWI328001B
    • 2010-08-01
    • TW092106217
    • 2003-03-20
    • 日本觸媒股份有限公司
    • 柚木弘己谷本道雄
    • C07C
    • C07C45/37B01J23/002B01J23/8876B01J23/8877B01J23/8885B01J35/023B01J37/0009B01J37/0236C07C45/32C07C45/35C07C51/252C07C47/22C07C57/04
    • 本發明提供一種具長期反應繼續性,不受高溫部位之發生處所及氣體原料濃度高低之影響,且收率高的接觸氣相氧化方法;其使用填充鉬系觸媒之固定床多管式反應器,以接觸氣相氧化反應,製造不飽和羧酸,或者不飽和醛及/或不飽和羧酸。
      本發明之不飽和羧酸,或者不飽和醛及/或不飽和羧酸的製造方法,其特徵為以鉬及釩,或者鉬,鐵,及鉍為必要成份,以氧化物及/或複合氧化物為觸媒成份,同時使用具有細孔之粒狀觸媒;在上述固定床多管式反應器中,將各反應管的觸媒填充層,依管軸方向劃分為複數個反應帶;上述觸媒之填充,在此複數個反應帶中,至少有二個其孔徑不同之填充。
    • 本发明提供一种具长期反应继续性,不受高温部位之发生处所及气体原料浓度高低之影响,且收率高的接触气相氧化方法;其使用填充钼系触媒之固定床多管式反应器,以接触气相氧化反应,制造不饱和羧酸,或者不饱和醛及/或不饱和羧酸。 本发明之不饱和羧酸,或者不饱和醛及/或不饱和羧酸的制造方法,其特征为以钼及钒,或者钼,铁,及铋为必要成份,以氧化物及/或复合氧化物为触媒成份,同时使用具有细孔之粒状触媒;在上述固定床多管式反应器中,将各反应管的触媒填充层,依管轴方向划分为复数个反应带;上述触媒之填充,在此复数个反应带中,至少有二个其孔径不同之填充。