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22. 发明专利

TWI372173B 熱硬化型黏晶膜 THERMOSETTING DIE BOND FILM 有权
简体标题：热硬化型黏晶膜 THERMOSETTING DIE BOND FILM
公开(公告)号：TWI372173B
公开(公告)日：2012-09-11
申请号：TW097105552
申请日：2008-02-18
申请人：日東電工股份有限公司
发明人：高本尚英
IPC分类号： C09J , H01L
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/6836 , H01L23/3121 , H01L23/49513 , H01L23/49575 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83192 , H01L2224/83855 , H01L2224/83885 , H01L2224/85001 , H01L2224/85201 , H01L2224/85205 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06575 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/3025 , Y10T428/28 , H01L2924/0635 , H01L2924/066 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
摘要：本發明提供一種與被黏接體的密著性優異、且拾取性良好的熱硬化型黏晶膜及具有上述熱硬化型黏晶膜的切割黏晶膜。本發明之熱硬化型黏晶膜是在製造半導體裝置時使用的熱硬化型黏晶膜，其特徵為：含有15 wt%~30 wt%的熱可塑性樹脂成分及60 wt%~70 wt%的熱硬化性樹脂成分作為主要成分，熱硬化前的表面自由能大於等於37 mJ/m2且小於40 mJ/m2。
简体摘要：本发明提供一种与被黏接体的密着性优异、且十取性良好的热硬化型黏晶膜及具有上述热硬化型黏晶膜的切割黏晶膜。本发明之热硬化型黏晶膜是在制造半导体设备时使用的热硬化型黏晶膜，其特征为：含有15 wt%~30 wt%的热可塑性树脂成分及60 wt%~70 wt%的热硬化性树脂成分作为主要成分，热硬化前的表面自由能大于等于37 mJ/m2且小于40 mJ/m2。

23. 发明专利

TW201127930A 附晶圓切割片的黏著膜以及其製造方法 ADHESIVE FILM WITH DICING SHEET AND FABRICATING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：附晶圆切割片的黏着膜以及其制造方法 ADHESIVE FILM WITH DICING SHEET AND FABRICATING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201127930A
公开(公告)日：2011-08-16
申请号：TW099129116
申请日：2010-08-30
申请人：日東電工股份有限公司
发明人：菅生悠樹 , 天野康弘 , 松村健 , 村田修平
IPC分类号： C09J , B32B , H01L
CPC分类号： H01L24/29 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/83856 , H01L2224/85001 , H01L2224/85201 , H01L2224/85205 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2225/06575 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/0106 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/3025 , Y10T156/10 , Y10T428/1476 , Y10T428/2848 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
摘要：本發明提供一種帶有切割片的膠黏薄膜及其製造方法，所述帶有切割片的膠黏薄膜在基材上具有黏合劑層，並且在該黏合劑層上具有以可剝離的方式設置的膠黏薄膜，即使在半導體晶圓為薄型的情況下也無損將其進行切割時的保持力，並且將藉由切割得到的半導體晶片與該膠黏薄膜一體剝離時的剝離性優良。本發明的帶有切割片的膠黏薄膜，在基材上依次積層有黏合劑層和膠黏劑層，其中，所述黏合劑層中，與所述膠黏劑層的黏貼面的至少一部分區域的Si-Kα射線強度為0.01kcps~100kcps。
简体摘要：本发明提供一种带有切割片的胶黏薄膜及其制造方法，所述带有切割片的胶黏薄膜在基材上具有黏合剂层，并且在该黏合剂层上具有以可剥离的方式设置的胶黏薄膜，即使在半导体晶圆为薄型的情况下也无损将其进行切割时的保持力，并且将借由切割得到的半导体芯片与该胶黏薄膜一体剥离时的剥离性优良。本发明的带有切割片的胶黏薄膜，在基材上依次积层有黏合剂层和胶黏剂层，其中，所述黏合剂层中，与所述胶黏剂层的黏贴面的至少一部分区域的Si-Kα射线强度为0.01kcps~100kcps。

24. 发明专利

TWI331784B 半導體裝置的製造方法 MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR EQUIPMENT 有权
简体标题：半导体设备的制造方法 MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR EQUIPMENT
公开(公告)号：TWI331784B
公开(公告)日：2010-10-11
申请号：TW093135056
申请日：2004-11-16
申请人：日東電工股份有限公司
发明人：三隅貞仁 , 松村健 , 細川和人 , 近藤廣行
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/85 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83856 , H01L2224/83885 , H01L2224/85001 , H01L2224/85205 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/3011 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2924/20752
摘要：本發明之半導體裝置的製造方法為含有透過接著片使半導體元件暫時黏著在基板等上之暫時黏著製程；以及不經過加熱製程，進行打線接合之打線接合製程之半導體裝置的製造方法，其特徵在於上述接著片對被接著體的暫時黏著時的剪切接著力為大於等於0.2MPa。因而可以提供能夠提昇產率且可以簡化製程的半導體裝置的製造方法、使用此方法之接著片及由該方法所得到之半導體裝置。 A manufacturing method of semiconductor equipment in the present invention includes a temporary adhering process for provisionally fastening a semiconductor device on a substrate through an adhesive sheet, and a wire bonding process for bonding the wire without a heating process. The present invention is characterized in that the shear adhesive force of the adhesion sheet provisionally fastening the substrate is greater than or equal to 0.2MPa. Thus, a manufacturing method of semiconductor equipment capable of increasing the yield and simplifying the manufacturing process, an adhesion sheet applied in the method and a semiconductor manufactured in the method are provided. 【創作特點】然而，因為在進行打線接合之前加熱接著片，有所謂從接著片產生揮發氣體的問題點。揮發氣體會污染銲墊，在大多的情況下，就會變的無法進行打線接合。
而且，因為加熱硬化接著片也會產生該接著片等的硬化收縮等。伴隨硬化收縮所產生的應力，有所謂的使引線框架或基板(同時，也包括半導體元件)產生彎曲的問題點。此外，在打線接合製程中，也會有所謂因應力而使半導體元件產生裂痕的問題點。近年來，伴隨著半導體元件的薄型化．小型化，在考慮目前半導體元件的厚度從200微米以下，甚至薄到100微米以下的情況，基板等之彎曲及半導體元件的裂痕之問題就變的更為深刻，解決這些問題就變的越來越重要。
有鑑於上述之問題點，本發明之目的為提供一種可以提昇產率且可以簡化製程的半導體裝置的製造方法、使用此方法之接著片及由該方法所得到之半導體裝置。
為了解決上述之問題，本發明之半導體裝置的製造方法包括透過接著片使半導體元件暫時黏著在被接著體上之暫時黏著製程，不經過加熱製程，然後進行打線接合之打線接合製程，其特徵在於上述接著片對被接著體的暫時黏著時的剪切接著力為大於等於0.2MPa。
上述被接著體較佳為基板、引線框架或半導體元件。
而且，本發明之半導體裝置的製造方法包括由封裝樹脂封裝上述半導體元件之封裝製程與進行上述封裝樹脂之後硬化的後硬化製程。在上述封裝製程及/或後硬化製程中，藉由加熱以硬化封裝樹脂，並且可以藉由上述接著片使半導體元件與被接著體黏著在一起。
在上述被接著體為半導體元件的情況下，包括在半導體元件與半導體元件之間，透過上述接著片堆疊間隔墊堆疊製程，上述接著片對間隔墊或半導體元件的暫時黏著時的剪切接著力較佳為大於等於0.2MPa。
而且，在上述封裝製程及/或後硬化製程中，利用加熱使封裝樹脂硬化，並且透過上述接著片使半導體元件與間隔墊黏著在一起。
上述打線接合製程較佳是在80℃~250℃之溫度中進行。
而且，就上述接著片而言，可以使用含有熱可塑性樹脂的接著片。此外，就上述接著片而言，可以使用含有熱硬化性樹脂與熱可塑性樹脂兩者的接著片。
在此，就上述熱硬化性樹脂而言，較佳是使用環氧樹脂及/或苯酚樹脂。就上述熱可塑性樹脂而言，較佳是使用丙烯酸酯樹脂。
此外，在使用合併使用熱硬化性樹脂與熱可塑性樹脂的材料作為上述接著片的情況下，較佳是使用添加有交聯劑的接著片。
而且，為了解決上述的問題，本發明之接著片係為在一半導體裝置之製造方法中所使用之接著片，此半導體裝置之製造方法包括透過接著片使半導體元件暫時黏著在被接著體上之暫時黏著製程，不經過加熱製程，然後進行打線接合之打線接合製程，其中上述接著片對被接著體的暫時黏著時的剪切接著力為大於等於0.2MPa。
而且，為了解決上述的問題，本發明之半導體裝置係為由一半導體裝置之製造方法所得到的產品，此半導體裝置之製造方法包括透過接著片使半導體元件暫時黏著在被接著體上之暫時黏著製程，不經過加熱製程，然後進行打線接合之打線接合製程，其中所使用的上述接著片對被接著體的暫時黏著時的剪切接著力為大於等於0.2MPa。
藉由本發明之構成，由於接著片對被接著體的暫時黏著時的剪切接著力為大於等於0.2MPa，即使省略接著片的加熱製程而直接移送到打線接合製程，在該製程中經過超音波振動或加熱，在接著片與被接著體之接著面也不會產生滑動變形。因此，抑制產率降低的打線接合就成為可能。
而且，在習知的製造方法中，在打線接合製程之前進行接著片的加熱，由該加熱所產生的來自接著片的揮發氣體會污染銲墊。但是，由於本發明不需要那樣的製程，因此可以謀求產率的提昇。此外，藉由省略加熱接著片之製程，也就不會有例如基板產生彎曲及半導體元件上產生裂痕等現象。結果，半導體元件進一步的薄型化也成為可能。
而且，利用上述接著片的黏著，由於可以與在封裝封裝樹脂之樹脂封裝製程及/或上述樹脂封裝製程後進行的封裝樹脂的後硬化製程中的加熱一起進行，因此可以謀求製程的簡單化。
在此，由於上述打線接合製程是在80℃~250℃之溫度中進行數秒至數分鐘，在該製程中，藉由接著片並不會使半導體元件與被接著體完全地黏著在一起。
而且，就上述接著片而言，可以使用含有熱可塑性樹脂的材料，或者也可以使用含有熱硬化性樹脂與熱可塑性樹脂兩者的材料。
在此，就上述熱硬化性樹脂而言，較佳是使用環氧樹脂及/或苯酚樹脂。就上述熱可塑性樹脂而言，較佳是使用丙烯酸酯樹脂。這些樹脂由於離子性不純物少且耐熱性高，而可以確保半導體元件的可靠度。
此外，就上述接著片而言，較佳是使用添加有交聯劑的材料。
如上所述，於上述半導體元件上透過上述接著片而堆疊1或2以上的半導體元件的情況或視實際需要而在上述半導體元件與半導體元件之間透過上述接著片而堆疊間隔物(墊片)的情況可達到相同的作用效果。而且，上述製程的簡單化，在多數個半導體元件的3次元封裝中，可以謀求製造效率的進一步提昇。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
简体摘要：本发明之半导体设备的制造方法为含有透过接着片使半导体组件暂时黏着在基板等上之暂时黏着制程；以及不经过加热制程，进行打线接合之打线接合制程之半导体设备的制造方法，其特征在于上述接着片对被接着体的暂时黏着时的剪切接着力为大于等于0.2MPa。因而可以提供能够提升产率且可以简化制程的半导体设备的制造方法、使用此方法之接着片及由该方法所得到之半导体设备。 A manufacturing method of semiconductor equipment in the present invention includes a temporary adhering process for provisionally fastening a semiconductor device on a substrate through an adhesive sheet, and a wire bonding process for bonding the wire without a heating process. The present invention is characterized in that the shear adhesive force of the adhesion sheet provisionally fastening the substrate is greater than or equal to 0.2MPa. Thus, a manufacturing method of semiconductor equipment capable of increasing the yield and simplifying the manufacturing process, an adhesion sheet applied in the method and a semiconductor manufactured in the method are provided. 【创作特点】然而，因为在进行打线接合之前加热接着片，有所谓从接着片产生挥发气体的问题点。挥发气体会污染焊垫，在大多的情况下，就会变的无法进行打线接合。而且，因为加热硬化接着片也会产生该接着片等的硬化收缩等。伴随硬化收缩所产生的应力，有所谓的使引线框架或基板(同时，也包括半导体组件)产生弯曲的问题点。此外，在打线接合制程中，也会有所谓因应力而使半导体组件产生裂痕的问题点。近年来，伴随着半导体组件的薄型化．小型化，在考虑目前半导体组件的厚度从200微米以下，甚至薄到100微米以下的情况，基板等之弯曲及半导体组件的裂痕之问题就变的更为深刻，解决这些问题就变的越来越重要。有鉴于上述之问题点，本发明之目的为提供一种可以提升产率且可以简化制程的半导体设备的制造方法、使用此方法之接着片及由该方法所得到之半导体设备。为了解决上述之问题，本发明之半导体设备的制造方法包括透过接着片使半导体组件暂时黏着在被接着体上之暂时黏着制程，不经过加热制程，然后进行打线接合之打线接合制程，其特征在于上述接着片对被接着体的暂时黏着时的剪切接着力为大于等于0.2MPa。上述被接着体较佳为基板、引线框架或半导体组件。而且，本发明之半导体设备的制造方法包括由封装树脂封装上述半导体组件之封装制程与进行上述封装树脂之后硬化的后硬化制程。在上述封装制程及/或后硬化制程中，借由加热以硬化封装树脂，并且可以借由上述接着片使半导体组件与被接着体黏着在一起。在上述被接着体为半导体组件的情况下，包括在半导体组件与半导体组件之间，透过上述接着片堆栈间隔垫堆栈制程，上述接着片对间隔垫或半导体组件的暂时黏着时的剪切接着力较佳为大于等于0.2MPa。而且，在上述封装制程及/或后硬化制程中，利用加热使封装树脂硬化，并且透过上述接着片使半导体组件与间隔垫黏着在一起。上述打线接合制程较佳是在80℃~250℃之温度中进行。而且，就上述接着片而言，可以使用含有热可塑性树脂的接着片。此外，就上述接着片而言，可以使用含有热硬化性树脂与热可塑性树脂两者的接着片。在此，就上述热硬化性树脂而言，较佳是使用环氧树脂及/或苯酚树脂。就上述热可塑性树脂而言，较佳是使用丙烯酸酯树脂。此外，在使用合并使用热硬化性树脂与热可塑性树脂的材料作为上述接着片的情况下，较佳是使用添加有交联剂的接着片。而且，为了解决上述的问题，本发明之接着片系为在一半导体设备之制造方法中所使用之接着片，此半导体设备之制造方法包括透过接着片使半导体组件暂时黏着在被接着体上之暂时黏着制程，不经过加热制程，然后进行打线接合之打线接合制程，其中上述接着片对被接着体的暂时黏着时的剪切接着力为大于等于0.2MPa。而且，为了解决上述的问题，本发明之半导体设备系为由一半导体设备之制造方法所得到的产品，此半导体设备之制造方法包括透过接着片使半导体组件暂时黏着在被接着体上之暂时黏着制程，不经过加热制程，然后进行打线接合之打线接合制程，其中所使用的上述接着片对被接着体的暂时黏着时的剪切接着力为大于等于0.2MPa。借由本发明之构成，由于接着片对被接着体的暂时黏着时的剪切接着力为大于等于0.2MPa，即使省略接着片的加热制程而直接移送到打线接合制程，在该制程中经过超音波振动或加热，在接着片与被接着体之接着面也不会产生滑动变形。因此，抑制产率降低的打线接合就成为可能。而且，在习知的制造方法中，在打线接合制程之前进行接着片的加热，由该加热所产生的来自接着片的挥发气体会污染焊垫。但是，由于本发明不需要那样的制程，因此可以谋求产率的提升。此外，借由省略加热接着片之制程，也就不会有例如基板产生弯曲及半导体组件上产生裂痕等现象。结果，半导体组件进一步的薄型化也成为可能。而且，利用上述接着片的黏着，由于可以与在封装封装树脂之树脂封装制程及/或上述树脂封装制程后进行的封装树脂的后硬化制程中的加热一起进行，因此可以谋求制程的简单化。在此，由于上述打线接合制程是在80℃~250℃之温度中进行数秒至数分钟，在该制程中，借由接着片并不会使半导体组件与被接着体完全地黏着在一起。而且，就上述接着片而言，可以使用含有热可塑性树脂的材料，或者也可以使用含有热硬化性树脂与热可塑性树脂两者的材料。在此，就上述热硬化性树脂而言，较佳是使用环氧树脂及/或苯酚树脂。就上述热可塑性树脂而言，较佳是使用丙烯酸酯树脂。这些树脂由于离子性不纯物少且耐热性高，而可以确保半导体组件的可靠度。此外，就上述接着片而言，较佳是使用添加有交联剂的材料。如上所述，于上述半导体组件上透过上述接着片而堆栈1或2以上的半导体组件的情况或视实际需要而在上述半导体组件与半导体组件之间透过上述接着片而堆栈间隔物(垫片)的情况可达到相同的作用效果。而且，上述制程的简单化，在多数个半导体组件的3次元封装中，可以谋求制造效率的进一步提升。为让本发明之上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

25. 发明专利

TW201028240A 複合金線的製法及其成品（一）审中-公开
简体标题：复合金线的制法及其成品（一）
公开(公告)号：TW201028240A
公开(公告)日：2010-08-01
申请号：TW098102769
申请日：2009-01-23
申请人：李俊德
发明人：李俊德
IPC分类号： B23K , C22C
CPC分类号： H01L24/745 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2924/00011 , H01L2924/01046 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/01201 , H01L2924/00015 , H01L2924/20751 , H01L2924/20101 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/01049 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005
摘要：本發明提供一種複合金線之製法，包含：提供一為銀成份之主要金屬原料；將該主要金屬原料置於一真空熔爐中，並在該真空熔爐中加入不同比例純鈀金屬為次要金屬原料調配後，進行混合熔煉，以製成一銀鈀合金融熔液體；然後，將銀鈀合金融熔液體經由連續鑄造再引拔拉伸成一銀鈀合金線材；最後，將銀鈀合金線材拉伸為一預定線徑的銀鈀合金銲線。藉由銀及鈀兩種金屬原料調配製成之銀鈀合金銲線，不僅能達到純金製成的金屬銲線的功效，且可大幅降低成本。
简体摘要：本发明提供一种复合金线之制法，包含：提供一为银成份之主要金属原料；将该主要金属原料置于一真空熔炉中，并在该真空熔炉中加入不同比例纯钯金属为次要金属原料调配后，进行混合熔炼，以制成一银钯合金融熔液体；然后，将银钯合金融熔液体经由连续铸造再引拔拉伸成一银钯合金线材；最后，将银钯合金线材拉伸为一预定线径的银钯合金焊线。借由银及钯两种金属原料调配制成之银钯合金焊线，不仅能达到纯金制成的金属焊线的功效，且可大幅降低成本。

26. 发明专利

TW200735238A 半導體裝置的製造方法 METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR APPARATUS 失效
简体标题：半导体设备的制造方法 METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR APPARATUS
公开(公告)号：TW200735238A
公开(公告)日：2007-09-16
申请号：TW096105470
申请日：2007-02-14
申请人：日東電工股份有限公司 NITTO DENKO CORPORATION
发明人：三隅貞仁 MISUMI, SADAHITO , 松村健 MATSUMURA, TAKESHI , 高本尚英 TAKAMOTO, NAOHIDE , 三木翼 MIKI, TSUBASA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/29 , C09J7/28 , C09J7/38 , C09J2201/128 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/85205 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06575 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/3011 , Y10T428/28 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01026 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
摘要：一種使用隔片用接著片的半導體裝置的製造方法,其特徵在於具有以下步驟:準備具有至少於一面上具有接著劑層的隔層之接著片作為上述隔片用接著片,且切割上述隔片用接著片,以形成具有接著劑層的晶片狀的隔片的步驟,以及經由上述接著劑層將上述隔片固定於被著體上的步驟。
简体摘要：一种使用隔片用接着片的半导体设备的制造方法,其特征在于具有以下步骤:准备具有至少于一面上具有接着剂层的隔层之接着片作为上述隔片用接着片,且切割上述隔片用接着片,以形成具有接着剂层的芯片状的隔片的步骤,以及经由上述接着剂层将上述隔片固定于被着体上的步骤。

27. 发明专利

TW200522232A 半導體裝置的製造方法 MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR EQUIPMENT 审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法 MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR EQUIPMENT
公开(公告)号：TW200522232A
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：TW093135056
申请日：2004-11-16
申请人：日東電工股份有限公司 NITTO DENKO CORPORATION
发明人：三隅貞仁 MISUMI, SADAHITO , 松村健 MATSUMURA, TAKESHI , 細川和人 HOSOKAWA, KAZUHITO , 近藤廣行 KONDOU, HIROYUKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/85 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83856 , H01L2224/83885 , H01L2224/85001 , H01L2224/85205 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/3011 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2924/20752
摘要：本發明之半導體裝置的製造方法為含有透過接著片使半導體元件暫時黏著在基板等上之暫時黏著製程；以及不經過加熱製程，進行打線接合之打線接合製程之半導體裝置的製造方法，其特徵在於上述接著片對被接著體的暫時黏著時的剪切接著力為大於等於0.2MPa。因而可以提供能夠提昇產率且可以簡化製程的半導體裝置的製造方法、使用此方法之接著片及由該方法所得到之半導體裝置。
简体摘要：本发明之半导体设备的制造方法为含有透过接着片使半导体组件暂时黏着在基板等上之暂时黏着制程；以及不经过加热制程，进行打线接合之打线接合制程之半导体设备的制造方法，其特征在于上述接着片对被接着体的暂时黏着时的剪切接着力为大于等于0.2MPa。因而可以提供能够提升产率且可以简化制程的半导体设备的制造方法、使用此方法之接着片及由该方法所得到之半导体设备。

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