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31. 发明专利

TWI300618B 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI300618B
公开(公告)日：2008-09-01
申请号：TW094117027
申请日：2005-05-25
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：愛場喜孝 AIBA, YOSHITAKA , 藤澤哲也 FUJISAWA, TETSUYA , 米田義之 YONEDA, YOSHIYUKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5384 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/18 , H01L2224/0401 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/05647 , H01L2224/13021 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48235 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01019 , H01L2924/15174 , H01L2924/15184 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05099 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：一種半導體裝置被揭示,該半導體裝置包括一固持基板、一安
裝在固持基板的一側上的第一半導體元件、一安裝在固持基板的該
一側上並包括一高頻率電極的第二半導體元件、一相對於該高頻率
電極設置於固持基板的通孔以及一相對於通孔設置在固持基板另一
側上的外部連接電極。
简体摘要：一种半导体设备被揭示,该半导体设备包括一固持基板、一安装在固持基板的一侧上的第一半导体组件、一安装在固持基板的该一侧上并包括一高频率电极的第二半导体组件、一相对于该高频率电极设置于固持基板的通孔以及一相对于通孔设置在固持基板另一侧上的外部连接电极。

32. 发明专利

TW200836603A 電子裝置之製造方法、封裝有電子裝置的電子設備之製造方法及安裝有電子裝置的物件之製造方法 PRODUCTION METHOD OF ELECTRONIC APPARATUS, PRODUCTION METHOD OF ELECTRONIC EQUIPMENT IN WHICH ELECTRONIC APPARATUS IS PACKAGED, AND PRODUCTION METHOD OF ARTICLE IN WHICH ELECTRONIC APPARATUS IS MOUNTED 审中-公开
简体标题：电子设备之制造方法、封装有电子设备的电子设备之制造方法及安装有电子设备的对象之制造方法 PRODUCTION METHOD OF ELECTRONIC APPARATUS, PRODUCTION METHOD OF ELECTRONIC EQUIPMENT IN WHICH ELECTRONIC APPARATUS IS PACKAGED, AND PRODUCTION METHOD OF ARTICLE IN WHICH ELECTRONIC APPARATUS IS MOUNTED
公开(公告)号：TW200836603A
公开(公告)日：2008-09-01
申请号：TW096149879
申请日：2007-12-25
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：小林弘 KOBAYASHI, HIROSHI , 小八重健二 KOBAE, KENJI , 竹內周一 TAKEUCHI, SHUICHI
IPC分类号： H05K
CPC分类号： G06K19/07749 , G06K19/0775 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L24/97 , H01L2223/6677 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/75252 , H01L2224/83096 , H01L2224/83192 , H01L2224/83855 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/14 , Y10T156/10 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/0401
摘要：一種電子裝置之製造方法,包括:一黏著步驟,係使一熱固性黏著劑黏著於一基材之一面上,且在該基材中,一天線圖案形成在一由一樹脂材料製成之膜上,而該面係該天線圖案形成於其上之面;一安裝步驟,係將一連接於該天線圖案上之電路晶片透過該熱固性黏著劑安裝在該基材上;一預熱步驟,係以一第一加熱條件加熱該熱固性黏著劑,且該熱固性黏著劑藉該第一加熱條件成為一第一硬化狀態;及一主加熱步驟,係藉由以一第二加熱條件加熱與硬化該熱固性黏著劑,將該電路晶片固定至該天線圖案,而該熱固性黏著劑藉該第二加熱條件成為一比該第一硬化狀態更硬之第二硬化狀態,且該基材由該電路晶片側與該膜側兩側被夾持且加壓。
简体摘要：一种电子设备之制造方法,包括:一黏着步骤,系使一热固性黏着剂黏着于一基材之一面上,且在该基材中,一天线图案形成在一由一树脂材料制成之膜上,而该面系该天线图案形成于其上之面;一安装步骤,系将一连接于该天线图案上之电路芯片透过该热固性黏着剂安装在该基材上;一预热步骤,系以一第一加热条件加热该热固性黏着剂,且该热固性黏着剂藉该第一加热条件成为一第一硬化状态;及一主加热步骤,系借由以一第二加热条件加热与硬化该热固性黏着剂,将该电路芯片固定至该天线图案,而该热固性黏着剂藉该第二加热条件成为一比该第一硬化状态更硬之第二硬化状态,且该基材由该电路芯片侧与该膜侧两侧被夹持且加压。

33. 发明专利

TW200836487A 輸入/輸出電路 I/O CIRCUIT 审中-公开
简体标题：输入/输出电路 I/O CIRCUIT
公开(公告)号：TW200836487A
公开(公告)日：2008-09-01
申请号：TW097105883
申请日：2008-02-20
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：鈴木輝夫 SUZUKI, TERUO
IPC分类号： H03K
摘要：輸入/輸出電路係設有一具有一連接至一墊的汲極之第一NMOS驅動器、一被安排在一不同於該第一NMOS驅動器之主動區中且具有一連接至該第一NMOS驅動器之源極與一連接至一地電位之源極的第二NMOS驅動器、一將一內部電源電位的一位準轉換至一電源電位的一位準之位準轉換器、及一具有一連接至該位準轉換器的一個輸入端之汲極,一連接至一地電位的源極及一連接至該位準轉換器的另一輸入之閘極的第一NMOS電晶體,而且其中該第一NMOS電晶體的汲極被連接至該第二NMOS的閘極。
简体摘要：输入/输出电路系设有一具有一连接至一垫的汲极之第一NMOS驱动器、一被安排在一不同于该第一NMOS驱动器之主动区中且具有一连接至该第一NMOS驱动器之源极与一连接至一地电位之源极的第二NMOS驱动器、一将一内部电源电位的一位准转换至一电源电位的一位准之位准转换器、及一具有一连接至该位准转换器的一个输入端之汲极,一连接至一地电位的源极及一连接至该位准转换器的另一输入之闸极的第一NMOS晶体管,而且其中该第一NMOS晶体管的汲极被连接至该第二NMOS的闸极。

34. 发明专利

TW200836475A 放大器電路 AMPLIFIER CIRCUIT 审中-公开
简体标题：放大器电路 AMPLIFIER CIRCUIT
公开(公告)号：TW200836475A
公开(公告)日：2008-09-01
申请号：TW096146446
申请日：2007-12-06
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：鈴木俊秀 SUZUKI, TOSHIHIDE
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03F3/68 , H03F3/193 , H03F3/72
摘要：本發明係提供一種放大器電路,包含並聯連接至輸入信號端子的複數個單元放大器(unit amplifier),其中各該單元放大器包含:第一開關,用以切換從輸入信號端子輸入的輸入信號;第一場效電晶體,具有閘極,該閘極係透過該第一開關而連接至該輸入信號端子,及將該輸入信號端子之該輸入信號放大並輸出經放大後之輸入信號;第二開關,並聯連接至該第一開關,並且將在互補時序(complementary timing)之該輸入信號端子之該輸入信號切換成該第一開關之切換時序(switching timing);以及電容器,透過該第二開關而連接至該輸入信號端子。
简体摘要：本发明系提供一种放大器电路,包含并联连接至输入信号端子的复数个单元放大器(unit amplifier),其中各该单元放大器包含:第一开关,用以切换从输入信号端子输入的输入信号;第一场效应管,具有闸极,该闸极系透过该第一开关而连接至该输入信号端子,及将该输入信号端子之该输入信号放大并输出经放大后之输入信号;第二开关,并联连接至该第一开关,并且将在互补时序(complementary timing)之该输入信号端子之该输入信号切换成该第一开关之切换时序(switching timing);以及电容器,透过该第二开关而连接至该输入信号端子。

35. 发明专利

TW200834853A 佈線板及半導體元件 WIRING BOARD AND SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：布线板及半导体组件 WIRING BOARD AND SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200834853A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW097100158
申请日：2008-01-03
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：西村隆雄 NISHIMURA, TAKAO , 合葉和之 AIBA, KAZUYUKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/32 , H01L21/563 , H01L23/564 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0655 , H01L25/105 , H01L2224/0554 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/16225 , H01L2224/26175 , H01L2224/27013 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/75743 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/83051 , H01L2224/83192 , H01L2224/92125 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/4554 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要：本發明有關一佈線板,其中一電子組件經由一凸塊被安裝在一主表面上且電子組件的周邊之至少一部份覆蓋有樹脂,佈線板包括一設置於一其中安裝有電子組件的區域之周邊的至少一部份之堰,位於佈線板的主表面上;其中接觸該樹脂之堰的一表面係具有一連續地形成一彎曲線之組態。
简体摘要：本发明有关一布线板,其中一电子组件经由一凸块被安装在一主表面上且电子组件的周边之至少一部份覆盖有树脂,布线板包括一设置于一其中安装有电子组件的区域之周边的至少一部份之堰,位于布线板的主表面上;其中接触该树脂之堰的一表面系具有一连续地形成一弯曲线之组态。

36. 发明专利

TWI299836B 射頻辨識(RFID)標籤套組、射頻辨識標籤以及射頻辨識標籤組件 RFID TAG SET, RFID TAG AND RFID TAG COMPONENT 失效
简体标题：射频辨识(RFID)标签套组、射频辨识标签以及射频辨识标签组件 RFID TAG SET, RFID TAG AND RFID TAG COMPONENT
公开(公告)号：TWI299836B
公开(公告)日：2008-08-11
申请号：TW094131822
申请日：2005-09-15
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED , 富士通先端科技股份有限公司 FUJITSU FRONTECH LIMITED
发明人：馬場俊二 BABA, SHUNJI , 馬庭透 MANIWA, TORU , 山城尚志 YAMAGAJO, TAKASHI , 甲斐學 KAI, MANABU , 橋本繁 HASHIMOTO, SHIGERU , 杉村吉康 SUGIMURA, YOSHIYASU
IPC分类号： G06K , B29C
CPC分类号： G06K19/07758 , G06K19/07749 , G06K19/07771 , G06K19/07779
摘要：一射頻辨識(RFID)標籤係藉由將一第一組件及第二組件貼附在一起而構成。第一組件係包括一由介電質製成之管狀第一基底以及一覆蓋住第一基底之前方與後方的一者之金屬層。第二組件係包括一片狀第二基底,一金屬圖案,其設置於第二基底上且電性連接至第一組件的金屬層以構成一通信天線,一電路晶片,其連接至金屬圖案經由通信天線進行一無線電通信,及一黏劑材料層,其將第二基底結合至第一基底之前方與後方的另一者。第一組件的金屬層及第二組件的金屬圖案係由傳導組件予以電性連接。
简体摘要：一射频辨识(RFID)标签系借由将一第一组件及第二组件贴附在一起而构成。第一组件系包括一由介电质制成之管状第一基底以及一覆盖住第一基底之前方与后方的一者之金属层。第二组件系包括一片状第二基底,一金属图案,其设置于第二基底上且电性连接至第一组件的金属层以构成一通信天线,一电路芯片,其连接至金属图案经由通信天线进行一无线电通信,及一黏剂材料层,其将第二基底结合至第一基底之前方与后方的另一者。第一组件的金属层及第二组件的金属图案系由传导组件予以电性连接。

37. 发明专利

TWI298883B 半導體記憶體裝置及其控制方法 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME 有权
简体标题：半导体内存设备及其控制方法 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME
公开(公告)号：TWI298883B
公开(公告)日：2008-07-11
申请号：TW093135978
申请日：2004-11-23
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：原浩太 HARA, KOTA , 山田伸一 YAMADA, SHINICHI
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/406 , G11C7/1027 , G11C7/20 , G11C11/40603 , G11C11/40615 , G11C11/4072
摘要：一種於其中,一個叢發運作是利用一記憶體核心來被執行的半
導體記憶體裝置具有一個讀取/寫入觸發訊號產生電路和一個讀取/
寫入訊號產生電路。該讀取/寫入觸發訊號產生電路在該叢發運作期
間自一個預定時序訊號產生一個讀取/寫入訊號要求。該讀取/寫入訊
號產生電路自該讀取/寫入觸發訊號產生電路接收一輸出訊號並且
在一個剛於該輸出訊號之接收之前之核心運作被完成與一列側之後
續之作動被完成之後輸出一個讀取/寫入訊號。
简体摘要：一种于其中,一个丛发运作是利用一内存内核来被运行的半导体内存设备具有一个读取/写入触发信号产生电路和一个读取/ 写入信号产生电路。该读取/写入触发信号产生电路在该丛发运作期间自一个预定时序信号产生一个读取/写入信号要求。该读取/写入讯号产生电路自该读取/写入触发信号产生电路接收一输出信号并且在一个刚于该输出信号之接收之前之内核运作被完成与一列侧之后续之作动被完成之后输出一个读取/写入信号。

38. 发明专利

TWI298108B 液晶顯示裝置 LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE 有权
简体标题：液晶显示设备 LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
公开(公告)号：TWI298108B
公开(公告)日：2008-06-21
申请号：TW093103957
申请日：2004-02-18
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：吉原敏明 YOSHIHARA, TOSHIAKI , 牧野哲也 MAKINO, TETSUYA , 只木進二 TADAKI, SHINJI , 白戶博紀 SHIROTO, HIRONORI , 清田芳則 KIYOTA, YOSHINORI , 笠原滋雄 KASAHARA, SHIGEO , 別井圭一 BETSUI, KEIICHI
IPC分类号： G02F , G09G
CPC分类号： G09G3/3406 , G09G3/3614 , G09G3/3651 , G09G2310/0235 , G09G2330/021
摘要：在每種色彩之一次幀中,每一資料掃描所需時間係為該次幀的
25%,且在兩次資料掃描之間的時間亦為該次幀的25%。在各色彩之
一次幀中,一背光會在第一半的資料掃描之中間時點與第二半的資
料掃描之中間時點之間被啓亮。該背光的啓亮時間係為該次框的
50%,而一液晶面板呈透光狀態(ON)對該背光被啓亮的時間比(面板
導通率)係為88%,故能達成高光利用效率。
简体摘要：在每种色彩之一次帧中,每一数据扫描所需时间系为该次帧的 25%,且在两次数据扫描之间的时间亦为该次帧的25%。在各色彩之一次帧中,一背光会在第一半的数据扫描之中间时点与第二半的资料扫描之中间时点之间被启亮。该背光的启亮时间系为该次框的 50%,而一液晶皮肤呈透光状态(ON)对该背光被启亮的时间比(皮肤导通率)系为88%,故能达成高光利用效率。

39. 发明专利

TWI297909B 半導體元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 有权
简体标题：半导体组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TWI297909B
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：TW094110250
申请日：2005-03-31
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：川村和郎 KAWAMURA, KAZUO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28518 , H01L21/28052 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/7833
摘要：本發明係有關於一種用於製造半導體元件的方法,包括在一具有低於50 nm(包括50 nm)之閘長度Lg的閘電極30上形成一Co薄膜的步驟;進行熱處理之第一熱處理步驟,使該Co薄膜72與該閘電極30彼此反應以在該閘電極30之上部形成一CoSi薄膜76a;選擇性地蝕刻去除該Co薄膜72之未反應部
件的步驟;且進行熱處理之第二熱處理步驟,使該CoSi薄膜76a與該閘電極30彼此反應以在該閘電極30之上部形成一CoSi2薄膜42a,其中在該第一熱處理步驟中,該CoSi薄膜76a係被形成,致使該CoSi薄膜76a的高度h與該CoSi薄膜76a的寬度w的比率h/w係低於0.7(包括0.7)。
简体摘要：本发明系有关于一种用于制造半导体组件的方法,包括在一具有低于50 nm(包括50 nm)之闸长度Lg的闸电极30上形成一Co薄膜的步骤;进行热处理之第一热处理步骤,使该Co薄膜72与该闸电极30彼此反应以在该闸电极30之上部形成一CoSi薄膜76a;选择性地蚀刻去除该Co薄膜72之未反应部件的步骤;且进行热处理之第二热处理步骤,使该CoSi薄膜76a与该闸电极30彼此反应以在该闸电极30之上部形成一CoSi2薄膜42a,其中在该第一热处理步骤中,该CoSi薄膜76a系被形成,致使该CoSi薄膜76a的高度h与该CoSi薄膜76a的宽度w的比率h/w系低于0.7(包括0.7)。

40. 发明专利

TW200824334A 通訊系統(六) COMMUNICATION SYSTEMS 审中-公开
简体标题：通信系统(六) COMMUNICATION SYSTEMS
公开(公告)号：TW200824334A
公开(公告)日：2008-06-01
申请号：TW096127971
申请日：2007-07-31
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：哈特麥可J.B. HART, MICHAEL JOHN BEEMS , 周躍峰 ZHOU, YUEFENG , 維歐瑞朶琳 VIOREL, DORIN , 朱晨曦 ZHU, CHENXI , 中村道治 NAKAMURA, MICHIHARU , 渡邊真弘 WATANABE, MASAHIRO , 藤田裕志 FUJITA, HIROSHI , 吉田誠 YOSHIDA, MAKOTO
IPC分类号： H04W , H04B , H04L , H04Q
CPC分类号： H04W28/16 , H04B7/15507 , H04B7/2606 , H04L5/0007 , H04L5/0032 , H04L5/0048 , H04L25/0226 , H04L27/2655 , H04L27/2692 , H04W48/08 , H04W84/047
摘要：一種用於一多跳點無線通訊系統之發射方法,該系統包含一來源裝置、一目的裝置、及一或更多個中介裝置,該來源裝置係可操作來沿著形成從該來源裝置經由該等或每一該中介裝置延伸至該目的裝置之一通訊路徑的一串鏈路來發射資訊,且該等或每一該中介裝置可操作來沿著該路徑接收來自前一裝置之資訊、以及沿著該路徑發射該所接收資訊至後續裝置,該系統接取至少一預定發射前導序列且亦接取一時間頻率格式供用於在一離散發射時期期間分派可用的發射頻寬,該格式在這樣一種時期中定義多個發射視窗,每一該視窗佔用該時期之一不同部份,且每一該視窗在其各自佔用之該時期之該不同部份期間具有在該可用發射頻寬內的一頻寬分佈輪廓,每一該視窗可針對這樣一種發射時期各分派到該等裝置其中至少一者供發射使用,該方法包含下列步驟:在一特定發射時期內發射具有一前綴之一訊息時,以該發射時期之一第一發射視窗來發射該前綴;以該發射時期之一第二發射視窗而不是以該第一發射視窗來發射該等或該其中之一發射前導序列做為控制資訊,較佳地供該等中介裝置之其中至少一者或該目的裝置使用。
简体摘要：一种用于一多跳点无线通信系统之发射方法,该系统包含一来源设备、一目的设备、及一或更多个中介设备,该来源设备系可操作来沿着形成从该来源设备经由该等或每一该中介设备延伸至该目的设备之一通信路径的一串链路来发射信息,且该等或每一该中介设备可操作来沿着该路径接收来自前一设备之信息、以及沿着该路径发射该所接收信息至后续设备,该系统接取至少一预定发射前导串行且亦接取一时间频率格式供用于在一离散发射时期期间分派可用的发射带宽,该格式在这样一种时期中定义多个发射窗口,每一该窗口占用该时期之一不同部份,且每一该窗口在其各自占用之该时期之该不同部份期间具有在该可用发射带宽内的一带宽分布轮廓,每一该窗口可针对这样一种发射时期各分派到该等设备其中至少一者供发射使用,该方法包含下列步骤:在一特定发射时期内发射具有一前缀之一消息时,以该发射时期之一第一发射窗口来发射该前缀;以该发射时期之一第二发射窗口而不是以该第一发射窗口来发射该等或该其中之一发射前导串行做为控制信息,较佳地供该等中介设备之其中至少一者或该目的设备使用。

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