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31. 发明专利

TWI529909B 光電組件及其製造方法有权
简体标题：光电组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI529909B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW102147849
申请日：2013-12-24
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：林厚德 , LIN, HOU TE , 張超雄 , CHANG, CHAO HSIUNG , 陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN , 陳隆欣 , CHEN, LUNG HSIN
IPC分类号： H01L25/13 , H01L33/60
CPC分类号： H01L25/167 , H01L23/60 , H01L25/165 , H01L29/866 , H01L33/483 , H01L33/52 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2933/0033 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L2924/00014

32. 发明专利

TW201601345A 發光二極體封裝體的製造方法审中-公开
简体标题：发光二极管封装体的制造方法
公开(公告)号：TW201601345A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW103121519
申请日：2014-06-23
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：林厚德 , LIN, HOU TE , 張超雄 , CHANG, CHAO HSIUNG , 陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN , 陳隆欣 , CHEN, LUNG HSIN
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/52
摘要：一種發光二極體封裝體的製造方法，包括以下步驟：提供載板，所述載板包括承載部及自承載部一側表面間隔凸伸的多個阻擋部，相鄰的阻擋部之間形成有容置槽；提供發光二極體晶粒，並將發光二極體晶粒分別設置在容置槽中並位於承載部的頂面，所述容置槽的深度遠大于所述發光二極體晶粒的高度；提供裝有螢光膠的點膠機，使所述點膠機朝向容置槽噴塗螢光膠，直至螢光膠完全包裹發光二極體晶粒的外表面而形成螢光層；剝離位於載體上的發光二極體晶粒。
简体摘要：一种发光二极管封装体的制造方法，包括以下步骤：提供载板，所述载板包括承载部及自承载部一侧表面间隔凸伸的多个阻挡部，相邻的阻挡部之间形成有容置槽；提供发光二极管晶粒，并将发光二极管晶粒分别设置在容置槽中并位于承载部的顶面，所述容置槽的深度远大于所述发光二极管晶粒的高度；提供装有萤光胶的点胶机，使所述点胶机朝向容置槽喷涂萤光胶，直至萤光胶完全包裹发光二极管晶粒的外表面而形成萤光层；剥离位于载体上的发光二极管晶粒。

33. 发明专利

TWI513058B 發光二極體製造方法有权
简体标题：发光二极管制造方法
公开(公告)号：TWI513058B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW101149503
申请日：2012-12-24
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN , 陳隆欣 , CHEN, LUNG HSIN
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/50 , H01L33/60 , H01L2224/16225 , H01L2224/97 , H01L2933/0041 , H01L2933/005

34. 发明专利

TWI509834B 發光二極體封裝結構及其製造方法失效
简体标题：发光二极管封装结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI509834B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW102112273
申请日：2013-04-08
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：林厚德 , LIN, HOU TE , 陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN , 陳隆欣 , CHEN, LUNG HSIN
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/60 , H01L24/97 , H01L33/62 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

35. 发明专利

TWI501429B 螢光粉薄膜製作方法及相應的發光二極體封裝方法有权
简体标题：萤光粉薄膜制作方法及相应的发光二极管封装方法
公开(公告)号：TWI501429B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW101105530
申请日：2012-02-20
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳隆欣 , CHEN, LUNG HSIN , 曾文良 , TSENG, WEN LIANG , 陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： C09K11/02 , C09K11/08 , H01L33/50 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

36. 发明专利

TW201528552A 發光二極體封裝元件及其製造方法审中-公开
简体标题：发光二极管封装组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201528552A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW102145990
申请日：2013-12-12
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：張耀祖 , JANG, YAU TZU , 陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN , 陳隆欣 , CHEN, LUNG HSIN , 曾文良 , TSENG, WEN LIANG , 黃郁良 , HUANG, YU LIANG
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/56 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2933/0066 , H01L2924/00014
摘要：一種發光二極體封裝元件，其包括相互間隔的兩電極、夾設於該兩電極之間的絕緣層、設置在兩電極上的發光二極體晶片、及覆蓋該發光二極體晶片的封裝層，每一電極包括一導電片及與該導電片連接的至少一連接條，該連接條的厚度小於所述導電片的厚度，該連接條的上表面與該導電片的上表面齊平，還包括一包覆層包覆該連接條，該連接條的上表面與封裝層之間夾設部分包覆層。
简体摘要：一种发光二极管封装组件，其包括相互间隔的两电极、夹设于该两电极之间的绝缘层、设置在两电极上的发光二极管芯片、及覆盖该发光二极管芯片的封装层，每一电极包括一导电片及与该导电片连接的至少一连接条，该连接条的厚度小于所述导电片的厚度，该连接条的上表面与该导电片的上表面齐平，还包括一包覆层包覆该连接条，该连接条的上表面与封装层之间夹设部分包覆层。

37. 发明专利

TW201526305A 光電組件模組审中-公开
简体标题：光电组件模块
公开(公告)号：TW201526305A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW102149246
申请日：2013-12-31
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：林厚德 , LIN, HOU TE , 張超雄 , CHANG, CHAO HSIUNG , 陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN , 陳隆欣 , CHEN, LUNG HSIN
IPC分类号： H01L33/54 , H01L25/16
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L25/167 , H01L33/486 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
摘要：一種光電組件模組，包括第一電極和第二電極，所述第一電極與第二電極絕緣設置；一發光二極體和一穩壓二極體反向並聯於所述第一電極和第二電極。在第一電極的邊緣設有第一凹槽，在第二電極的邊緣設有第二凹槽，所述第一凹槽和第二凹槽相對設置並與第一電極和第二電極之間的空隙連通，所述穩壓二極體設置於第一凹槽或第二凹槽的底部，所述第一凹槽和第二凹槽的深度大於等於穩壓二極體的高度。
简体摘要：一种光电组件模块，包括第一电极和第二电极，所述第一电极与第二电极绝缘设置；一发光二极管和一稳压二极管反向并联于所述第一电极和第二电极。在第一电极的边缘设有第一凹槽，在第二电极的边缘设有第二凹槽，所述第一凹槽和第二凹槽相对设置并与第一电极和第二电极之间的空隙连通，所述稳压二极管设置于第一凹槽或第二凹槽的底部，所述第一凹槽和第二凹槽的深度大于等于稳压二极管的高度。

38. 发明专利

TW201526294A 發光二極體封裝方法审中-公开
简体标题：发光二极管封装方法
公开(公告)号：TW201526294A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103102543
申请日：2014-01-23
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：張書修 , CHANG, SHU HSIU , 陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN , 陳隆欣 , CHEN, LUNG HSIN , 曾文良 , TSENG, WEN LIANG
IPC分类号： H01L33/48
摘要：一種發光二極體封裝方法，包括：提供一第一薄膜層，在第一薄膜層上設置多個發光二極體晶粒；形成一封裝層在第一薄膜層上並使封裝層覆蓋所述多個發光二極體晶粒；切割每兩相鄰的發光二極體晶粒間的封裝層以形成切割道，每兩相鄰的切割道間形成一發光二極體單元；提供一具有黏性的第二薄膜層，將各發光二極體單元轉移至第二薄膜層上；在第二薄膜層上形成多個相連的光學透鏡，每個光學透鏡對應並包覆一個發光二極體單元；移除第二薄膜層；切割所述多個相連的光學透鏡，以獲得多個發光二極體封裝體。
简体摘要：一种发光二极管封装方法，包括：提供一第一薄膜层，在第一薄膜层上设置多个发光二极管晶粒；形成一封装层在第一薄膜层上并使封装层覆盖所述多个发光二极管晶粒；切割每两相邻的发光二极管晶粒间的封装层以形成切割道，每两相邻的切割道间形成一发光二极管单元；提供一具有黏性的第二薄膜层，将各发光二极管单元转移至第二薄膜层上；在第二薄膜层上形成多个相连的光学透镜，每个光学透镜对应并包覆一个发光二极管单元；移除第二薄膜层；切割所述多个相连的光学透镜，以获得多个发光二极管封装体。

39. 发明专利

TWI487153B 發光二極體有权
简体标题：发光二极管
公开(公告)号：TWI487153B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW101146520
申请日：2012-12-11
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：陳隆欣 , CHEN, LUNG HSIN , 陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN , 曾文良 , TSENG, WEN LIANG
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/06 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L33/486 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/12035 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

40. 发明专利

TW201519482A 模具及使用該模具製造發光二極體的方法审中-公开
简体标题：模具及使用该模具制造发光二极管的方法
公开(公告)号：TW201519482A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW102135437
申请日：2013-09-30
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：林厚德 , LIN, HOU TE , 陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN , 陳隆欣 , CHEN, LUNG HSIN
IPC分类号： H01L33/60 , H01L33/62
摘要：一種模具，用於製造發光二極體，其包括一下模以及一與該下模配合的上模，所述上模具有第一配合部、第二配合部以及分別位於所述第一配合部及第二配合部相對兩側的第一轉軸及第二轉軸，所述第一配合部及第二配合部可繞所述第一轉軸及第二轉軸順時針或逆時針旋轉，從而使得所述上模的第一配合部與第二配合部交替地與所述下模配合。本發明還涉及一種採用該模具製造發光二極體的方法。
简体摘要：一种模具，用于制造发光二极管，其包括一下模以及一与该下模配合的上模，所述上模具有第一配合部、第二配合部以及分别位于所述第一配合部及第二配合部相对两侧的第一转轴及第二转轴，所述第一配合部及第二配合部可绕所述第一转轴及第二转轴顺时针或逆时针旋转，从而使得所述上模的第一配合部与第二配合部交替地与所述下模配合。本发明还涉及一种采用该模具制造发光二极管的方法。

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