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31. 发明专利

TW201030993A 薄膜太陽能電池审中-公开
简体标题：薄膜太阳能电池
公开(公告)号：TW201030993A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098103891
申请日：2009-02-06
申请人：聯相光電股份有限公司
发明人：畢建中 , 賴光傑
IPC分类号： H01L
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：本發明係關於一種薄膜太陽能電池,其包含:一基板;一透明導電層,其係形成於基板之上;一第一半導體薄膜層,其係形成於透明導電層之上;一反射薄膜層,其係形成於第一半導體薄膜層之上,並具有複數個微通道,該反射薄膜層係為高反射性,可使光反射至第一半導體薄膜層,增進第一半導體薄膜層之光吸收率;一反射率增進結構層係形成於反射薄膜層之上,該反射率增進結構層包含至少一堆疊層,該堆疊層係包括一低折射率層與一高折射率層,可使入射光由具有較高折射率之高折射率層進入具有較低折射率之低折射率層時,產生光之全反射作用,使入射光再進入第一半導體薄膜層或第二半導體薄膜層,增進該兩半導體薄膜層之光再吸收;一第二半導體薄膜層,其係形成於反射率增進結構層之上;以及一電極層係形成於第二半導體薄膜層之上。
简体摘要：本发明系关于一种薄膜太阳能电池,其包含:一基板;一透明导电层,其系形成于基板之上;一第一半导体薄膜层,其系形成于透明导电层之上;一反射薄膜层,其系形成于第一半导体薄膜层之上,并具有复数个微信道,该反射薄膜层系为高反射性,可使光反射至第一半导体薄膜层,增进第一半导体薄膜层之光吸收率;一反射率增进结构层系形成于反射薄膜层之上,该反射率增进结构层包含至少一堆栈层,该堆栈层系包括一低折射率层与一高折射率层,可使入射光由具有较高折射率之高折射率层进入具有较低折射率之低折射率层时,产生光之全反射作用,使入射光再进入第一半导体薄膜层或第二半导体薄膜层,增进该两半导体薄膜层之光再吸收;一第二半导体薄膜层,其系形成于反射率增进结构层之上;以及一电极层系形成于第二半导体薄膜层之上。

32. 发明专利

TW200952187A 薄膜疊層太陽能電池與其製作方法 STACKED-LAYERED THIN FILM SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：薄膜叠层太阳能电池与其制作方法 STACKED-LAYERED THIN FILM SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200952187A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW097121909
申请日：2008-06-12
申请人：聯相光電股份有限公司
发明人：盧俊雄 , 畢建中
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/046 , Y02E10/50
摘要：本發明提供一種薄膜疊層太陽能電池及其製作方法，其中薄膜疊層太陽能電池是由複數個單一區塊電性連接而成，各單一區塊包括依序堆疊形成的基板、第一電極層、第一光吸收層、介質層、第二光吸收層與第二電極層，且依序在第一電極層形成有複數個第一線槽，在第二光吸收層至第一光吸收層間形成有複數個第二線槽，在第二電極層至第一光吸收層間形成有複數個第三線槽，而第一線槽、第二線槽與第三線槽相互間具有偏位。本發明之特徵在於介質層與第二線槽的交接處形成有凹陷部，藉以阻斷電流自第一光吸收層或第二光吸收層經由第二線槽導通至介質層。
简体摘要：本发明提供一种薄膜叠层太阳能电池及其制作方法，其中薄膜叠层太阳能电池是由复数个单一区块电性连接而成，各单一区块包括依序堆栈形成的基板、第一电极层、第一光吸收层、介质层、第二光吸收层与第二电极层，且依序在第一电极层形成有复数个第一线槽，在第二光吸收层至第一光吸收层间形成有复数个第二线槽，在第二电极层至第一光吸收层间形成有复数个第三线槽，而第一线槽、第二线槽与第三线槽相互间具有偏位。本发明之特征在于介质层与第二线槽的交接处形成有凹陷部，借以阻断电流自第一光吸收层或第二光吸收层经由第二线槽导通至介质层。

33. 发明专利

TWI405340B 薄膜太陽能電池與其製作方法有权
简体标题：薄膜太阳能电池与其制作方法
公开(公告)号：TWI405340B
公开(公告)日：2013-08-11
申请号：TW096132385
申请日：2007-08-31
申请人：聯相光電股份有限公司 , NEXPOWER TECHNOLOGY CORP.
发明人：盧俊雄 , LU, CHUN HSIUNG , 畢建中 , BI, CHIEN CHUNG
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/0392 , H01L31/0687 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , H01L31/1836 , H01L31/1852 , H01L31/208 , Y02E10/544 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02P70/521

34. 发明专利

TW201314928A 串疊型薄膜太陽能電池結構审中-公开
简体标题：串叠型薄膜太阳能电池结构
公开(公告)号：TW201314928A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW100135203
申请日：2011-09-29
申请人：聯相光電股份有限公司 , NEXPOWER TECHNOLOGY CORP.
发明人：楊英哲 , YANG, YING JHE , 曾名輝 , TSENG, MING HUI , 畢建中 , BI, CHIEN CHUNG
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：本發明係有關於一種串疊型薄膜太陽能電池結構，包括：一基板、一第一電極層、一第一半導體層、一第一本質層、一第一穿隧復合層、一第二穿隧復合層、一第二本質層、一第二半導體層、一第二電極層，藉由於任一穿隧復合層中摻雜一微晶矽鍺（microcrystalline silicon germanium, μc-SiGe）材料，可取代現有材料，且可將因照光所產生之內部多餘累積電子電洞復合，進一步維持太陽光能轉換效率。
简体摘要：本发明系有关于一种串叠型薄膜太阳能电池结构，包括：一基板、一第一电极层、一第一半导体层、一第一本质层、一第一穿隧复合层、一第二穿隧复合层、一第二本质层、一第二半导体层、一第二电极层，借由于任一穿隧复合层中掺杂一微晶硅锗（microcrystalline silicon germanium, μc-SiGe）材料，可取代现有材料，且可将因照光所产生之内部多余累积电子电洞复合，进一步维持太阳光能转换效率。

35. 发明专利

TWI387120B 薄膜疊層太陽能電池及其製作方法有权
简体标题：薄膜叠层太阳能电池及其制作方法
公开(公告)号：TWI387120B
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：TW098104897
申请日：2009-02-17
申请人：聯相光電股份有限公司 , NEXPOWER TECHNOLOGY CORP.
发明人：畢建中 , BI, CHIEN CHUNG , 盧俊雄 , LU, CHUN HSIUNG
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/076 , H01L31/02168 , H01L31/022466 , H01L31/056 , Y02E10/52 , Y02E10/548

36. 发明专利

TW201251046A 薄膜型太陽能電池及其製作方法 THIN FILM SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：薄膜型太阳能电池及其制作方法 THIN FILM SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201251046A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW100119318
申请日：2011-06-01
申请人：聯相光電股份有限公司
发明人：楊英哲 , 曾名輝 , 畢建中 , 劉致為
IPC分类号： H01L
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：本發明係揭露一薄膜型太陽能電池,至少包括:一基材、一第一導電層、一第二導電層、一第一半導體層、一第二半導體層以及一第三半導體層、一電極層、一異質半導體層,該異質半導體層之材料選擇性地與該第一半導體層或第三半導體層之材料相異,該異質半導體層選擇性地為P型異質半導體層、N型異質半導體層或本質半導體層;該異質半導體層設於該第一半導體層及該第二半導體層之間,亦或該異質半導體層設於該第二半導體層及該第三半導體層之間;據此,本發明薄膜型太陽能電池具有暗電流小以及開路電壓大之優點。
简体摘要：本发明系揭露一薄膜型太阳能电池,至少包括:一基材、一第一导电层、一第二导电层、一第一半导体层、一第二半导体层以及一第三半导体层、一电极层、一异质半导体层,该异质半导体层之材料选择性地与该第一半导体层或第三半导体层之材料相异,该异质半导体层选择性地为P型异质半导体层、N型异质半导体层或本质半导体层;该异质半导体层设于该第一半导体层及该第二半导体层之间,亦或该异质半导体层设于该第二半导体层及该第三半导体层之间;据此,本发明薄膜型太阳能电池具有暗电流小以及开路电压大之优点。

37. 发明专利

TWI373849B 薄膜疊層太陽能電池與其製作方法 STACKED-LAYERED THIN FILM SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 有权
简体标题：薄膜叠层太阳能电池与其制作方法 STACKED-LAYERED THIN FILM SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI373849B
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW097121909
申请日：2008-06-12
申请人：聯相光電股份有限公司
发明人：盧俊雄 , 畢建中
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/046 , Y02E10/50
摘要：本發明提供一種薄膜疊層太陽能電池及其製作方法，其中薄膜疊層太陽能電池是由複數個單一區塊電性連接而成，各單一區塊包括依序堆疊形成的基板、第一電極層、第一光吸收層、介質層、第二光吸收層與第二電極層，且依序在第一電極層形成有複數個第一線槽，在第二光吸收層至第一光吸收層間形成有複數個第二線槽，在第二電極層至第一光吸收層間形成有複數個第三線槽，而第一線槽、第二線槽與第三線槽相互間具有偏位。本發明之特徵在於介質層與第二線槽的交接處形成有凹陷部，藉以阻斷電流自第一光吸收層或第二光吸收層經由第二線槽導通至介質層。
简体摘要：本发明提供一种薄膜叠层太阳能电池及其制作方法，其中薄膜叠层太阳能电池是由复数个单一区块电性连接而成，各单一区块包括依序堆栈形成的基板、第一电极层、第一光吸收层、介质层、第二光吸收层与第二电极层，且依序在第一电极层形成有复数个第一线槽，在第二光吸收层至第一光吸收层间形成有复数个第二线槽，在第二电极层至第一光吸收层间形成有复数个第三线槽，而第一线槽、第二线槽与第三线槽相互间具有偏位。本发明之特征在于介质层与第二线槽的交接处形成有凹陷部，借以阻断电流自第一光吸收层或第二光吸收层经由第二线槽导通至介质层。

38. 发明专利

TW201032345A 半穿透式太陽能電池模組與其製作方法 TRANSLUCENT SOLAR CELL MODULE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：半穿透式太阳能电池模块与其制作方法 TRANSLUCENT SOLAR CELL MODULE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201032345A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：TW098105731
申请日：2009-02-24
申请人：聯相光電股份有限公司
发明人：畢建中 , 徐瑋澤
IPC分类号： H01L
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本發明提供一種半穿透式太陽能電池模組與其製作方法,半穿透式太陽能電池模組之製作方法包含:提供一太陽能電池模組,包含依序堆疊形成的基板、前電極層、光吸收層及背電極層,在背電極層至光吸收層間形成有複數個第三線槽;藉由蝕刻膏(paste)以在太陽能模組之外側封閉週緣形成一隔離區域(edge isolation region);藉由蝕刻膏以在太陽能電池模組上形成複數個光穿透區域(light transmittance regions);以及藉由蝕刻膏以在太陽能電池模組之最外側封閉週緣形成一移除區域(edge deletion region),使得上述之隔離區域、複數個光穿透區域及移除區域之形成可同時進行。
简体摘要：本发明提供一种半穿透式太阳能电池模块与其制作方法,半穿透式太阳能电池模块之制作方法包含:提供一太阳能电池模块,包含依序堆栈形成的基板、前电极层、光吸收层及背电极层,在背电极层至光吸收层间形成有复数个第三线槽;借由蚀刻膏(paste)以在太阳能模块之外侧封闭周缘形成一隔离区域(edge isolation region);借由蚀刻膏以在太阳能电池模块上形成复数个光穿透区域(light transmittance regions);以及借由蚀刻膏以在太阳能电池模块之最外侧封闭周缘形成一移除区域(edge deletion region),使得上述之隔离区域、复数个光穿透区域及移除区域之形成可同时进行。

39. 发明专利

TW201030989A 薄膜太陽能電池模組及其修補方法 THIN FILM SOLAR CELL MODULE AND METHOD FOR REPAIRING THE SAME 审中-公开
简体标题：薄膜太阳能电池模块及其修补方法 THIN FILM SOLAR CELL MODULE AND METHOD FOR REPAIRING THE SAME
公开(公告)号：TW201030989A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098103628
申请日：2009-02-05
申请人：聯相光電股份有限公司
发明人：盧俊雄 , 畢建中
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/186 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本發明提供一種薄膜太陽能電池模組及其修補方法,薄膜太陽能電池模組之修補方法包含:進行複數個單一區塊之發電效率檢測,根據預設範圍之發電效率値以決定異常發電效率之單一區塊;進行上述之異常發電效率之單一區塊之定位檢測,以決定最適合之最外側切割線槽之位置;以及根據上述最適合之最外側切割線槽之位置施行修補方式,使得上述之異常發電效率之單一區塊與其相鄰之單一區塊之間形成電性短路之串接。
简体摘要：本发明提供一种薄膜太阳能电池模块及其修补方法,薄膜太阳能电池模块之修补方法包含:进行复数个单一区块之发电效率检测,根据默认范围之发电效率値以决定异常发电效率之单一区块;进行上述之异常发电效率之单一区块之定位检测,以决定最适合之最外侧切割线槽之位置;以及根据上述最适合之最外侧切割线槽之位置施行修补方式,使得上述之异常发电效率之单一区块与其相邻之单一区块之间形成电性短路之串接。

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