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31. 发明专利

TW200810837A 基板處理裝置及基板處理方法失效
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW200810837A
公开(公告)日：2008-03-01
申请号：TW096117429
申请日：2007-05-16
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：鹽原英志 SHIOBARA, EISHI , 加藤寬和 KATO, HIROKAZU , 三吉靖郎 MIYOSHI, SEIRO , 伊藤信一 ITO, SHINICHI
IPC分类号： B05C , G03F
CPC分类号： H01L21/67253 , H01L21/67051 , H01L21/6715
摘要：本發明係可抑制起因於在最終過濾器二次側產生之粒子或在噴嘴前端產生之粒子等之塗佈缺陷。本發明之基板處理裝置具備:載置被處理基板10之試料台11;用於對基板10供給藥液之第1線路;用於供給藥液清洗的清洗液之第2線路;與第1線路和第2線路相連接,選擇任何一方而引導至基板側之三向閥26;設於第1線路之三向閥26之上游側,除去藥液中之異物之過濾器24;及設於三向閥26之下游側,噴出由該三向閥26所選擇之藥液或清洗液之噴嘴28;在基板10上塗佈藥液之情形,係藉由三向閥26選擇第1線路,在其以外之情形,係藉由三向閥26選擇第2線路。
简体摘要：本发明系可抑制起因于在最终过滤器二次侧产生之粒子或在喷嘴前端产生之粒子等之涂布缺陷。本发明之基板处理设备具备:载置被处理基板10之试料台11;用于对基板10供给药液之第1线路;用于供给药液清洗的清洗液之第2线路;与第1线路和第2线路相连接,选择任何一方而引导至基板侧之三向阀26;设于第1线路之三向阀26之上游侧,除去药液中之异物之过滤器24;及设于三向阀26之下游侧,喷出由该三向阀26所选择之药液或清洗液之喷嘴28;在基板10上涂布药液之情形,系借由三向阀26选择第1线路,在其以外之情形,系借由三向阀26选择第2线路。

32. 发明专利

TW200731331A 圖案形成方法及半導體裝置之製造方法失效
简体标题：图案形成方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW200731331A
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：TW095114890
申请日：2006-04-26
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：伊藤信一 ITO, SHINICHI , 松永健太郎 MATSUNAGA, KENTARO , 河村大輔 KAWAMURA, DAISUKE , 大西廉伸 ONISHI, YASUNOBU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/2041 , G03F7/11 , Y10S430/162
摘要：本發明係關於一種圖案形成方法,其係包含:於被加工膜上形成感光性樹脂膜;在上述感光性樹脂膜上以塗佈法形成保護上述感光性樹脂膜用的保護膜;介由浸潤液選擇性地對上述感光性樹脂膜之一部分區域浸潤式曝光,上述浸潤液係供給至上述感光性樹脂膜上;在形成上述保護膜後、且於含上述感光性樹脂膜的一部分區域選擇性地浸潤式曝光前,自上述保護膜去除對上述浸潤液具親和性部位之殘留物質;去除上述保護膜;以及選擇性地去除上述感光性樹脂膜的曝光區域或非曝光區域,藉此形成含上述感光性樹脂膜之圖案。
简体摘要：本发明系关于一种图案形成方法,其系包含:于被加工膜上形成感光性树脂膜;在上述感光性树脂膜上以涂布法形成保护上述感光性树脂膜用的保护膜;介由浸润液选择性地对上述感光性树脂膜之一部分区域浸润式曝光,上述浸润液系供给至上述感光性树脂膜上;在形成上述保护膜后、且于含上述感光性树脂膜的一部分区域选择性地浸润式曝光前,自上述保护膜去除对上述浸润液具亲和性部位之残留物质;去除上述保护膜;以及选择性地去除上述感光性树脂膜的曝光区域或非曝光区域,借此形成含上述感光性树脂膜之图案。

33. 发明专利

TW200727335A 光阻圖案形成方法及半導體裝置之製造方法失效
简体标题：光阻图案形成方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW200727335A
公开(公告)日：2007-07-16
申请号：TW095105127
申请日：2006-02-15
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：河村大輔 KAWAMURA, DAISUKE , 柴田剛 SHIBATA, TSUYOSHI , 伊藤信一 ITO, SHINICHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/2022 , G03F7/2028 , G03F7/70341 , G03F7/7045
摘要：本發明之光阻圖案形成方法包含如下步驟:在基板上形成光阻膜;對基板外緣部之特定區域的光阻膜,以足以在其後之顯影中使上述光阻膜溶解的曝光量來照射光,藉此在外緣部之光阻膜中形成潛像;洗淨在外緣部被照射光之光阻膜;對被洗淨之光阻膜的希望曝光區域,以在曝光區域與在曝光裝置之投影光學系統的最靠上述基板側之構成元件的上述基板側之面之間存在折射率比空氣大之液體的狀態,經由投影光學系統來照射希望圖案之光;及使光阻膜之曝光區域顯影。
简体摘要：本发明之光阻图案形成方法包含如下步骤:在基板上形成光阻膜;对基板外缘部之特定区域的光阻膜,以足以在其后之显影中使上述光阻膜溶解的曝光量来照射光,借此在外缘部之光阻膜中形成潜像;洗净在外缘部被照射光之光阻膜;对被洗净之光阻膜的希望曝光区域,以在曝光区域与在曝光设备之投影光学系统的最靠上述基板侧之构成组件的上述基板侧之面之间存在折射率比空气大之液体的状态,经由投影光学系统来照射希望图案之光;及使光阻膜之曝光区域显影。

34. 发明专利

TW200701300A 抗蝕圖案形成方法及半導體裝置之製造方法失效
简体标题：抗蚀图案形成方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW200701300A
公开(公告)日：2007-01-01
申请号：TW094143749
申请日：2005-12-09
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：鹽原英志 SHIOBARA, EISHI , 河村大輔 KAWAMURA, DAISUKE , 大西廉伸 ONISHI, YASUNOBU , 伊藤信一 ITO, SHINICHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/2041
摘要：本發明之一態樣之抗蝕圖案形成方法係利用液浸曝光而形成抗蝕圖案者,其於被處理基板上形成光阻膜,且上述光阻膜與浸液溶液之接觸角為第1角度,於上述光阻膜上形成第1保護膜,且上述第1保護膜與上述浸液溶液之接觸角為大於上述第1角度之第2角度,於上述第1保護膜上形成第2保護膜,且上述第2保護膜與上述浸液溶液的接觸角為小於上述第2角度之第3角度,並且利用液浸曝光而於上述光阻膜上形成潛像。
简体摘要：本发明之一态样之抗蚀图案形成方法系利用液浸曝光而形成抗蚀图案者,其于被处理基板上形成光阻膜,且上述光阻膜与浸液溶液之接触角为第1角度,于上述光阻膜上形成第1保护膜,且上述第1保护膜与上述浸液溶液之接触角为大于上述第1角度之第2角度,于上述第1保护膜上形成第2保护膜,且上述第2保护膜与上述浸液溶液的接触角为小于上述第2角度之第3角度,并且利用液浸曝光而于上述光阻膜上形成潜像。

35. 发明专利

TW200632566A 曝光方法及曝光裝置失效
简体标题：曝光方法及曝光设备
公开(公告)号：TW200632566A
公开(公告)日：2006-09-16
申请号：TW094132861
申请日：2005-09-22
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：福原和也 FUKUHARA, KAZUYA , 伊藤信一 ITO, SHINICHI
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/70341 , G03B27/42 , G03F7/70358
摘要：本發明係揭示一種曝光方法，其包含：將具有排列於行方向之第1及第2曝光場的光阻膜形成於基板上，為將設計圖案轉印至上述第1及第2曝光場而將上述基板搭載於掃描型曝光裝置，使用光路介質膜形成部形成光路介質膜，一面使上述基板於與行方向平行之方向上移動，一面使以光學圖案影像生成部產生之光學圖案影像變化，將設計圖案轉印至第1或第2曝光場；且不改變上述基板之移動方向及上述光路介質膜之流動方向而連續地進行向第1及第2曝光場轉印設計圖案者。
简体摘要：本发明系揭示一种曝光方法，其包含：将具有排列于行方向之第1及第2曝光场的光阻膜形成于基板上，为将设计图案转印至上述第1及第2曝光场而将上述基板搭载于扫描型曝光设备，使用光路介质膜形成部形成光路介质膜，一面使上述基板于与行方向平行之方向上移动，一面使以光学图案影像生成部产生之光学图案影像变化，将设计图案转印至第1或第2曝光场；且不改变上述基板之移动方向及上述光路介质膜之流动方向而连续地进行向第1及第2曝光场转印设计图案者。

36. 发明专利

TWI261294B 膜形成方法及基板處理裝置失效
简体标题：膜形成方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI261294B
公开(公告)日：2006-09-01
申请号：TW093139395
申请日：2004-12-17
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：加藤寬和 KATO, HIROKAZU , 竹石知之 TAKEISHI, TOMOYUKI , 伊藤信一 ITO, SHINICHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02282 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/168 , H01L21/0274 , H01L21/312
摘要：本發明之目的在於抑制多層抗蝕劑製程中之上層抗蝕劑膜的傾倒。
一種成膜方法，其包含：供給含有塗佈型薄膜形成物質以及溶劑之液體至被處理基板主面上而形成液狀之塗佈膜的步驟，以及對於上述塗佈膜實行上述溶劑之去除以及用以使於上述塗佈型薄膜形成物質中產生非可逆性反應之加熱處理，而形成固形薄膜的步驟，於該方法中，將自上述塗佈膜之膜厚變動大致穩定至開始上述加熱處理為止的待機時間以及於上述塗佈膜表面附近之每單位體積之水份量之乘積設定為特定值以上。
简体摘要：本发明之目的在于抑制多层抗蚀剂制程中之上层抗蚀剂膜的倾倒。一种成膜方法，其包含：供给含有涂布型薄膜形成物质以及溶剂之液体至被处理基板主面上而形成液状之涂布膜的步骤，以及对于上述涂布膜实行上述溶剂之去除以及用以使于上述涂布型薄膜形成物质中产生非可逆性反应之加热处理，而形成固形薄膜的步骤，于该方法中，将自上述涂布膜之膜厚变动大致稳定至开始上述加热处理为止的待机时间以及于上述涂布膜表面附近之每单位体积之水份量之乘积设置为特定值以上。

37. 发明专利

TW200616101A 半導體裝置之製造方法失效
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW200616101A
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：TW094123053
申请日：2005-07-07
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：大西廉伸 ONISHI, YASUNOBU , 千葉謙治 CHIBA, KENJI , 河村大輔 KAWAMURA, DAISUKE , 伊藤信一 ITO, SHINICHI , 庄浩太郎 SHO, KOUTARO , 竹石知之 TAKEISHI, TOMOYUKI
IPC分类号： H01L , G03F
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/70341
摘要：本發明係一種半導體裝置之製造方法，其包含有以下步驟：於基板上形成光阻膜；於前述光阻膜上形成保護膜；於使第1液體介於前述保護膜與曝光用透鏡之間的狀態下，使前述光阻膜曝光；於使前述光阻膜曝光後，以氧化性的第2液體去除前述保護膜；及於去除前述保護膜後，使前述光阻膜顯影以形成光阻圖案。
简体摘要：本发明系一种半导体设备之制造方法，其包含有以下步骤：于基板上形成光阻膜；于前述光阻膜上形成保护膜；于使第1液体介于前述保护膜与曝光用透镜之间的状态下，使前述光阻膜曝光；于使前述光阻膜曝光后，以氧化性的第2液体去除前述保护膜；及于去除前述保护膜后，使前述光阻膜显影以形成光阻图案。

38. 发明专利

TW200605154A 藥液的評估方法、藥液的認定方法及半導體裝置的製造方法失效
简体标题：药液的评估方法、药液的认定方法及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW200605154A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：TW094111859
申请日：2005-04-14
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：伊藤信一 ITO, SHINICHI , 鹽原英志 SHIOBARA, EISHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01N15/02 , G01N2015/0053 , Y10T436/25 , Y10T436/2575
摘要：本發明之藥液之評估方法，其包含：就液體中之粒子，藉由測定求得針對上述粒子各種大小之粒子數；根據藉由上述測定求得之上述粒子之各種大小之粒子數，藉由函數表現上述液體中之粒子大小與對應於上述大小之粒子數之關係；及根據上述函數，評估上述液體中之粒子中測定界限以下大小之粒子之影響。
简体摘要：本发明之药液之评估方法，其包含：就液体中之粒子，借由测定求得针对上述粒子各种大小之粒子数；根据借由上述测定求得之上述粒子之各种大小之粒子数，借由函数表现上述液体中之粒子大小与对应于上述大小之粒子数之关系；及根据上述函数，评估上述液体中之粒子中测定界限以下大小之粒子之影响。

39. 发明专利

TW200534329A 膜形成方法及基板處理裝置失效
简体标题：膜形成方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW200534329A
公开(公告)日：2005-10-16
申请号：TW093139395
申请日：2004-12-17
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：加藤寬和 KATO, HIROKAZU , 竹石知之 TAKEISHI, TOMOYUKI , 伊藤信一 ITO, SHINICHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02282 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/168 , H01L21/0274 , H01L21/312
摘要：本發明之目的在於抑制多層抗蝕劑製程中之上層抗蝕劑膜的傾倒。一種成膜方法，其包含：供給含有塗佈型薄膜形成物質以及溶劑之液體至被處理基板主面上而形成液狀之塗佈膜的步驟，以及對於上述塗佈膜實行上述溶劑之去除以及用以使於上述塗佈型薄膜形成物質中產生非可逆性反應之加熱處理，而形成固形薄膜的步驟，於該方法中，將自上述塗佈膜之膜厚變動大致穩定至開始上述加熱處理為止的待機時間以及於上述塗佈膜表面附近之每單位體積之水份量之乘積設定為特定值以上。
简体摘要：本发明之目的在于抑制多层抗蚀剂制程中之上层抗蚀剂膜的倾倒。一种成膜方法，其包含：供给含有涂布型薄膜形成物质以及溶剂之液体至被处理基板主面上而形成液状之涂布膜的步骤，以及对于上述涂布膜实行上述溶剂之去除以及用以使于上述涂布型薄膜形成物质中产生非可逆性反应之加热处理，而形成固形薄膜的步骤，于该方法中，将自上述涂布膜之膜厚变动大致稳定至开始上述加热处理为止的待机时间以及于上述涂布膜表面附近之每单位体积之水份量之乘积设置为特定值以上。

40. 发明专利

TWI238465B 圖案形成方法及基板處理裝置失效
简体标题：图案形成方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI238465B
公开(公告)日：2005-08-21
申请号：TW092120136
申请日：2003-07-23
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：早崎圭 HAYASAKI, KEI , 伊藤信一 ITO, SHINICHI , 竹石知之 TAKEISHI, TOMOYUKI , 川野健二 KAWANO, KENJI , 江間達彥
IPC分类号： H01L , G03F
CPC分类号： G03F7/40
摘要：本發明之圖案形成方法，其特徵為包括：於基板上形成感光性樹脂膜之步驟；使上述感光性樹脂膜曝光之步驟；將顯影液供給上述感光性樹脂膜，形成上述感光性樹脂膜之圖案之步驟；及藉由使活化之水接觸上述圖案，進行去除上述圖案表層之細微化處理之步驟。
简体摘要：本发明之图案形成方法，其特征为包括：于基板上形成感光性树脂膜之步骤；使上述感光性树脂膜曝光之步骤；将显影液供给上述感光性树脂膜，形成上述感光性树脂膜之图案之步骤；及借由使活化之水接触上述图案，进行去除上述图案表层之细微化处理之步骤。

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