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21. 发明专利

TW202018105A 高熵合金塗層的製造方法审中-公开
简体标题：高熵合金涂层的制造方法
公开(公告)号：TW202018105A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW107140163
申请日：2018-11-13
申请人：國立臺灣科技大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：陳士勛 , CHEN, SHIH-HSUN , 鄭貴仲 , CHENG, KUEI-CHUNG
IPC分类号： C23C4/12 , C22C1/04
摘要：本發明實施例提供一種高熵合金塗層的製造方法，包括：將高熵合金材料融熔，其中高熵合金材料包括至少四種金屬元素，且此些金屬元素的含量實質上相同；藉由氣體霧化製程將融熔態的高熵合金材料形成為高熵合金粉末；以及藉由電漿噴塗製程將高熵合金粉末加熱並塗布於目標基底上。
简体摘要：本发明实施例提供一种高熵合金涂层的制造方法，包括：将高熵合金材料融熔，其中高熵合金材料包括至少四种金属元素，且此些金属元素的含量实质上相同；借由气体雾化制程将融熔态的高熵合金材料形成为高熵合金粉末；以及借由等离子喷涂制程将高熵合金粉末加热并涂布于目标基底上。

22. 发明专利

TWI674334B 高熵合金塗層的製造方法有权
简体标题：高熵合金涂层的制造方法
公开(公告)号：TWI674334B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：TW107140163
申请日：2018-11-13
申请人：國立臺灣科技大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：陳士勛 , CHEN, SHIH-HSUN , 鄭貴仲 , CHENG, KUEI-CHUNG
IPC分类号： C23C4/12 , C22C1/04

23. 发明专利

TWI650182B 電漿噴塗裝置有权
简体标题：等离子喷涂设备
公开(公告)号：TWI650182B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW100145036
申请日：2011-12-07
申请人：富士工程股份有限公司 , FUJI ENGINEERING CO., LTD. , 富士技建股份有限公司 , FUJIGIKEN CO., LTD. , 西日本高速道路股份有限公司 , WEST NIPPON EXPRESSWAY COMPANY LIMITED
发明人：杉本正信 , SUGIMOTO, MASANOBU , 山田謙一 , YAMADA, KENICHI , 入江政信 , IRIE, MASANOBU
IPC分类号： B05B7/22 , B05B7/18 , H05H1/34 , C23C4/12

24. 发明专利

TW201833348A 成膜方法及電子裝置的製造方法、以及電漿原子層成長裝置审中-公开
简体标题：成膜方法及电子设备的制造方法、以及等离子原子层成长设备
公开(公告)号：TW201833348A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106140314
申请日：2017-11-21
申请人：日商日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：鷲尾圭亮 , WASHIO, KEISUKE , 中田真生 , NAKATA, MASAO , 松本竜弥 , MATSUMOTO, TATSUYA , 次田純一 , SHIDA, JUNICHI
IPC分类号： C23C4/12 , C23C16/513 , H05H1/42
摘要： [課題]在使用荷電粒子的成膜技術中，抑制起因於洩漏的磁場所造成之膜厚分布的不均勻。[解決手段]一種成膜方法，其係在產生電漿的期間，停止磁場的產生；另一方面，在未產生電漿的期間，使磁場產生，且其係使切換成膜動作中磁場的產生/停止之技術思想具體化的成膜方法。
简体摘要： [课题]在使用荷电粒子的成膜技术中，抑制起因于泄漏的磁场所造成之膜厚分布的不均匀。[解决手段]一种成膜方法，其系在产生等离子的期间，停止磁场的产生；另一方面，在未产生等离子的期间，使磁场产生，且其系使切换成膜动作中磁场的产生/停止之技术思想具体化的成膜方法。

25. 发明专利

TWI598465B 常壓電漿鍍膜裝置有权
简体标题：常压等离子镀膜设备
公开(公告)号：TWI598465B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW106103033
申请日：2017-01-25
申请人：馗鼎奈米科技股份有限公司 , CREATING NANO TECHNOLOGIES, INC.
发明人：王齊中 , WANG, CHI CHUNG , 徐逸明 , HSU, YI MING , 洪昭南 , HONG, CHAU NAN
IPC分类号： C23C4/00 , C23C4/12

26. 发明专利

TW201621066A 電漿處理設備之內部構件以及其製造方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备之内部构件以及其制造方法
公开(公告)号：TW201621066A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104136931
申请日：2015-11-10
申请人：台灣高美可科技股份有限公司 , KOMICO TECHNOLOGY TAIWAN LTD.
发明人：李省勳 , LEE, SUNG HOON , 鄭東勳 , JEONG, DONG HUN , 高賢哲 , KO, HYUN CHUL
IPC分类号： C23C4/12 , C23C4/18 , C23C4/04
摘要：一種電漿處理設備之內部構件的製造方法，噴塗層使用第一陶瓷材料形成於真空腔室的內部部件上，真空腔室用於提供電漿處理空間。藉由熔融製程以熔融噴塗層的表面，而形成粒子分佈比噴塗層密集的表面熔融層。於熔融過程當中，形成的熱裂紋，藉由於表面熔融層上填補包括第二陶瓷材料的修補材料而修補。
简体摘要：一种等离子处理设备之内部构件的制造方法，喷涂层使用第一陶瓷材料形成于真空腔室的内部部件上，真空腔室用于提供等离子处理空间。借由熔融制程以熔融喷涂层的表面，而形成粒子分布比喷涂层密集的表面熔融层。于熔融过程当中，形成的热裂纹，借由于表面熔融层上填补包括第二陶瓷材料的修补材料而修补。

27. 发明专利

TW201608060A 積層體之製造方法及積層體审中-公开
简体标题：积层体之制造方法及积层体
公开(公告)号：TW201608060A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104118723
申请日：2015-06-10
申请人：日本發條股份有限公司 , NHK SPRING CO., LTD.
发明人：平野智資 , HIRANO, SATOSHI , 二口谷淳 , FUTAKUCHIYA, JUN , 石岡泰明 , ISHIOKA, YASUAKI , 伊藤直希 , ITO, NAOKI , 伊丹洋平 , ITAMI, YOHEI
IPC分类号： C23C4/02 , C23C4/12
CPC分类号： C23C4/123 , B32B15/043 , B32B38/00 , B32B2255/06 , C23C4/02 , C23C4/11 , C23C24/04 , C23C28/02 , C23C28/321 , C23C28/345
摘要：本發明係提供一種於基材上形成由與該基材不同之材料所構成的熔融噴塗膜之積層體中，可較以往更進一步提高於加熱基材時熔融噴塗膜開始產生破裂之溫度之積層體之製造方法等。於基材上積層由與該基材不同之材料所構成的熔融噴塗膜而成之積層體之製造方法中，包含：加熱基材之基材加熱步驟S1，於加熱後之該基材的表面，形成由與基材及熔融噴塗膜不同之材料所構成的中間層之中間層形成步驟S2，以及於中間層的表面形成熔融噴塗膜之熔融噴塗膜形成步驟S4。
简体摘要：本发明系提供一种于基材上形成由与该基材不同之材料所构成的熔融喷涂膜之积层体中，可较以往更进一步提高于加热基材时熔融喷涂膜开始产生破裂之温度之积层体之制造方法等。于基材上积层由与该基材不同之材料所构成的熔融喷涂膜而成之积层体之制造方法中，包含：加热基材之基材加热步骤S1，于加热后之该基材的表面，形成由与基材及熔融喷涂膜不同之材料所构成的中间层之中间层形成步骤S2，以及于中间层的表面形成熔融喷涂膜之熔融喷涂膜形成步骤S4。

28. 发明专利

TW201534763A 乾蝕刻用處理室內構件之製造方法审中-公开
简体标题：干蚀刻用处理室内构件之制造方法
公开(公告)号：TW201534763A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103140062
申请日：2014-11-19
申请人：倉敷博林固機工股份有限公司 , KURASHIKI BORING KIKO CO., LTD.
发明人：峪田宜明 , SAKODA, NOBUAKI , 曾珍素 , ZENG, ZHENSU , 佐古紗雅香 , SAKO, SAYAKA
IPC分类号： C23C4/12 , C23C4/10 , B05B7/20 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C4/134 , B05B7/20 , C23C4/11
摘要：本發明係一種乾蝕刻用處理室內構件的製造方法，其課題為提供：可將氣孔率小而耐蝕性高之溶射皮膜，經由可簡便地實施之溶射法，而形成於乾蝕刻用處理室內構件之乾蝕刻用處理室內構件的製造方法。解決手段係經由電漿溶射而於使用於乾蝕刻用處理室內之構件，形成氧化釔塗膜之方法而解決。作為作動氣體而使用H2氣體及Ar氣體，呈將Ar氣體的流量作為60~75公升/分，而Ar氣體/H2氣體的流量之容積比則成為6~8地，於電漿溶射機，供給Ar氣體及H2氣體，而使對於H2氣體而言之Ar氣體的流量增加者，使電漿噴注的速度上升，且使電漿噴注之溫度下降，對於該電漿噴注而言，作為原料粉末而投入粒徑10~20μm之氧化釔微粉末，再溶射包含熔融於前述構件表面之氧化釔微粉末之電漿噴注。
简体摘要：本发明系一种干蚀刻用处理室内构件的制造方法，其课题为提供：可将气孔率小而耐蚀性高之溶射皮膜，经由可简便地实施之溶射法，而形成于干蚀刻用处理室内构件之干蚀刻用处理室内构件的制造方法。解决手段系经由等离子溶射而于使用于干蚀刻用处理室内之构件，形成氧化钇涂膜之方法而解决。作为作动气体而使用H2气体及Ar气体，呈将Ar气体的流量作为60~75公升/分，而Ar气体/H2气体的流量之容积比则成为6~8地，于等离子溶射机，供给Ar气体及H2气体，而使对于H2气体而言之Ar气体的流量增加者，使等离子喷注的速度上升，且使等离子喷注之温度下降，对于该等离子喷注而言，作为原料粉末而投入粒径10~20μm之氧化钇微粉末，再溶射包含熔融于前述构件表面之氧化钇微粉末之等离子喷注。

29. 发明专利

TWI438304B 陶瓷噴塗構件與其製造方法以及陶瓷噴塗構件用研磨介質有权
简体标题：陶瓷喷涂构件与其制造方法以及陶瓷喷涂构件用研磨介质
公开(公告)号：TWI438304B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：TW098103068
申请日：2009-01-23
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：前田孝雄 , MAEDA, TAKAO , 中野瑞 , NAKANO, HAJIME , 塚谷敏彥 , TSUKATANI, TOSHIHIKO
IPC分类号： C23C4/04 , C23C4/12 , C09K3/14
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C4/10 , C23C4/11 , C23C4/134 , C23C4/18 , H01J37/32477

30. 发明专利

TWI683704B 噴嘴、皮膜形成裝置以及皮膜之形成方法有权
简体标题：喷嘴、皮膜形成设备以及皮膜之形成方法
公开(公告)号：TWI683704B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW106109308
申请日：2017-03-21
申请人：日商拓自達電線股份有限公司 , TATSUTA ELECTRIC WIRE & CABLE CO., LTD.
发明人：平野正樹
IPC分类号： B05B7/16 , C23C4/12 , B05D1/10

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