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21. 发明专利

TWI491020B 半導體基板、半導體基板之製造方法及電子裝置有权
简体标题：半导体基板、半导体基板之制造方法及电子设备
公开(公告)号：TWI491020B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW099110689
申请日：2010-04-07
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：市川磨 , ICHIKAWA, OSAMU
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/8249
CPC分类号： H01L27/0605 , H01L21/8252 , H01L29/7371 , H01L29/7785 , H01L29/7786

22. 发明专利

TWI473212B 積體電路結構及其製造方法有权
简体标题：集成电路结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI473212B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：TW099106269
申请日：2010-03-04
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：劉彥秀 , LIU, YAN HSIU
IPC分类号： H01L21/8249 , H01L21/265 , H01L27/04

23. 发明专利

TWI450383B 半導體結構、包括半導體結構之積體電路及用以製造半導體結構之方法有权
简体标题：半导体结构、包括半导体结构之集成电路及用以制造半导体结构之方法
公开(公告)号：TWI450383B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW099102997
申请日：2010-02-02
申请人：飛思卡爾半導體公司 , FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：雷納杜飛利浦 , RENAUD, PHILIPPE
IPC分类号： H01L27/10 , H01L21/8249
CPC分类号： H01L29/0847 , H01L21/746 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L29/2003 , H01L29/4175 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L29/872

24. 发明专利

TW201338159A 半導體元件與其形成方法审中-公开
简体标题：半导体组件与其形成方法
公开(公告)号：TW201338159A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101139020
申请日：2012-10-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：黃敬源 , WONG, KING-YUEN , 許竣為 , HSU, CHUN WEI , 游承儒 , YU, CHEN JU , 姚福偉 , YAO, FU WEI , 余俊磊 , YU, JIUN LEI , 楊富智 , YANG, FU CHIH , 陳柏智 , CHEN, PO CHIH
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/8249
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L21/02381 , H01L21/0254 , H01L21/26513 , H01L21/26546 , H01L21/30612 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L23/5226 , H01L27/0605 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/6609 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L29/861
摘要：本發明提供之半導體元件包括矽基板。第一III-V族化合物層位於矽基板上，而第二III-V族化合物層位於第一III-V族化合物層上。半導體元件包含的電晶體位於第一III-V族化合物層上，且位於部份第二III-V族化合物層中。半導體元件包含的二極體位於矽基板中。半導體元件包含的通孔耦合至二極體，並延伸穿過至少部份第一III-V族化合物層。通孔係電性耦合至電晶體或位於電晶體附近。
简体摘要：本发明提供之半导体组件包括硅基板。第一III-V族化合物层位于硅基板上，而第二III-V族化合物层位于第一III-V族化合物层上。半导体组件包含的晶体管位于第一III-V族化合物层上，且位于部份第二III-V族化合物层中。半导体组件包含的二极管位于硅基板中。半导体组件包含的通孔耦合至二极管，并延伸穿过至少部份第一III-V族化合物层。通孔系电性耦合至晶体管或位于晶体管附近。

25. 发明专利

TW201338131A 電阻及其製作方法审中-公开
简体标题：电阻及其制作方法
公开(公告)号：TW201338131A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101107436
申请日：2012-03-06
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：邱春茂 , CHIOU, CHUN MAO , 陳俤彬 , CHEN, TI BIN , 郭聰敏 , KUO, TSUNG MIN , 周賢亮 , CHOU, SHYAN LIANG , 王堯展 , WANG, YAO CHANG , 曾紀昇 , TSENG, CHI SHENG , 楊傑甯 , YANG, JIE NING , 廖柏瑞 , LIAO, PO JUI
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/8249
摘要：一種具有金屬閘極之電晶體與電阻之製作方法，首先提供一定義有一電晶體區與一電阻區之基底，且該電晶體區內設置有一電晶體，該電阻區內設置有一電阻。接下來於該基底上形成一介電層，且該介電層暴露該電晶體與該電阻之頂部。形成該介電層之後，進行一第一蝕刻製程移除部分該電阻，以於該電阻之兩端分別形成一第一溝渠，隨後於該電阻區內形成一圖案化保護層，並進行一第二蝕刻製程移除該電晶體之一虛置閘極，以於該電晶體內形成一第二溝渠。最後於該基底上形成一金屬層，且該金屬層填滿該等第一溝渠與該第二溝渠。
简体摘要：一种具有金属闸极之晶体管与电阻之制作方法，首先提供一定义有一晶体管区与一电阻区之基底，且该晶体管区内设置有一晶体管，该电阻区内设置有一电阻。接下来于该基底上形成一介电层，且该介电层暴露该晶体管与该电阻之顶部。形成该介电层之后，进行一第一蚀刻制程移除部分该电阻，以于该电阻之两端分别形成一第一沟渠，随后于该电阻区内形成一图案化保护层，并进行一第二蚀刻制程移除该晶体管之一虚置闸极，以于该晶体管内形成一第二沟渠。最后于该基底上形成一金属层，且该金属层填满该等第一沟渠与该第二沟渠。

26. 发明专利

TWI588972B 半導體元件及其製備方法有权
简体标题：半导体组件及其制备方法
公开(公告)号：TWI588972B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW105105573
申请日：2016-02-25
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：秀明土子 , HIDEAKI, TSUCHIKO , 雷燮光 , LUI, SIK
IPC分类号： H01L27/07 , H01L21/8249
CPC分类号： H01L21/761 , H01L21/26586 , H01L21/266 , H01L21/823878 , H01L21/823892 , H01L29/0619 , H01L29/063 , H01L29/0646 , H01L29/0692 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/1008 , H01L29/1058 , H01L29/1066 , H01L29/42368 , H01L29/6625 , H01L29/66272 , H01L29/732 , H01L29/735 , H01L29/7816 , H01L29/7835 , H01L29/808

27. 发明专利

TWI538224B 具有整合二極體之自對準溝槽之金氧半場效應電晶體元件及其製備方法有权
简体标题：具有集成二极管之自对准沟槽之金氧半场效应晶体管组件及其制备方法
公开(公告)号：TWI538224B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW103104653
申请日：2011-10-26
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：雷燮光 , LUI, SIK , 叭剌安荷 , BHALLA, ANUP
IPC分类号： H01L29/812 , H01L21/8249
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L21/76877 , H01L21/7688 , H01L27/0635 , H01L27/10823 , H01L27/10876 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/456 , H01L29/47 , H01L29/66348 , H01L29/66666 , H01L29/66704 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7395 , H01L29/7804 , H01L29/7805 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/8613 , H01L29/872

28. 发明专利

TW201620081A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201620081A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW105102036
申请日：2010-11-11
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 加藤清 , KATO, KIYOSHI
IPC分类号： H01L21/8249 , G11C16/02
CPC分类号： G11C7/10 , G11C5/06 , G11C5/147 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C7/22 , G11C8/08 , G11C11/24 , G11C11/4097 , G11C16/0433 , G11C16/28 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L23/528 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/26 , H01L29/78 , H01L29/78603 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發之目的在於提供一種半導體裝置，其組合整合於相同基板上之電晶體，其中電晶體包含於其通道形成區中之氧化物半導體以及電晶體包含於其通道形成區中之非氧化物半導體。本發明之應用在於實現實質上非易失性半導體記憶體，其不需特別擦除工作並不會遭受由於重覆寫入工作所產生之損害。此外，半導體裝置受適當調配以儲存多值。於說明內容中詳細地說明了製造方法、應用電路及驅動/讀出方法。
简体摘要：本发之目的在于提供一种半导体设备，其组合集成于相同基板上之晶体管，其中晶体管包含于其信道形成区中之氧化物半导体以及晶体管包含于其信道形成区中之非氧化物半导体。本发明之应用在于实现实质上非易失性半导体内存，其不需特别擦除工作并不会遭受由于重复写入工作所产生之损害。此外，半导体设备受适当调配以存储多值。于说明内容中详细地说明了制造方法、应用电路及驱动/读出方法。

29. 发明专利

TW201620080A 用於非平面輸出電晶體之非平面靜電放電裝置及其共同製造审中-公开
简体标题：用于非平面输出晶体管之非平面静电放电设备及其共同制造
公开(公告)号：TW201620080A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104111393
申请日：2015-04-09
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：李建興 , LEE, JIAN-HSING , 史恩嘉卡爾 , SINGH, JAGAR , 波拉華馬鈉沙 , PRABHU, MANJUNATHA , 庫瑪爾安爾 , KUMAR, ANIL , 納塔拉恩馬哈德瓦爾 , NATARAJAN, MAHADEVA LYER , 李明華 , CHI, MIN-HWA
IPC分类号： H01L21/8249 , H01L27/02 , H01L27/06
CPC分类号： H01L27/0259
摘要：保護非平面輸出電晶體不受靜電放電(ESD)事件侵襲的技術，其包括：提供非平面半導體結構，該結構包含具有屬於n型或p型之阱的半導體基板。該所提供之非平面結構更包含耦合至該基板的一或數個增高半導體結構以及類型與該阱相反的一或數個非平面電晶體，各個電晶體係位於該一或數個增高結構的其中一個上，該一或數個非平面電晶體各自包含源極、汲極及閘極，該非平面結構更包含在該一或數個增高結構上的一或數個寄生雙載子接面電晶體(BJT)，各個BJT包含位於該增高結構上的集極及射極以及作為該阱的基極，以及包含用於該BJT之該基極的阱接觸。保護該等非平面輸出電晶體的技術更包含使該非平面電晶體之該汲極及該BJT之該集極電耦合至電路的輸出，以及使該非平面電晶體之該源極、該BJT之該射極及該阱接觸電耦合至該電路之接地。
简体摘要：保护非平面输出晶体管不受静电放电(ESD)事件侵袭的技术，其包括：提供非平面半导体结构，该结构包含具有属于n型或p型之阱的半导体基板。该所提供之非平面结构更包含耦合至该基板的一或数个增高半导体结构以及类型与该阱相反的一或数个非平面晶体管，各个晶体管系位于该一或数个增高结构的其中一个上，该一或数个非平面晶体管各自包含源极、汲极及闸极，该非平面结构更包含在该一或数个增高结构上的一或数个寄生双载子接面晶体管(BJT)，各个BJT包含位于该增高结构上的集极及射极以及作为该阱的基极，以及包含用于该BJT之该基极的阱接触。保护该等非平面输出晶体管的技术更包含使该非平面晶体管之该汲极及该BJT之该集极电耦合至电路的输出，以及使该非平面晶体管之该源极、该BJT之该射极及该阱接触电耦合至该电路之接地。

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