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31. 发明专利

TW200611873A 具有非標準輪廓之微電機系統(MEMS)裝置 MEMS DEVICE WITH NON-STANDARD PROFILE 审中-公开
简体标题：具有非标准轮廓之微电机系统(MEMS)设备 MEMS DEVICE WITH NON-STANDARD PROFILE
公开(公告)号：TW200611873A
公开(公告)日：2006-04-16
申请号：TW094121071
申请日：2005-06-24
申请人：亞德諾公司 ANALOG DEVICES, INC.
发明人：馬約翰 MARTIN, JOHN R. , 勞倫斯 FELTON, LAWRENCE E.
IPC分类号： B81B
CPC分类号： B81C1/00896
摘要：一種製造MEMS裝置的方法，形成結構於非標準裝置晶圓上。為了該目的，該方法提供知名的非標準裝置晶圓，其係具有一晶圓外徑與一非標準厚度。如那些熟諳該技藝者所已知的，標準裝置晶圓在其外徑等於晶圓外徑時具有一標準厚度。然而，在所示的實施例中，非標準厚度會小於標準厚度。然後，該方法在非標準裝置晶圓上形成結構。
简体摘要：一种制造MEMS设备的方法，形成结构于非标准设备晶圆上。为了该目的，该方法提供知名的非标准设备晶圆，其系具有一晶圆外径与一非标准厚度。如那些熟谙该技艺者所已知的，标准设备晶圆在其外径等于晶圆外径时具有一标准厚度。然而，在所示的实施例中，非标准厚度会小于标准厚度。然后，该方法在非标准设备晶圆上形成结构。

32. 发明专利

TW200602640A 連續感測器自測試方法 METHOD FOR CONTINUOUS SENSOR SELF-TEST 审中-公开
简体标题：连续传感器自测试方法 METHOD FOR CONTINUOUS SENSOR SELF-TEST
公开(公告)号：TW200602640A
公开(公告)日：2006-01-16
申请号：TW094102963
申请日：2005-02-01
申请人：亞德諾公司 ANALOG DEVICES, INC.
发明人：威哈飛 WEINBERG, HARVEY , 秦約翰 GEEN, JOHN A.
IPC分类号： G01P
CPC分类号： G01D3/08 , G01D18/002 , G01D21/00
摘要：本發明揭示一種感測器自測試方法及裝置。該方法包含以異於預期感測參數信號頻率之頻率產生感測器輸出之信號刺激感測器。濾波感測器輸出以移除刺激輸入之效應，產生感測參數信號。比較未濾波之感測器輸出與具刺激輸入之預期感測器輸出。藉由該比較可偵測初故障感測器並接著採行適當措施。
简体摘要：本发明揭示一种传感器自测试方法及设备。该方法包含以异于预期传感参数信号频率之频率产生传感器输出之信号刺激传感器。滤波传感器输出以移除刺激输入之效应，产生传感参数信号。比较未滤波之传感器输出与具刺激输入之预期传感器输出。借由该比较可侦测初故障传感器并接着采行适当措施。

33. 发明专利

TWI431795B 內嵌式鍺二極體有权
简体标题：内嵌式锗二极管
公开(公告)号：TWI431795B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW098123005
申请日：2009-07-08
申请人：亞德諾公司 , ANALOG DEVICES, INC.
发明人：亞沙提斯約翰 , YASAITIS, JOHN A. , 洛威爾羅倫斯 , LOWELL, LAWRENCE JAY
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/10
CPC分类号： H01L31/18 , H01L27/1443 , H01L31/074

34. 发明专利

TWI389283B 具有絕緣墊片以減少元件間漏電之封裝微晶片有权
简体标题：具有绝缘垫片以减少组件间漏电之封装微芯片
公开(公告)号：TWI389283B
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：TW097140282
申请日：2008-10-21
申请人：亞德諾公司 , ANALOG DEVICES, INC.
发明人：帕卡里汪干安捷羅 , PAGKALIWANGAN, ANGELO , 葛瑞芬蓋瑞 , GRIFFIN, GARRY
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/49575 , H01L23/49506 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/32013 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

35. 发明专利

TWI374114B 在微機電系統晶圓形成上蓋層之方法 METHOD FOR CAPPING A MEMS WAFER 有权
简体标题：在微机电系统晶圆形成上盖层之方法 METHOD FOR CAPPING A MEMS WAFER
公开(公告)号：TWI374114B
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：TW098117575
申请日：2009-05-27
申请人：亞德諾公司
发明人：巴佳斐米林德 , 塔文艾力克 , 薩默拉菲拉斯 , 楊光隆 , 史巴克斯安德魯
IPC分类号： B81C , H01L
CPC分类号： H01L23/10 , B81C1/00269 , B81C1/00293 , B81C2203/0109 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種在微機電系統晶圓形成上蓋層以形成密封裝置的方法。該方法包括施加玻璃接合劑到上蓋晶圓並且燃燒在玻璃接合劑中的有機材料。上蓋晶圓/玻璃接合劑組合隨後可予以清潔，以減少在該組合中的鉛。該清潔較佳地使用氧氣電漿來完成。微機電系統裝置係塗以晶圓反沾黏劑。藉由在譬如氮、氬與氖之氣體中氫分子加蓋氣體大氣中，加熱此組合，該加蓋晶圓可隨後接合到微機電系統晶圓。在微機電系統晶圓形成上蓋層的此種方法可減少沾黏在微機電裝置中。
简体摘要：一种在微机电系统晶圆形成上盖层以形成密封设备的方法。该方法包括施加玻璃接合剂到上盖晶圆并且燃烧在玻璃接合剂中的有机材料。上盖晶圆/玻璃接合剂组合随后可予以清洁，以减少在该组合中的铅。该清洁较佳地使用氧气等离子来完成。微机电系统设备系涂以晶圆反沾黏剂。借由在譬如氮、氩与氖之气体中氢分子加盖气体大气中，加热此组合，该加盖晶圆可随后接合到微机电系统晶圆。在微机电系统晶圆形成上盖层的此种方法可减少沾黏在微机电设备中。

36. 发明专利

TWI341294B 堆疊式微機電裝置 STACKED MEMS DEVICE 有权
简体标题：堆栈式微机电设备 STACKED MEMS DEVICE
公开(公告)号：TWI341294B
公开(公告)日：2011-05-01
申请号：TW096149016
申请日：2007-12-20
申请人：亞德諾公司
发明人：歐里安 , 葛吉恩 , 穆伊娃 , 哈爾尼
IPC分类号： B81B , B81C , H01H
CPC分类号： B81B7/007 , B81B2201/014 , B81B2207/015 , B81B2207/017 , B81C1/0023 , B81C2203/032 , H01H59/0009 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種微機電設備有一微機電裝置夾置於一基座與一電路晶片之間。該微機電裝置之可動構件係安裝在向上與該電路晶片相對之側上。該可動構件可被安裝在該微機電裝置之一基板上或是直接形成在該電路晶片之一鈍化層上。該電路晶片透過接合引線、穿透該微機電裝置之通道或一位於該微機電裝置以外之傳導路徑譬如銲料球提供控制信號給該微機電裝置。
简体摘要：一种微机电设备有一微机电设备夹置于一基座与一电路芯片之间。该微机电设备之可动构件系安装在向上与该电路芯片相对之侧上。该可动构件可被安装在该微机电设备之一基板上或是直接形成在该电路芯片之一钝化层上。该电路芯片透过接合引线、穿透该微机电设备之信道或一位于该微机电设备以外之传导路径譬如焊料球提供控制信号给该微机电设备。

37. 发明专利

TWI334158B 藉由移除晶圓之傳導層以形成裝置之方法 METHOD OF FORMING A DEVICE BY REMOVING A CONDUCTIVE LAYER OF A WAFER 有权
简体标题：借由移除晶圆之传导层以形成设备之方法 METHOD OF FORMING A DEVICE BY REMOVING A CONDUCTIVE LAYER OF A WAFER
公开(公告)号：TWI334158B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：TW094103485
申请日：2005-02-04
申请人：亞德諾公司
发明人：布堤米 , 蘇羅伯 , 史約翰
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B81C1/00182 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00047
摘要：本發明揭露出一種形成微機電裝置的方法，其係提供一種具有基底、第一傳導層、第二傳導層與中間傳導層的晶圓。在提供晶圓以後，本方法移除至少一部份的中間傳導層，以在第一與第二傳導層之間形成一孔穴。至少一部份的第一傳導層可相對於該基底移動，以形成一薄膜，而第二傳導層則相對於該基底為實質上不可移動。在形成該孔穴以後，該方法會將該孔穴密封。
简体摘要：本发明揭露出一种形成微机电设备的方法，其系提供一种具有基底、第一传导层、第二传导层与中间传导层的晶圆。在提供晶圆以后，本方法移除至少一部份的中间传导层，以在第一与第二传导层之间形成一孔穴。至少一部份的第一传导层可相对于该基底移动，以形成一薄膜，而第二传导层则相对于该基底为实质上不可移动。在形成该孔穴以后，该方法会将该孔穴密封。

38. 发明专利

TWI324374B 微機電系統裝置及其裝置層晶圓之方法和設備 APPARATUS AND METHOD OF MEMS DEVICEAND ITS DEVICE LAYER WAFER 有权
简体标题：微机电系统设备及其设备层晶圆之方法和设备 APPARATUS AND METHOD OF MEMS DEVICEAND ITS DEVICE LAYER WAFER
公开(公告)号：TWI324374B
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW093117849
申请日：2004-06-21
申请人：亞德諾公司
发明人：瓦奇曼 , 朱帝
IPC分类号： H01L , B81C
CPC分类号： B81C1/00238
摘要：一種形成微機電系統裝置的方法產生一裝置層晶圓，該晶圓在與處理晶圓耦合以前會具有一預先形成的傳導途徑。為了此目的，藉由1)提供一材料層，2)將一導體耦合到該材料層，以及3)形成通過至少一部份材料層而至導體的至少兩導電路徑，該方法會產生知名的裝置層晶圓。該方法隨後會提供知名的處理晶圓，並且將該裝置層晶圓耦合到處理晶圓。將該些晶圓耦合，以便使該導體包含在材料層與處理晶圓之間。 A method of forming a MEMS device produces a device layer wafer having a pre-formed conductive pathway before coupling it with a handle wafer. To the end, the method produces the noted device layer wafer by 1) providing a material layer, 2) coupling a conductor to the material layer, and 3) forming at least two conductive paths through at least a portion of the material layer to the conductor. The method then provides the noted handle wafer, and couples the device layer wafer to the handle wafer. The wafers are coupled so that the conductor is contained between the material layer and the handle wafer. 【創作特點】根據本發明一態樣，一種形成微機電系統裝置的方法會產生一裝置層晶圓，該裝置層晶圓會在與處理晶圓耦合之前預先形成傳導路徑。為了該目的，藉由1)提供一材料層、2)將一導體耦合到該材料層，以及3)形成至少一傳導路徑，經由至少一部份的材料層，而到該導體，該方法會產生知名的裝置層晶圓。該方法隨後會提供知名的處理晶圓，並且將該裝置層晶圓耦合到該處理晶圓。將該晶圓耦合，以便使該導體包含在該材料層與該處理晶圓之間。
在一些實施例中，該材料層具有一暴露的頂部表面，且至少有一傳導路徑會延伸到該露出的頂部表面。可將一部份的材料層移除，以實質地暴露出該傳導路徑。更者，該材料層可能具有一露出的頂部表面。實際上，可將該露出的頂部表面氧化，以光學上地區隔該材料層與該傳導路徑。
該方法同樣可施加一絕緣體在該絕緣層與該導體之間。例如，該絕緣體可能可將該導體耦合到該材料層。在一些實施例中，該導體係從一第一半導體材料形成，該材料層則是從一第二半導體材料所形成。在其它實施例中，至少有一傳導路徑是一錨狀物。
根據本發明另一態樣，一種形成微機電系統裝置之裝置層晶圓的方法會提供一具有頂部表面的材料層，隨後會形成一傳導路徑經過至少一部份的材料層。該傳導路徑具有實質在該頂部表面的至少一端點。該方法隨後可將該材料層的頂部表面氧化，以光學上地區隔該傳導路徑末端與該材料層。
在一些實施例中，該方法會移除一部份材料層，以形成頂部表面。更者，傳導路徑之形成乃藉由將一導體耦合到該材料層，並且形成經過至少一部份材料層而到該導體的至少一傳導路徑。至少一傳導路徑與導體會一起形成(亦即，包含)傳導路徑。
除了別的以外，將該材料層頂部表面氧化可能會造成該路徑端，從該材料層的頂部表面向外延伸。將該材料層的頂部表面氧化，其係可能會造成該端點具有一第一顏色，以及該材料層的頂部表面具有第二顏色。在所示的實施例中，第一與第二顏色是不同的。為了那些目的，該材料層可能會從第一材料形成，而該傳導路徑則可能會從第二不同材料所形成。
根據本發明仍另一態樣，能夠與處理晶圓耦合的一未耦合裝置晶圓具有一材料層，以及一耦合該材料層的導體。該未耦合的裝置晶圓亦同樣具有經由至少一部份材料層而到該導體的至少一傳導路徑。
該傳導路徑可能終止於該材料層內，或者該材料層的頂部表面上。未耦合的裝置晶圓同樣可能具有一將導體耦合到材料層的絕緣層。它可能具有另一絕緣層，在此該導體係包含在該絕緣層與該材料層之間。
简体摘要：一种形成微机电系统设备的方法产生一设备层晶圆，该晶圆在与处理晶圆耦合以前会具有一预先形成的传导途径。为了此目的，借由1)提供一材料层，2)将一导体耦合到该材料层，以及3)形成通过至少一部份材料层而至导体的至少两导电路径，该方法会产生知名的设备层晶圆。该方法随后会提供知名的处理晶圆，并且将该设备层晶圆耦合到处理晶圆。将该些晶圆耦合，以便使该导体包含在材料层与处理晶圆之间。 A method of forming a MEMS device produces a device layer wafer having a pre-formed conductive pathway before coupling it with a handle wafer. To the end, the method produces the noted device layer wafer by 1) providing a material layer, 2) coupling a conductor to the material layer, and 3) forming at least two conductive paths through at least a portion of the material layer to the conductor. The method then provides the noted handle wafer, and couples the device layer wafer to the handle wafer. The wafers are coupled so that the conductor is contained between the material layer and the handle wafer. 【创作特点】根据本发明一态样，一种形成微机电系统设备的方法会产生一设备层晶圆，该设备层晶圆会在与处理晶圆耦合之前预先形成传导路径。为了该目的，借由1)提供一材料层、2)将一导体耦合到该材料层，以及3)形成至少一传导路径，经由至少一部份的材料层，而到该导体，该方法会产生知名的设备层晶圆。该方法随后会提供知名的处理晶圆，并且将该设备层晶圆耦合到该处理晶圆。将该晶圆耦合，以便使该导体包含在该材料层与该处理晶圆之间。在一些实施例中，该材料层具有一暴露的顶部表面，且至少有一传导路径会延伸到该露出的顶部表面。可将一部份的材料层移除，以实质地暴露出该传导路径。更者，该材料层可能具有一露出的顶部表面。实际上，可将该露出的顶部表面氧化，以光学上地区隔该材料层与该传导路径。该方法同样可施加一绝缘体在该绝缘层与该导体之间。例如，该绝缘体可能可将该导体耦合到该材料层。在一些实施例中，该导体系从一第一半导体材料形成，该材料层则是从一第二半导体材料所形成。在其它实施例中，至少有一传导路径是一锚状物。根据本发明另一态样，一种形成微机电系统设备之设备层晶圆的方法会提供一具有顶部表面的材料层，随后会形成一传导路径经过至少一部份的材料层。该传导路径具有实质在该顶部表面的至少一端点。该方法随后可将该材料层的顶部表面氧化，以光学上地区隔该传导路径末端与该材料层。在一些实施例中，该方法会移除一部份材料层，以形成顶部表面。更者，传导路径之形成乃借由将一导体耦合到该材料层，并且形成经过至少一部份材料层而到该导体的至少一传导路径。至少一传导路径与导体会一起形成(亦即，包含)传导路径。除了别的以外，将该材料层顶部表面氧化可能会造成该路径端，从该材料层的顶部表面向外延伸。将该材料层的顶部表面氧化，其系可能会造成该端点具有一第一颜色，以及该材料层的顶部表面具有第二颜色。在所示的实施例中，第一与第二颜色是不同的。为了那些目的，该材料层可能会从第一材料形成，而该传导路径则可能会从第二不同材料所形成。根据本发明仍另一态样，能够与处理晶圆耦合的一未耦合设备晶圆具有一材料层，以及一耦合该材料层的导体。该未耦合的设备晶圆亦同样具有经由至少一部份材料层而到该导体的至少一传导路径。该传导路径可能终止于该材料层内，或者该材料层的顶部表面上。未耦合的设备晶圆同样可能具有一将导体耦合到材料层的绝缘层。它可能具有另一绝缘层，在此该导体系包含在该绝缘层与该材料层之间。

39. 发明专利

TWI311981B 微電機系統(MEMS)裝置製造方法 MEHTOD OF PRODUCING A MEMS DEVICE 有权
简体标题：微电机系统(MEMS)设备制造方法 MEHTOD OF PRODUCING A MEMS DEVICE
公开(公告)号：TWI311981B
公开(公告)日：2009-07-11
申请号：TW094121069
申请日：2005-06-24
申请人：亞德諾公司 ANALOG DEVICES, INC.
发明人：馬約翰 MARTIN, JOHN R. , 梅馬洛 MENA, MANOLO G. , 萊艾瑪 LACSAMANA, ELMER S. , 杜麥可 DUFFY, MICHAEL P. , 衛威廉 WEBSTER, WILLIAM A. , 勞倫斯 FELTON, LAWRENCE E. , 卡莫斯 KARPMAN, MAURICE S.
IPC分类号： B81C
CPC分类号： B81C1/00896
摘要：本發明揭露一種製造微機電系統裝置的方法,該方法在其可移動結構形成以後將裝置晶圓的底側移除。為了該目的,該方法提供裝置晶圓,其係具有一最初底側。接著,該方法將可移動結構形成在該裝置晶圓上,然後實質移除該裝置晶圓的整個最初底側。整個最初底側之移除會有效地形成一最終底側。
简体摘要：本发明揭露一种制造微机电系统设备的方法,该方法在其可移动结构形成以后将设备晶圆的底侧移除。为了该目的,该方法提供设备晶圆,其系具有一最初底侧。接着,该方法将可移动结构形成在该设备晶圆上,然后实质移除该设备晶圆的整个最初底侧。整个最初底侧之移除会有效地形成一最终底侧。

40. 发明专利

TW200906708A 使厚多晶矽薄膜應用在微機電中為可行之多晶矽沈積及退火過程 POLYSILICON DEPOSITION AND ANNEAL PROCESS ENABLING THICK POLYSILICON FILMS FOR MEMS APPLICATIONS 审中-公开
简体标题：使厚多晶硅薄膜应用在微机电中为可行之多晶硅沉积及退火过程 POLYSILICON DEPOSITION AND ANNEAL PROCESS ENABLING THICK POLYSILICON FILMS FOR MEMS APPLICATIONS
公开(公告)号：TW200906708A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097112551
申请日：2008-04-07
申请人：亞德諾公司 ANALOG DEVICES, INC.
发明人：湯瑪斯 NUNAN, THOMAS KIERAN
IPC分类号： B81C , H01L
CPC分类号： B81C1/00666 , B81B2201/025 , B81C2201/0164 , B81C2201/0167 , B81C2201/0169
摘要：一種用於微機電元件慣性感測器之形成厚多晶矽薄膜的方法,該方法包含於高溫環境下持續一段時間以在基材上形成第一多晶矽薄膜,至少使接近基材的部分非結晶型多晶矽薄膜進行結晶化及晶粒生長(grain growth);該方法亦包含在第一多晶矽薄膜形成一氧化層,在約1100℃或更高溫度的環境下對第一非結晶型多晶矽薄膜進行退火以生成一結晶型多晶矽薄膜,並且移除該氧化層;最終,該方法包含於高溫環境下持續一段時間以在該結晶型多晶矽薄膜的表面上形成第二非結晶型多晶矽薄膜,至少使接近該結晶型多晶矽薄膜表面的部分非結晶型多晶矽薄膜進行結晶化及晶粒生長。
简体摘要：一种用于微机电组件惯性传感器之形成厚多晶硅薄膜的方法,该方法包含于高温环境下持续一段时间以在基材上形成第一多晶硅薄膜,至少使接近基材的部分非结晶型多晶硅薄膜进行结晶化及晶粒生长(grain growth);该方法亦包含在第一多晶硅薄膜形成一氧化层,在约1100℃或更高温度的环境下对第一非结晶型多晶硅薄膜进行退火以生成一结晶型多晶硅薄膜,并且移除该氧化层;最终,该方法包含于高温环境下持续一段时间以在该结晶型多晶硅薄膜的表面上形成第二非结晶型多晶硅薄膜,至少使接近该结晶型多晶硅薄膜表面的部分非结晶型多晶硅薄膜进行结晶化及晶粒生长。

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