专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明专利

TWI434960B 金屬箔電解析出裝置有权
简体标题：金属箔电解析出设备
公开(公告)号：TWI434960B
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：TW100131703
申请日：2011-09-02
申请人：西工業股份有限公司 , NISHI INDUSTRY CO., LTD.
发明人：西禎造 , NISHI, TEIZO
IPC分类号： C25D11/02

22. 发明专利

TW201321740A 表面具有微細凹凸結構之構件的檢查裝置及檢查方法、表面具有陽極氧化氧化鋁層的構件的製造方法以及光學膜的製造方法审中-公开
简体标题：表面具有微细凹凸结构之构件的检查设备及检查方法、表面具有阳极氧化氧化铝层的构件的制造方法以及光学膜的制造方法
公开(公告)号：TW201321740A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101135143
申请日：2012-09-25
申请人：三菱麗陽股份有限公司 , MITSUBISHI RAYON CO., LTD.
发明人：福山三文 , FUKUYAMA, MITSUFUMI , 石丸輝太 , ISHIMARU, TERUTA , 松原雄二 , MATSUBARA, YUUJI
IPC分类号： G01N21/84 , C25D11/02
CPC分类号： G01N21/952 , G01N21/956
摘要：本發明提供一種可簡易地檢查陽極氧化氧化鋁的表面的微細凹凸結構的形狀或陽極氧化氧化鋁的厚度的檢查裝置及檢查方法等。本發明的陽極氧化氧化鋁的檢查裝置的特徵在於包括：對檢查對象的陽極氧化氧化鋁照射光的照射元件22、對通過偏光元件的光進行攝像的攝像元件24、使自照射元件照射的光偏光的偏光元件28、以及根據由藉由攝像元件攝像的圖像獲得的顏色資訊判定陽極氧化氧化鋁的狀態是否良好的圖像處理元件26。
简体摘要：本发明提供一种可简易地检查阳极氧化氧化铝的表面的微细凹凸结构的形状或阳极氧化氧化铝的厚度的检查设备及检查方法等。本发明的阳极氧化氧化铝的检查设备的特征在于包括：对检查对象的阳极氧化氧化铝照射光的照射组件22、对通过偏光组件的光进行摄像的摄像组件24、使自照射组件照射的光偏光的偏光组件28、以及根据由借由摄像组件摄像的图像获得的颜色信息判定阳极氧化氧化铝的状态是否良好的图像处理组件26。

23. 发明专利

TW201311941A 金屬箔電解析出裝置审中-公开
简体标题：金属箔电解析出设备
公开(公告)号：TW201311941A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW100131703
申请日：2011-09-02
申请人：西工業股份有限公司 , NISHI INDUSTRY CO., LTD.
发明人：西禎造 , NISHI, TEIZO
IPC分类号： C25D11/02
摘要：藉由將陽極板之設置有供電端子之面側面臨著槽外，且實現電解槽之單槽化，提供連接於供電端子之電纜能夠從槽外拆裝自如之金屬箔電解析出裝置。在電解槽之底板部，形成與槽外連通之窗部，陽極板係藉由以堵塞窗部之方式被安裝於底板部，具有與陰極筒體對向之電解面，和露出於槽外之露出面，在露出面設置有以特定之圖案所配置之複數之供電端子，在陽極板之周緣部和窗部之周緣之間，設置有防止電解液從窗部漏出至槽外之環狀之密封手段，具備回收從電解槽溢流之電解液的回收手段，複數之供電端子係構成以各電纜從槽外各自裝卸自如之方式，經窗部而面臨槽外。
简体摘要：借由将阳极板之设置有供电端子之面侧面临着槽外，且实现电解槽之单槽化，提供连接于供电端子之电缆能够从槽外拆装自如之金属箔电解析出设备。在电解槽之底板部，形成与槽外连通之窗部，阳极板系借由以堵塞窗部之方式被安装于底板部，具有与阴极筒体对向之电解面，和露出于槽外之露出面，在露出面设置有以特定之图案所配置之复数之供电端子，在阳极板之周缘部和窗部之周缘之间，设置有防止电解液从窗部漏出至槽外之环状之密封手段，具备回收从电解槽溢流之电解液的回收手段，复数之供电端子系构成以各电缆从槽外各自装卸自如之方式，经窗部而面临槽外。

24. 发明专利

TW201302502A 填充式工件表面飾化方法审中-公开
简体标题：填充式工件表面饰化方法
公开(公告)号：TW201302502A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW100123956
申请日：2011-07-06
申请人：詹塗城
发明人：詹塗城
IPC分类号： B44C3/10 , C25D11/02
摘要：本發明係關於一種填充式工件表面飾化方法，其步驟至少包括：於一工件表面以陽極處理形成多孔之保護膜；以該孔之縱深形成開口向上之陽極管胞；繼而由該開口填充色料於該陽極管胞；加壓至乾燥；然後該工件表面浸沒於一封孔劑，以對該之陽極管胞完成封口；取出已完成表面之保護膜封孔程序之工件乾燥後固型。
简体摘要：本发明系关于一种填充式工件表面饰化方法，其步骤至少包括：于一工件表面以阳极处理形成多孔之保护膜；以该孔之纵深形成开口向上之阳极管胞；继而由该开口填充色料于该阳极管胞；加压至干燥；然后该工件表面浸没于一封孔剂，以对该之阳极管胞完成封口；取出已完成表面之保护膜封孔进程之工件干燥后固型。

25. 发明专利

TW202003927A 表面處理金屬材料、表面處理金屬材料之製造方法、及電子零件审中-公开
简体标题：表面处理金属材料、表面处理金属材料之制造方法、及电子零件
公开(公告)号：TW202003927A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108108575
申请日：2019-03-14
申请人：日商JX金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：遠藤智 , ENDO, SATORU
IPC分类号： C25D5/12 , C25D5/50 , C25D11/02 , H01B5/02 , H01B13/00 , B32B7/02 , B32B15/01
摘要：本發明提供一種接觸電阻與插入力得以良好地抑制之表面處理金屬材料。表面處理金屬材料具備：基材、形成於基材上之由Ni所構成之下層、形成於下層上之由Ni3Sn4合金所構成之中層、及形成於中層上之由Ag3Sn合金所構成之上層。下層之厚度為0.5 μm以上且3.0 μm以下，中層之厚度為0.03 μm以上且0.20 μm以下，上層之厚度為0.25 μm以上且0.55 μm以下，根據自上層側表面之EDS分析，Ag3Sn面積率為97%以上，且上層側表面之氧化膜之厚度未達2 nm。
简体摘要：本发明提供一种接触电阻与插入力得以良好地抑制之表面处理金属材料。表面处理金属材料具备：基材、形成于基材上之由Ni所构成之下层、形成于下层上之由Ni3Sn4合金所构成之中层、及形成于中层上之由Ag3Sn合金所构成之上层。下层之厚度为0.5 μm以上且3.0 μm以下，中层之厚度为0.03 μm以上且0.20 μm以下，上层之厚度为0.25 μm以上且0.55 μm以下，根据自上层侧表面之EDS分析，Ag3Sn面积率为97%以上，且上层侧表面之氧化膜之厚度未达2 nm。

26. 发明专利

TWI639732B 用於電鍍黏附之陽極氧化架構有权
简体标题：用于电镀黏附之阳极氧化架构
公开(公告)号：TWI639732B
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107110917
申请日：2014-08-25
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：孫語南 , SUN,JENNIFER Y. , 卡農哥比拉賈P , KANUNGO,BIRAJA P.
IPC分类号： C25D11/02 , C25D11/12 , C25D11/20 , C25D17/00 , C25D5/44 , H01L21/288

27. 发明专利

TW201837244A 用於半導體製造部件之高純度金屬頂塗層审中-公开
简体标题：用于半导体制造部件之高纯度金属顶涂层
公开(公告)号：TW201837244A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107124724
申请日：2014-11-07
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：孫語南 , SUN,JENNIFER Y. , 菲路茲朵爾維希德 , FIROUZDOR,VAHID
IPC分类号： C25D11/02
摘要：一種用於對在半導體製造腔室中用於電漿蝕刻之部件進行塗佈之方法，該方法包括提供用於半導體製造腔室中之部件，將部件載入沉積腔室，將金屬粉末冷噴塗佈在部件上以在部件上形成塗層，及陽極化該塗層以形成陽極化層。
简体摘要：一种用于对在半导体制造腔室中用于等离子蚀刻之部件进行涂布之方法，该方法包括提供用于半导体制造腔室中之部件，将部件加载沉积腔室，将金属粉末冷喷涂布在部件上以在部件上形成涂层，及阳极化该涂层以形成阳极化层。

28. 发明专利

TW201829853A 金屬拋光與氧化膜製程方法及其系統审中-公开
简体标题：金属抛光与氧化膜制程方法及其系统
公开(公告)号：TW201829853A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106103766
申请日：2017-02-06
申请人：明志科技大學 , MING CHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
发明人：彭坤增 , 蘇柏諺 , 王威惇 , 曾柏揚 , 李春穎
IPC分类号： C25F3/16 , C25D11/02
摘要：本發明係一種金屬拋光與氧化膜製程方法，係應用於一金屬物件。金屬拋光與氧化膜製程方法包含(a)將該金屬物件設置於一電解液電解液；(b)一溫控裝置控制電解液的一液體溫度；(c)一電壓裝置在金屬物件與電解液間施加一操作電壓；(d)藉由調整溫控裝置與電壓裝置，以在金屬物件表面拋光與形成一氧化層；以及(e)根據一操作時間，以決定氧化層形成在金屬物件的一膜厚。其中，膜厚相關於金屬物件呈現的一粗造度與一顏色。藉由本發明，金屬物件可以在拋光的過程中一併進行染色，而毋需添加任何的染料。本發明另提供一種金屬拋光與氧化膜製程系統。
简体摘要：本发明系一种金属抛光与氧化膜制程方法，系应用于一金属对象。金属抛光与氧化膜制程方法包含(a)将该金属对象设置于一电解液电解液；(b)一温控设备控制电解液的一液体温度；(c)一电压设备在金属对象与电解液间施加一操作电压；(d)借由调整温控设备与电压设备，以在金属对象表面抛光与形成一氧化层；以及(e)根据一操作时间，以决定氧化层形成在金属对象的一膜厚。其中，膜厚相关于金属对象呈现的一粗造度与一颜色。借由本发明，金属对象可以在抛光的过程中一并进行染色，而毋需添加任何的染料。本发明另提供一种金属抛光与氧化膜制程系统。

29. 发明专利

TWI612183B 一種電化學加工電極及其製造方法有权
简体标题：一种电化学加工电极及其制造方法
公开(公告)号：TWI612183B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW105129659
申请日：2016-09-12
申请人：逢甲大學
发明人：洪榮洲 , 古智陽 , 許宏華 , 彭勳章 , 劉宗榮 , 葛明德
IPC分类号： C25D17/10 , C25D11/02

30. 发明专利

TW201704484A 低介電常數樹脂基材用處理銅箔及使用該處理銅箔的覆銅層壓板以及印刷配線板审中-公开
简体标题：低介电常数树脂基材用处理铜箔及使用该处理铜箔的覆铜层压板以及印刷配线板
公开(公告)号：TW201704484A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105112131
申请日：2016-04-19
申请人：福田金屬箔粉工業股份有限公司 , FUKUDA METAL FOIL & POWDER CO., LTD.
发明人：岡本健 , OKAMOTO, TAKESHI , 真鍋久德 , MANABE, HISANORI
IPC分类号： C22C9/00 , C23C28/00 , C23C26/00 , C25D11/02 , C25D11/38 , C25D7/06 , H05K1/09
摘要：本發明公開了一種低介電常數樹脂基材用處理銅箔及使用該處理銅箔的覆銅層壓板以及印刷配線板，該處理銅箔相對於低介電常數基材也具備高的剝離強度，且傳遞特性優異。在未處理銅箔的至少一面具備粗化處理層，在所述粗化處理層上具備抗氧化處理層，所述低介電常數樹脂的1GHz以上頻率的介電損耗角正切為0.005以下，其中，所述粗化處理層由粒徑為300~600nm的銅粒子形成，所述抗氧化處理層含有鉬和鈷，與樹脂基材黏接的處理面的十點平均粗糙度Rz為0.6~2.0μm，且所述未處理銅箔和所述處理面的色差△E*ab為35~55。
简体摘要：本发明公开了一种低介电常数树脂基材用处理铜箔及使用该处理铜箔的覆铜层压板以及印刷配线板，该处理铜箔相对于低介电常数基材也具备高的剥离强度，且传递特性优异。在未处理铜箔的至少一面具备粗化处理层，在所述粗化处理层上具备抗氧化处理层，所述低介电常数树脂的1GHz以上频率的介电损耗角正切为0.005以下，其中，所述粗化处理层由粒径为300~600nm的铜粒子形成，所述抗氧化处理层含有钼和钴，与树脂基材黏接的处理面的十点平均粗糙度Rz为0.6~2.0μm，且所述未处理铜箔和所述处理面的色差△E*ab为35~55。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式