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31. 发明专利

TW201243078A 具有受保護的背板之ＰＶＤ濺射靶 PVD SPUTTERING TARGET WITH A PROTECTED BACKING PLATE 审中-公开
简体标题：具有受保护的背板之ＰＶＤ溅射靶 PVD SPUTTERING TARGET WITH A PROTECTED BACKING PLATE
公开(公告)号：TW201243078A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW101103567
申请日：2012-02-03
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：拉許德幕哈瑪德M , 汪榮軍
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3407 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C19/03 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01J37/3435
摘要：本發明之實施例提供用於物理氣相沉積(physical vapor deposition；PVD)中之濺射靶及形成此種濺射靶之方法。在一實施例中，濺射靶包含配置在背板上的靶層，及覆蓋和保護該背板之一區域的保護塗層，該保護塗層通常包含鎳材料，背板之該區域若無該保護塗層則將於PVD製程期間曝露於電漿下。於多個實例中，該靶層包含鎳-鉑合金，該背板包含銅合金(例如，銅-鋅)，且該保護塗層包含金屬鎳。該保護塗層消除通常因電漿腐蝕該背板之曝露表面內所含的銅合金而衍生的高導電性銅污染物的形成。因此，於PVD製程期間，基板和PVD腔室之內部表面不殘留此等銅污染物。
简体摘要：本发明之实施例提供用于物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)中之溅射靶及形成此种溅射靶之方法。在一实施例中，溅射靶包含配置在背板上的靶层，及覆盖和保护该背板之一区域的保护涂层，该保护涂层通常包含镍材料，背板之该区域若无该保护涂层则将于PVD制程期间曝露于等离子下。于多个实例中，该靶层包含镍-铂合金，该背板包含铜合金(例如，铜-锌)，且该保护涂层包含金属镍。该保护涂层消除通常因等离子腐蚀该背板之曝露表面内所含的铜合金而衍生的高导电性铜污染物的形成。因此，于PVD制程期间，基板和PVD腔室之内部表面不残留此等铜污染物。

32. 发明专利

TW201239944A 用於ＲＦ　ＰＶＤ腔室且能均勻調整之ＥＳＣ接地套件 UNIFORMITY TUNING CAPABLE ESC GROUNDING KIT FOR RF PVD CHAMBER 审中-公开
简体标题：用于ＲＦ　ＰＶＤ腔室且能均匀调整之ＥＳＣ接地套件 UNIFORMITY TUNING CAPABLE ESC GROUNDING KIT FOR RF PVD CHAMBER
公开(公告)号：TW201239944A
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW101104101
申请日：2012-02-08
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：拉許德幕哈瑪德M , 汪榮軍 , 尼古言善X , 利奇艾倫A
IPC分类号： H01J , C23C
CPC分类号： H01J37/34 , H01J37/32082 , H01J37/3441
摘要：本發明的實施例大體上關於用於半導體處理腔室的接地套件及具有接地套件的半導體處理腔室。更詳言之,此述的實施例關於建立不對稱接地路徑的接地套件,該不對稱接地路徑經選擇以顯著地減少由偏離中心的RF功率遞送所引發的不對稱性。
简体摘要：本发明的实施例大体上关于用于半导体处理腔室的接地套件及具有接地套件的半导体处理腔室。更详言之,此述的实施例关于创建不对称接地路径的接地套件,该不对称接地路径经选择以显着地减少由偏离中心的RF功率递送所引发的不对称性。

33. 发明专利

TW201107515A 用於ＲＦ物理氣相沉積之製程套件 PROCESS KIT FOR RF PHYSICAL VAPOR DEPOSITION 审中-公开
简体标题：用于ＲＦ物理气相沉积之制程套件 PROCESS KIT FOR RF PHYSICAL VAPOR DEPOSITION
公开(公告)号：TW201107515A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099126787
申请日：2010-08-11
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：華瑞恰克拉拉 , 沙芬戴亞基倫古莫 , 拉希德莫哈曼德M , 汪榮軍 , 艾倫阿道夫米勒 , 謝資甘
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L21/67017 , C23C14/34 , C23C14/564 , H01J37/3408 , H01J37/3447
摘要：本發明之具體實施例一般關於一種供半導體處理室所用之製程套件，以及具有製程套件的半導體處理室。詳言之，本文所描述之具體實施例關於一種製程套件，其包括使用於物理沉積室中的覆蓋環、屏蔽罩以及隔離件。製程套件的組件可單獨也可結合工作，以顯著減少顆粒產生及偏離電漿。相較於現存的多部件屏蔽罩，其提供延伸的RF返回路徑促使RF諧波造成製程腔外側的偏離電漿，本發明之製程套件的組件減少了RF返回路徑，因而提供改良的電漿於內部處理區域中。
简体摘要：本发明之具体实施例一般关于一种供半导体处理室所用之制程套件，以及具有制程套件的半导体处理室。详言之，本文所描述之具体实施例关于一种制程套件，其包括使用于物理沉积室中的覆盖环、屏蔽罩以及隔离件。制程套件的组件可单独也可结合工作，以显着减少颗粒产生及偏离等离子。相较于现存的多部件屏蔽罩，其提供延伸的RF返回路径促使RF谐波造成制程腔外侧的偏离等离子，本发明之制程套件的组件减少了RF返回路径，因而提供改良的等离子于内部处理区域中。

34. 发明专利

TW201104004A 高壓ＲＦ－ＤＣ濺射及改善此製程之膜均勻性與階梯覆蓋率的方法 HIGH PRESSURE RF-DC SPUTTERING AND METHODS TO IMPROVE FILM UNIFORMITY AND STEP-COVERAGE OF THIS PROCESS 审中-公开
简体标题：高压ＲＦ－ＤＣ溅射及改善此制程之膜均匀性与阶梯覆盖率的方法 HIGH PRESSURE RF-DC SPUTTERING AND METHODS TO IMPROVE FILM UNIFORMITY AND STEP-COVERAGE OF THIS PROCESS
公开(公告)号：TW201104004A
公开(公告)日：2011-02-01
申请号：TW099110606
申请日：2010-04-06
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：艾倫阿道夫米勒 , 華瑞恰克拉拉 , 謝資甘 , 拉希德莫哈曼德M , 汪榮軍 , 唐先敏 , 劉荏東 , 龔則敬 , 干德可塔史林尼維斯 , 張鎂 , 卡克斯麥克S , 楊唐尼 , 沙芬戴亞基倫古莫 , 葛正彬
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/564 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/35 , C23C14/548 , H01J37/32642 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J37/3455
摘要：本發明之實施例大體上提出用以進行物理氣相沉積(PVD)製程的處理腔室和沉積多重成分膜的方法。處理腔室包括：改良式RF進料構造，用以減少任何駐波效應；改良式電磁管設計，用以加強RF電漿均勻性、沉積膜組成和厚度均勻性；改良式基材偏壓構造，用以改善製程控制；以及改良式製程套組設計，用以改善基材臨界表面附近的RF場均勻性。方法包括利用耦接多重成分靶材的射頻(RF)供應器，在腔室的處理區中形成電漿、相對多重成分靶材平移電磁管，其中當平移電磁管且電漿形成時，電磁管相對多重成分靶材的中心點位於第一位置、以及沉積多重成分膜至腔室內的基材上。
简体摘要：本发明之实施例大体上提出用以进行物理气相沉积(PVD)制程的处理腔室和沉积多重成分膜的方法。处理腔室包括：改良式RF进料构造，用以减少任何驻波效应；改良式电磁管设计，用以加强RF等离子均匀性、沉积膜组成和厚度均匀性；改良式基材偏压构造，用以改善制程控制；以及改良式制程套组设计，用以改善基材临界表面附近的RF场均匀性。方法包括利用耦接多重成分靶材的射频(RF)供应器，在腔室的处理区中形成等离子、相对多重成分靶材平移电磁管，其中当平移电磁管且等离子形成时，电磁管相对多重成分靶材的中心点位于第一位置、以及沉积多重成分膜至腔室内的基材上。

35. 发明专利

TW201022464A 介電射頻濺射靶材上的侵蝕輪廓控制 CONTROL OF EROSION PROFILE ON A DIELECTRIC RF SPUTTER TARGET 有权
简体标题：介电射频溅射靶材上的侵蚀轮廓控制 CONTROL OF EROSION PROFILE ON A DIELECTRIC RF SPUTTER TARGET
公开(公告)号：TW201022464A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：TW098134651
申请日：2009-10-13
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：福斯特約翰C , 霍夫曼丹尼爾J , 皮皮頓約翰A , 唐先敏 , 汪榮軍
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3407 , H01J37/32082 , H01J37/3408 , H01J37/347 , Y10T156/10
摘要：本發明一般包括可用於射頻濺射處理之濺射靶組件。濺射靶組件可包括背板以及濺射靶。背板可塑形成具有一或多個從背板朝濺射靶延伸之鰭件。濺射靶可接合至背板的鰭件。濺射處理期間使用的射頻電流將可施加至於一或多個鰭件位置的濺射靶。鰭件可於對應於配置在背板後之磁電管所製造的磁場之位置從背板延伸。藉由控制射頻電流耦合至對準磁場之濺射靶的位置，可控制濺射靶的腐蝕。
简体摘要：本发明一般包括可用于射频溅射处理之溅射靶组件。溅射靶组件可包括背板以及溅射靶。背板可塑形成具有一或多个从背板朝溅射靶延伸之鳍件。溅射靶可接合至背板的鳍件。溅射处理期间使用的射频电流将可施加至于一或多个鳍件位置的溅射靶。鳍件可于对应于配置在背板后之磁电管所制造的磁场之位置从背板延伸。借由控制射频电流耦合至对准磁场之溅射靶的位置，可控制溅射靶的腐蚀。

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