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21. 发明专利

TWI503585B 對矽絕緣體基板上之波導予以光學隔離之方法及結構有权
简体标题：对硅绝缘体基板上之波导予以光学隔离之方法及结构
公开(公告)号：TWI503585B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW102119826
申请日：2013-06-04
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：米迪羅伊 , MEADE, ROY
IPC分类号： G02B6/12
CPC分类号： G02B6/136 , G02B6/122 , G02B2006/12061 , H01L21/76283 , H01L21/84

22. 发明专利

TW201530945A 使用ＣＭＯＳ製造技術之波導形成审中-公开
简体标题：使用ＣＭＯＳ制造技术之波导形成
公开(公告)号：TW201530945A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103136530
申请日：2014-10-22
申请人：美國麻省理工學院 , MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
发明人：歐窟特傑森史考特 , ORCUTT, JASON SCOTT , 藍姆瑞吉姆賈嘎 , RAM, RAJEEV JAGGA , 瑪塔凱倫卡提克 , MEHTA, KARAN KARTIK
IPC分类号： H01S5/20 , H01S5/22 , H01S5/327 , G02B6/12
CPC分类号： G02B6/136 , G02B6/12004 , G02B6/122 , G02B6/1225 , G02B6/132 , G02B6/305 , G02B2006/12061 , G02B2006/12097 , G02B2006/121 , G02B2006/12107 , G02B2006/12123 , G02F1/0147 , G02F1/025 , G02F2001/0151
摘要：將波導積體於標準電子製程內之習知方法通常涉及：於該鑄造廠內製程內使用介電層(諸如多晶矽、單晶矽或氮化矽)或於作為鑄造廠製程後之後端中沈積且圖案化介電層。在本方法中，該矽手柄之後端在鑄造廠內處理之後被蝕刻去除，以便曝露使用標準鑄造廠內處理(例如，互補金屬氧半導體(CMOS)處理)界定的空隙或溝槽。將介電材料沈積於空隙或溝槽中得到經積體於晶圓之前端內的光波導。例如，形成於鑄造廠內之淺溝槽隔離(STI)層在晶粒或晶圓之前端內可用作鑲嵌製程中之高解析度圖案化波導模板。利用高折射率介電材料填充該溝槽得到可引導可見光及/或紅外光的波導，其取決於該波導之尺寸及折射率對比度。
简体摘要：将波导积体于标准电子制程内之习知方法通常涉及：于该铸造厂内制程内使用介电层(诸如多晶硅、单晶硅或氮化硅)或于作为铸造厂制程后之后端中沉积且图案化介电层。在本方法中，该硅手柄之后端在铸造厂内处理之后被蚀刻去除，以便曝露使用标准铸造厂内处理(例如，互补金属氧半导体(CMOS)处理)界定的空隙或沟槽。将介电材料沉积于空隙或沟槽中得到经积体于晶圆之前端内的光波导。例如，形成于铸造厂内之浅沟槽隔离(STI)层在晶粒或晶圆之前端内可用作镶嵌制程中之高分辨率图案化波导模板。利用高折射率介电材料填充该沟槽得到可引导可见光及/或红外光的波导，其取决于该波导之尺寸及折射率对比度。

23. 发明专利

TW201511126A 形成基板開口之方法审中-公开
简体标题：形成基板开口之方法
公开(公告)号：TW201511126A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103116294
申请日：2014-05-07
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：凱爾包區馬克 , KIEHLBAUCH, MARK
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/76804 , B44C1/227 , B81B2203/0315 , B81B2203/0323 , B81B2203/033 , B81B2203/0338 , B81B2203/0353 , B81C1/00103 , B81C1/00531 , G02B6/136 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/3083 , H01L21/31116 , H01L21/32 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/76232
摘要：本發明揭示一種形成一基板開口之方法，該方法包含在一基板中形成複數個並排開口。緊鄰並排開口中之至少某些開口在該基板中形成至相對於彼此不同之深度。橫向介於該等並排開口之間的壁經移除以形成一較大開口，該較大開口具有一非垂直側壁表面，其中在通過正交於該等經移除壁之該側壁表面之至少一個直線垂直剖面中移除該等壁。
简体摘要：本发明揭示一种形成一基板开口之方法，该方法包含在一基板中形成复数个并排开口。紧邻并排开口中之至少某些开口在该基板中形成至相对于彼此不同之深度。横向介于该等并排开口之间的壁经移除以形成一较大开口，该较大开口具有一非垂直侧壁表面，其中在通过正交于该等经移除壁之该侧壁表面之至少一个直线垂直剖面中移除该等壁。

24. 发明专利

TW201502614A 互連ＩＣ模組之光波導網路审中-公开
简体标题：互连ＩＣ模块之光波导网络
公开(公告)号：TW201502614A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103109287
申请日：2014-03-14
申请人： APIC公司 , APIC CORPORATION
发明人：督特畢瑞德拉 , DUTT, BIRENDRA , 卡普爾阿索克庫馬 , KAPOOR, ASHOK KUMAR
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/136 , G02B6/43 , H01L31/12
CPC分类号： G02B6/12 , G02B6/12004 , G02B6/12007 , G02B6/136 , G02B6/43 , H01L31/12
摘要：本文中所揭示之標的物係關於一種光子模組，該光子模組包括：一絕緣體上矽(SOI)晶圓；一或多個光子組件，其等在該SOI晶圓上；複數個金屬墊，其等用以接收待安裝在該SOI晶圓上之積體電路(IC)晶片；矽光波導，其等用以在個別的該等IC晶片之端子當中傳送光信號，其中該等矽光波導包括該SOI晶圓之部分；及矽石光波導，其等用以在不同的該等IC晶片之端子當中傳送光信號。
简体摘要：本文中所揭示之标的物系关于一种光子模块，该光子模块包括：一绝缘体上硅(SOI)晶圆；一或多个光子组件，其等在该SOI晶圆上；复数个金属垫，其等用以接收待安装在该SOI晶圆上之集成电路(IC)芯片；硅光波导，其等用以在个别的该等IC芯片之端子当中发送光信号，其中该等硅光波导包括该SOI晶圆之部分；及硅石光波导，其等用以在不同的该等IC芯片之端子当中发送光信号。

25. 发明专利

TW201405184A 對矽絕緣體基板上之波導予以光學隔離之方法及結構审中-公开
简体标题：对硅绝缘体基板上之波导予以光学隔离之方法及结构
公开(公告)号：TW201405184A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102119826
申请日：2013-06-04
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：米迪羅伊 , MEADE, ROY
IPC分类号： G02B6/12
CPC分类号： G02B6/136 , G02B6/122 , G02B2006/12061 , H01L21/76283 , H01L21/84
摘要：本發明揭示一種提供一矽絕緣體基板之方法及結構，光子裝置形成於該矽絕緣體基板上且其中藉由一淺溝渠隔離區域自一支撐基板光學地解耦一波導之一核心材料。
简体摘要：本发明揭示一种提供一硅绝缘体基板之方法及结构，光子设备形成于该硅绝缘体基板上且其中借由一浅沟渠隔离区域自一支撑基板光学地解耦一波导之一内核材料。

26. 发明专利

TW201400895A 光電混合基板及其製法审中-公开
简体标题：光电混合基板及其制法
公开(公告)号：TW201400895A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102115404
申请日：2013-04-30
申请人：日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION
发明人：辻田雄一 , TSUJITA, YUICHI , 石丸康人 , ISHIMARU, YASUTO , 花園博行 , HANAZONO, HIROYUKI , 田中直幸 , TANAKA, NAOYUKI , 山本康文 , YAMAMOTO, YASUFUMI , 增田將太郎 , MASUDA, SHOTARO , 尾崎真由 , OZAKI, MAYU
IPC分类号： G02B6/13
CPC分类号： G02B6/122 , G02B6/136 , G02B6/138 , G02B6/43
摘要：【課題】本發明提供一種能夠抑制光傳播損失的增加且撓性也優異的光電混合基板及其製法。【解決手段】光電混合基板包括：電路基板，其在絕緣層的表面形成電佈線而構成；以及光波導，其隔著金屬層形成於該電路基板的上述絕緣層的背面，其中，金屬層的至少一部分呈下述(A)或(B)中的任意一種圖案形成狀態，且上述光波導的第1包覆層(下包覆層)進入並填埋至經由該圖案形成被去除的金屬層的去除痕跡。(A)上述金屬層形成為分布形成有多個點狀凸部的圖案。(B)在上述金屬層形成有分布形成多個點狀凹部的圖案。
简体摘要：【课题】本发明提供一种能够抑制光传播损失的增加且挠性也优异的光电混合基板及其制法。【解决手段】光电混合基板包括：电路基板，其在绝缘层的表面形成电布线而构成；以及光波导，其隔着金属层形成于该电路基板的上述绝缘层的背面，其中，金属层的至少一部分呈下述(A)或(B)中的任意一种图案形成状态，且上述光波导的第1包覆层(下包覆层)进入并填埋至经由该图案形成被去除的金属层的去除痕迹。(A)上述金属层形成为分布形成有多个点状凸部的图案。(B)在上述金属层形成有分布形成多个点状凹部的图案。

27. 发明专利

TW201346361A 光導波路及其製造方法审中-公开
简体标题：光导波路及其制造方法
公开(公告)号：TW201346361A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW101151032
申请日：2012-12-28
申请人：日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：酒井大地 , SAKAI, DAICHI , 黑田敏裕 , KURODA, TOSHIHIRO , 別井洋 , BETSUI, HIROSHI , 瀨川幸太 , SEGAWA, KOUTA , 內崎雅夫 , UCHIGASAKI, MASAO
IPC分类号： G02B6/122 , G02B6/13
CPC分类号： G02B6/122 , G02B6/036 , G02B6/1221 , G02B6/13 , G02B6/136 , G02B6/138 , G02B6/43 , G02B2006/12104 , G02B2006/12166
摘要：一種光導波路，是在基板上依序積層下部包覆層、芯層及上部包覆層，且於該芯層上形成反射鏡部而成；於該基板上具有開口部，該開口部的最大直徑大於經反射鏡部反射之光束的最大直徑，且該開口部的最大直徑為240 μm以下。不論基板的種類均可傳達光訊號，且可抑制由反射鏡部所反射之光訊號之擴展，以低損耗的方式來傳播訊號。
简体摘要：一种光导波路，是在基板上依序积层下部包覆层、芯层及上部包覆层，且于该芯层上形成反射镜部而成；于该基板上具有开口部，该开口部的最大直径大于经反射镜部反射之光束的最大直径，且该开口部的最大直径为240 μm以下。不论基板的种类均可传达光信号，且可抑制由反射镜部所反射之光信号之扩展，以低损耗的方式来传播信号。

28. 发明专利

TW201344265A 脊型Y分支光波導結構的製作方法审中-公开
简体标题：嵴型Y分支光波导结构的制作方法
公开(公告)号：TW201344265A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW101115057
申请日：2012-04-27
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：黃新舜 , HUANG, HSIN SHUN
IPC分类号： G02B6/10 , G02B6/12 , G02B6/125
CPC分类号： G02B6/125 , G02B6/136 , G02B2006/1204 , G02B2006/12061 , G02B2006/1215
摘要：本發明涉及一種脊型Y分支光波導結構的製作方法，其包括：提供一脊型基板，該脊型基板包括呈T形的脊部及與該脊部連接的平坦部，該平坦部包括承載平面；在該脊型基板上形成覆蓋該脊部及該承載平面的導光層；在該導光層表面上形成光阻層；對該光阻層曝光及顯影以在該導光層上形成Y形蝕刻阻擋層，該Y形蝕刻阻擋層包括阻擋層分叉結構，該阻擋層分叉結構的正投影位於該承載平面上；蝕刻該導光層以形成與該Y形蝕刻阻擋層相對應的Y分支光波導，該Y分支光波導包括位於該承載平面上的光波導分叉結構；最后將該Y分支光波導形成於該基板內。
简体摘要：本发明涉及一种嵴型Y分支光波导结构的制作方法，其包括：提供一嵴型基板，该嵴型基板包括呈T形的嵴部及与该嵴部连接的平坦部，该平坦部包括承载平面；在该嵴型基板上形成覆盖该嵴部及该承载平面的导光层；在该导光层表面上形成光阻层；对该光阻层曝光及显影以在该导光层上形成Y形蚀刻阻挡层，该Y形蚀刻阻挡层包括阻挡层分叉结构，该阻挡层分叉结构的正投影位于该承载平面上；蚀刻该导光层以形成与该Y形蚀刻阻挡层相对应的Y分支光波导，该Y分支光波导包括位于该承载平面上的光波导分叉结构；最后将该Y分支光波导形成于该基板内。

29. 发明专利

TW201337371A 有效率之背面發射／收集光柵耦合器审中-公开
简体标题：有效率之背面发射／收集光栅耦合器
公开(公告)号：TW201337371A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101145433
申请日：2012-12-04
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：那雲莊 , NA, YUN CHUNG N. , 榮海生 , RONG, HAISHENG
IPC分类号： G02B6/42
CPC分类号： G02B6/12 , G02B6/1228 , G02B6/124 , G02B6/132 , G02B6/136 , G02B6/4204 , G02B6/4214
摘要：光子積體電路(PIC)晶片係設有背面垂直光學耦合器且封裝成光學發射器/接收器。以光柵為基礎的背面垂直光學耦合器作用以將光經由PIC晶片基板的塊體厚度而耦合至薄膜層所界定的PIC晶片中的平面基板，或是將經過PIC晶片基板的塊體厚度之來自薄膜層界定的PIC晶片中的平面基板的光耦合，以經由被例如光纖等晶片之外的組件所佔據之PIC晶片的背面表發射/收集光。以光柵為基礎的背面垂直光學耦合器的實施例包含設有形成在薄膜的頂側表面中的光柵。反射器係配置在光柵耦合器之上，以將自光柵耦合器所發射出的光反射經過基板以從該PIC晶片的背面發射出，或是將從PIC晶片的背面所收集的光反射經過基板及至光柵耦合器。
简体摘要：光子集成电路(PIC)芯片系设有背面垂直光学耦合器且封装成光学发射器/接收器。以光栅为基础的背面垂直光学耦合器作用以将光经由PIC芯片基板的块体厚度而耦合至薄膜层所界定的PIC芯片中的平面基板，或是将经过PIC芯片基板的块体厚度之来自薄膜层界定的PIC芯片中的平面基板的光耦合，以经由被例如光纤等芯片之外的组件所占据之PIC芯片的背面表发射/收集光。以光栅为基础的背面垂直光学耦合器的实施例包含设有形成在薄膜的顶侧表面中的光栅。反射器系配置在光栅耦合器之上，以将自光栅耦合器所发射出的光反射经过基板以从该PIC芯片的背面发射出，或是将从PIC芯片的背面所收集的光反射经过基板及至光栅耦合器。

30. 发明专利

TW201311592A 於玻璃中高速製造微孔洞的方法审中-公开
简体标题：于玻璃中高速制造微孔洞的方法
公开(公告)号：TW201311592A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101119164
申请日：2012-05-29
申请人：康寧公司 , CORNING INCORPORATED
发明人：莊大可 , CHUANG, TA KO , 哈維丹尼爾羅福 , HARVEY, DANIEL RALPH , 斯特列利佐夫亞歷山大米哈伊洛維奇 , STRELTSOV, ALEXANDER MIKHAILOVICH
IPC分类号： C03B33/09 , C03B25/00 , B23K26/38
CPC分类号： C03C23/002 , C03C15/00 , C03C23/0025 , G02B6/136 , G02B2006/1213
摘要：一種於玻璃中製造高密度孔洞陣列之方法，該方法包含：提供具有前表面之玻璃板並以雷射光束照射該玻璃板，以便產生從該玻璃板的該前表面延伸進入該玻璃板之開放孔洞。該光束於該玻璃內該等孔洞周圍產生熱誘導殘餘應力；以及在照射之後使該玻璃板退火，以減少或降低由該照射步驟造成之熱應力。之後蝕刻該玻璃板以產生最終的孔洞大小。較佳地，也在照射步驟之前以足夠高的溫度使該玻璃板退火一段足夠長的時間，以在照射之後的退火步驟期間使玻璃板的尺寸穩定。
简体摘要：一种于玻璃中制造高密度孔洞数组之方法，该方法包含：提供具有前表面之玻璃板并以激光光束照射该玻璃板，以便产生从该玻璃板的该前表面延伸进入该玻璃板之开放孔洞。该光束于该玻璃内该等孔洞周围产生热诱导残余应力；以及在照射之后使该玻璃板退火，以减少或降低由该照射步骤造成之热应力。之后蚀刻该玻璃板以产生最终的孔洞大小。较佳地，也在照射步骤之前以足够高的温度使该玻璃板退火一段足够长的时间，以在照射之后的退火步骤期间使玻璃板的尺寸稳定。

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