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21. 发明专利

TW493248B 抑制短通道效應之深次微米場效應電晶體之製造方法失效
简体标题：抑制短信道效应之深次微米场效应晶体管之制造方法
公开(公告)号：TW493248B
公开(公告)日：2002-07-01
申请号：TW089124012
申请日：2000-11-14
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：黃正同 , 葉文冠 , 盛義忠 , 徐世杰 , 林勝豪
IPC分类号： H01L
摘要：一種抑制短通道效應之深次微米場效應電晶體之製造方法。首先，一閘氧化層及一具有第二導電性摻質之閘極係依次形成在一具有第一導電性摻質之半導體基底上。之後，一具有第二導電性摻質之輕摻雜汲極/源極擴散區係藉由低能量離子植入形成在閘極的每一側的基底中。然後，一氮化矽間隙壁係在低於700℃的溫度下形成於閘極的每一側。最後，一具有第二導電性摻質之重摻雜汲極/源極區係藉由高能量離子植入形成於相對閘極的輕摻雜汲極/源極擴散區的一側。藉由此一製程方法，可降低基底的電流Isub，因而使得此電晶體裝置之熱電子效應改善約1000倍。
简体摘要：一种抑制短信道效应之深次微米场效应晶体管之制造方法。首先，一闸氧化层及一具有第二导电性掺质之闸极系依次形成在一具有第一导电性掺质之半导体基底上。之后，一具有第二导电性掺质之轻掺杂汲极/源极扩散区系借由低能量离子植入形成在闸极的每一侧的基底中。然后，一氮化硅间隙壁系在低于700℃的温度下形成于闸极的每一侧。最后，一具有第二导电性掺质之重掺杂汲极/源极区系借由高能量离子植入形成于相对闸极的轻掺杂汲极/源极扩散区的一侧。借由此一制程方法，可降低基底的电流Isub，因而使得此晶体管设备之热电子效应改善约1000倍。

22. 发明专利

TW488057B 防止複晶矽線在去除光阻層的過程中被破壞之半導體元件的製造方法有权
简体标题：防止复晶硅线在去除光阻层的过程中被破坏之半导体组件的制造方法
公开(公告)号：TW488057B
公开(公告)日：2002-05-21
申请号：TW090110251
申请日：2001-04-30
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：徐世杰 , 盛義忠 , 黃昌棋 , 林勝豪 , 黃正同
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823425
摘要：一種防止複晶矽線在去除光阻層的過程中被破壞之半導體元件的製造方法。此方法係在基底之核心元件區與靜電放電保護元件區形成複晶矽線。然後，先在複晶矽線的側壁形成補償間隙壁。當補償間隙壁形成之後，再於基底上形成一層光阻層，以覆蓋核心元件區，裸露出靜電放電保護元件區。接著，以光阻層為罩幕，對靜電放電保護元件區進行一擊穿離子植入步驟，再去除光阻層。其後，在核心元件區形成複數個淡摻雜源極/汲極區。之後，在補償間隙壁周緣形成間隙壁，再於核心元件區與靜電放電保護元件區形成源極/汲極區。由於在形成光阻層之前，複晶矽線的側壟已形成補償間隙壁，因此，在去除光阻層的過程中，補償間隙壁可以保護複晶矽線，使其不會被扯斷。
简体摘要：一种防止复晶硅线在去除光阻层的过程中被破坏之半导体组件的制造方法。此方法系在基底之内核组件区与静电放电保护组件区形成复晶硅线。然后，先在复晶硅线的侧壁形成补偿间隙壁。当补偿间隙壁形成之后，再于基底上形成一层光阻层，以覆盖内核组件区，裸露出静电放电保护组件区。接着，以光阻层为罩幕，对静电放电保护组件区进行一击穿离子植入步骤，再去除光阻层。其后，在内核组件区形成复数个淡掺杂源极/汲极区。之后，在补偿间隙壁周缘形成间隙壁，再于内核组件区与静电放电保护组件区形成源极/汲极区。由于在形成光阻层之前，复晶硅线的侧垄已形成补偿间隙壁，因此，在去除光阻层的过程中，补偿间隙壁可以保护复晶硅线，使其不会被扯断。

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