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22. 发明专利

TW200949855A 積體電路之序列儲存電路 SEQUENTIAL STORAGE CIRCUITRY FOR AN INTEGRATED CIRCUIT 审中-公开
简体标题：集成电路之串行存储电路 SEQUENTIAL STORAGE CIRCUITRY FOR AN INTEGRATED CIRCUIT
公开(公告)号：TW200949855A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW098108080
申请日：2009-03-12
申请人： ARM股份有限公司
发明人：錢德維克斯 , 伊剛濟薩青薩帝許
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C8/04
摘要：本發明提供用於積體電路之序列儲存電路，其包含輸入電路、一儲存結構及輸出電路。該輸入電路接收對於該序列儲存電路之一輸入資料值，及產生一內部資料值。該輸入電路接收一第一控制訊號，當確證(asserted)時造成其產生該輸入資料值之一倒轉版本成為內部資料值，及其當不確證時造成該輸入電路產生該輸入資料值成為內部資料值。該儲存結構接著儲存該內部資料值之一指示。該輸出電路從儲存在該儲存結構中之內部資料值的指示，產生一用於從該序列儲存電路輸出之輸出資料值。更特定言之，該輸出電路接收一從該第一控制訊號導出之第二控制訊號，其造成該輸出電路在該輸入電路產生該輸入資料值之一倒轉版本成為內部資料值之事件中，產生該內部資料值之一倒轉版本成為該輸出資料值，及否則產生該內部資料值成為該輸出資料值。此一機構提供一簡單及有效技術，用於將儲存結構中之應力建立（stress build-up）退火，其例如可產生成為NBTI現象之結果。亦可將本發明之技術用於其他目的，例如改進保持在此一序列儲存電路內之資料的安全性。
简体摘要：本发明提供用于集成电路之串行存储电路，其包含输入电路、一存储结构及输出电路。该输入电路接收对于该串行存储电路之一输入数据值，及产生一内部数据值。该输入电路接收一第一控制信号，当确证(asserted)时造成其产生该输入数据值之一倒转版本成为内部数据值，及其当不确证时造成该输入电路产生该输入数据值成为内部数据值。该存储结构接着存储该内部数据值之一指示。该输出电路从存储在该存储结构中之内部数据值的指示，产生一用于从该串行存储电路输出之输出数据值。更特定言之，该输出电路接收一从该第一控制信号导出之第二控制信号，其造成该输出电路在该输入电路产生该输入数据值之一倒转版本成为内部数据值之事件中，产生该内部数据值之一倒转版本成为该输出数据值，及否则产生该内部数据值成为该输出数据值。此一机构提供一简单及有效技术，用于将存储结构中之应力创建（stress build-up）退火，其例如可产生成为NBTI现象之结果。亦可将本发明之技术用于其他目的，例如改进保持在此一串行存储电路内之数据的安全性。

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