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21. 发明专利

TW201239992A 具有金屬閘極之半導體元件之製作方法 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING METAL GATE 审中-公开
简体标题：具有金属闸极之半导体组件之制作方法 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING METAL GATE
公开(公告)号：TW201239992A
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW100109683
申请日：2011-03-22
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：廖柏瑞 , 蔡宗龍 , 林建廷 , 徐韶華 , 陳意維 , 黃信富 , 李宗穎 , 蔡旻錞 , 楊建倫 , 吳俊元 , 蔡騰群 , 黃光耀 , 許嘉麟 , 楊傑甯 , 陳正國 , 曾榮宗 , 李志成 , 施宏霖 , 黃柏誠 , 陳奕文 , 許哲華
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供了一種製作具有金屬閘極之半導體元件的方法。此方法首先提供一基底。基底包含一第一導電型電晶體、一第二導電型電晶體,其中第一導電型電晶體包含一第一犧牲閘極,第二導電型電晶體包含一第二犧牲閘極。接著移除第一導電型電晶體之第一犧牲閘極以形成一第一溝渠,並於第一溝渠內形成一第一金屬層。移除第二導電型電晶體之第二犧牲閘極以形成一第二溝渠,並於第一溝渠內以及第二溝渠內形成一第二金屬層。最後於第二金屬層上形成一第三金屬層,使得第三金屬層填入第一溝渠以及第二溝渠中。
简体摘要：本发明提供了一种制作具有金属闸极之半导体组件的方法。此方法首先提供一基底。基底包含一第一导电型晶体管、一第二导电型晶体管,其中第一导电型晶体管包含一第一牺牲闸极,第二导电型晶体管包含一第二牺牲闸极。接着移除第一导电型晶体管之第一牺牲闸极以形成一第一沟渠,并于第一沟渠内形成一第一金属层。移除第二导电型晶体管之第二牺牲闸极以形成一第二沟渠,并于第一沟渠内以及第二沟渠内形成一第二金属层。最后于第二金属层上形成一第三金属层,使得第三金属层填入第一沟渠以及第二沟渠中。

22. 发明专利

TW201203462A 互補式金氧半導體元件的製造方法 METHOD OF FABRICATING COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICE 审中-公开
简体标题：互补式金属氧化物半导体组件的制造方法 METHOD OF FABRICATING COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICE
公开(公告)号：TW201203462A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW099122056
申请日：2010-07-05
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：陳意維 , 黃建中 , 何念葶 , 賴國智
IPC分类号： H01L
摘要：一種互補式金氧半導體元件的製造方法。首先，在基底的第一型、第二型金氧半導體區形成第一、第二閘極結構、第一、第二偏移間隙壁與第一、第二淡摻雜區，且在閘極結構上形成罩幕層。然後，在第二閘極結構兩側的部分基底中形成磊晶材料層。繼之，依序形成第一、第二間隙壁，以及第一、第二摻雜區。之後，移除部分第一間隙壁而暴露出部分第一淡摻雜區表面，以形成薄化第一間隙壁。接著在所暴露出的部分第一淡摻雜區與第一、第二摻雜區上形成矽覆蓋層。然後，移除罩幕層，隨後在第一、第二閘極結構與矽覆蓋層上形成金屬矽化物。
简体摘要：一种互补式金属氧化物半导体组件的制造方法。首先，在基底的第一型、第二型金属氧化物半导体区形成第一、第二闸极结构、第一、第二偏移间隙壁与第一、第二淡掺杂区，且在闸极结构上形成罩幕层。然后，在第二闸极结构两侧的部分基底中形成磊晶材料层。继之，依序形成第一、第二间隙壁，以及第一、第二掺杂区。之后，移除部分第一间隙壁而暴露出部分第一淡掺杂区表面，以形成薄化第一间隙壁。接着在所暴露出的部分第一淡掺杂区与第一、第二掺杂区上形成硅覆盖层。然后，移除罩幕层，随后在第一、第二闸极结构与硅覆盖层上形成金属硅化物。

23. 发明专利

TWI320949B 半導體製程 SEMICONDUCTOR PROCESS 有权
简体标题：半导体制程 SEMICONDUCTOR PROCESS
公开(公告)号：TWI320949B
公开(公告)日：2010-02-21
申请号：TW095145365
申请日：2006-12-06
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：陳意維 , 謝朝景 , 蕭才富 , 張毓藍 , 洪宗佑 , 張俊傑
IPC分类号： H01L
摘要：一種半導體製程，此半導體製程是先提供一基底。然後，對基底進行表面處理，以於基底上形成一層緩衝層。之後，在形成緩衝層之後，對基底進行第一前置非晶矽植入步驟。 A semiconductor process is provided. The semiconductor process includes providing a substrate. Then, a surface treatment is performed to the substrate to form a buffer layer on the substrate. Next, a first pre-amorphous implantation is performed to the substrate after forming the buffer layer. 【創作特點】本發明的目的就是在提供一種半導體製程，可以避免在進行前置非晶矽植入步驟之後形成厚度較大的非晶矽層。
本發明的另一目的是提供一種半導體製程，可以避免發生二極體漏電流的問題。
本發明提出一種半導體製程，此半導體製程是先提供一基底。然後，對基底進行表面處理，以於基底上形成一層緩衝層。之後，在形成緩衝層之後，對基底進行第一前置非晶矽植入步驟。
依照本發明的實施例所述之半導體製程，上述之表面處理例如為第二前置非晶矽植入步驟，且第二前置非晶矽植入步驟的離子植入能量例如小於第一前置非晶矽植入步驟的離子植入能量。
依照本發明的實施例所述之半導體製程，上述之第二前置非晶矽植入步驟的離子植入能量例如介於5KeV至10KeV之間。
依照本發明的實施例所述之半導體製程，上述之第二前置非晶矽植入步驟的離子植入劑量例如介於1×10 1 3 atom/cm 2 至7×10 1 3 atom/cm 2 之間。
依照本發明的實施例所述之半導體製程，上述之第二前置非晶矽植入步驟的離子植入角度例如介於0°至20°之間。
依照本發明的實施例所述之半導體製程，上述之第二前置非晶矽植入步驟所植入的離子例如為銦(In)、氮(N)、氬(Ar)、矽(Si)、鍺(Ge)或砷(As)。
依照本發明的實施例所述之半導體製程，上述之表面處理例如為電漿處理步驟或化學處理步驟。
依照本發明的實施例所述之半導體製程，上述之第一前置非晶矽植入步驟的離子植入能量例如介於10KeV至20KeV之間。
依照本發明的實施例所述之半導體製程，上述之第一前置非晶矽植入步驟的離子植入劑量例如介於5×10 1 3 atom/cm 2 至3×10 1 4 atom/cm 2 之間。
依照本發明的實施例所述之半導體製程，上述之第一前置非晶矽植入步驟的離子植入角度例如介於0°至20°之間。
依照本發明的實施例所述之半導體製程，上述之第一前置非晶矽植入步驟所植入的離子例如為銦、氮、氬、矽、鍺或砷。
本發明另提出一種半導體製程，此半導體製程是先提供一基底，此基底具有一主動區，且主動區的基底上具有金氧半電晶體。然後，對主動區的基底進行表面處理，以於金氧半電晶體的源極/汲極區上形成一層緩衝層。接著，在形成緩衝層之後，對主動區的基底進行第一前置非晶矽植入步驟。之後，於源極/汲極區上形成一層金屬矽化物層。
依照本發明的實施例所述之半導體製程，上述之金屬矽化物層的材料例如為矽化鎳(NiSi)、矽化鎳鉑(NiPtSi)、矽化鎳鈷(NiCoSi)或矽化鎳鈦(NiTiSi)。
依照本發明的實施例所述之半導體製程，上述之金屬矽化物層的形成方法例如為自行對準金屬矽化物製程。
本發明因為在進行前置非晶矽植入步驟之前，先於基底上形成一層厚度較薄且介面較平整的緩衝層，然後再進行一般熟知的前置非晶矽植入步驟，因此可以避免直接進行前置非晶矽植入步驟而於淺溝渠隔離結構的角落處產生具有較大厚度的非晶矽層的問題，進而避免了後續的金屬矽化物製程於淺溝渠隔離結構的角落處形成過厚的金屬矽化物層，藉以改善二極體漏電流的問題。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
简体摘要：一种半导体制程，此半导体制程是先提供一基底。然后，对基底进行表面处理，以于基底上形成一层缓冲层。之后，在形成缓冲层之后，对基底进行第一前置非晶硅植入步骤。 A semiconductor process is provided. The semiconductor process includes providing a substrate. Then, a surface treatment is performed to the substrate to form a buffer layer on the substrate. Next, a first pre-amorphous implantation is performed to the substrate after forming the buffer layer. 【创作特点】本发明的目的就是在提供一种半导体制程，可以避免在进行前置非晶硅植入步骤之后形成厚度较大的非晶硅层。本发明的另一目的是提供一种半导体制程，可以避免发生二极管漏电流的问题。本发明提出一种半导体制程，此半导体制程是先提供一基底。然后，对基底进行表面处理，以于基底上形成一层缓冲层。之后，在形成缓冲层之后，对基底进行第一前置非晶硅植入步骤。依照本发明的实施例所述之半导体制程，上述之表面处理例如为第二前置非晶硅植入步骤，且第二前置非晶硅植入步骤的离子植入能量例如小于第一前置非晶硅植入步骤的离子植入能量。依照本发明的实施例所述之半导体制程，上述之第二前置非晶硅植入步骤的离子植入能量例如介于5KeV至10KeV之间。依照本发明的实施例所述之半导体制程，上述之第二前置非晶硅植入步骤的离子植入剂量例如介于1×10 1 3 atom/cm 2 至7×10 1 3 atom/cm 2 之间。依照本发明的实施例所述之半导体制程，上述之第二前置非晶硅植入步骤的离子植入角度例如介于0°至20°之间。依照本发明的实施例所述之半导体制程，上述之第二前置非晶硅植入步骤所植入的离子例如为铟(In)、氮(N)、氩(Ar)、硅(Si)、锗(Ge)或砷(As)。依照本发明的实施例所述之半导体制程，上述之表面处理例如为等离子处理步骤或化学处理步骤。依照本发明的实施例所述之半导体制程，上述之第一前置非晶硅植入步骤的离子植入能量例如介于10KeV至20KeV之间。依照本发明的实施例所述之半导体制程，上述之第一前置非晶硅植入步骤的离子植入剂量例如介于5×10 1 3 atom/cm 2 至3×10 1 4 atom/cm 2 之间。依照本发明的实施例所述之半导体制程，上述之第一前置非晶硅植入步骤的离子植入角度例如介于0°至20°之间。依照本发明的实施例所述之半导体制程，上述之第一前置非晶硅植入步骤所植入的离子例如为铟、氮、氩、硅、锗或砷。本发明另提出一种半导体制程，此半导体制程是先提供一基底，此基底具有一主动区，且主动区的基底上具有金氧半晶体管。然后，对主动区的基底进行表面处理，以于金氧半晶体管的源极/汲极区上形成一层缓冲层。接着，在形成缓冲层之后，对主动区的基底进行第一前置非晶硅植入步骤。之后，于源极/汲极区上形成一层金属硅化物层。依照本发明的实施例所述之半导体制程，上述之金属硅化物层的材料例如为硅化镍(NiSi)、硅化镍铂(NiPtSi)、硅化镍钴(NiCoSi)或硅化镍钛(NiTiSi)。依照本发明的实施例所述之半导体制程，上述之金属硅化物层的形成方法例如为自行对准金属硅化物制程。本发明因为在进行前置非晶硅植入步骤之前，先于基底上形成一层厚度较薄且界面较平整的缓冲层，然后再进行一般熟知的前置非晶硅植入步骤，因此可以避免直接进行前置非晶硅植入步骤而于浅沟渠隔离结构的角落处产生具有较大厚度的非晶硅层的问题，进而避免了后续的金属硅化物制程于浅沟渠隔离结构的角落处形成过厚的金属硅化物层，借以改善二极管漏电流的问题。为让本发明之上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

24. 发明专利

TWI696286B 半導體裝置的鰭狀結構以及鰭式場效電晶體裝置有权
简体标题：半导体设备的鳍状结构以及鳍式场效应管设备
公开(公告)号：TWI696286B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW105124385
申请日：2016-08-02
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：劉昇旭 , LIU, SHENG-HSU , 李鎮全 , LI, JHEN-CYUAN , 陳致中 , CHEN, CHIH-CHUNG , 呂曼綾 , LU, MAN-LING , 蔡宗閔 , TSAI, CHUNG-MIN , 陳意維 , CHEN, YI-WEI
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/41 , H01L29/78

25. 发明专利

TWI682547B 半導體結構以及其製作方法有权
简体标题：半导体结构以及其制作方法
公开(公告)号：TWI682547B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW104132809
申请日：2015-10-06
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：洪慶文 , HUNG, CHING-WEN , 吳奕寬 , WU, YI-KUAN , 吳家榮 , WU, JIA-RONG , 李怡慧 , LEE, YI-HUI , 劉盈成 , LIU, YING-CHENG , 黃志森 , HUANG, CHIH-SEN , 陳意維 , CHEN, YI-WEI
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/78

26. 发明专利

TW201714301A 半導體元件及其製作方法审中-公开
简体标题：半导体组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201714301A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW104132947
申请日：2015-10-07
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：蔡明岳 , TSAI, MING-YUEH , 方嘉鋒 , FANG, JIA-FENG , 陳意維 , CHEN, YI-WEI , 張境尹 , JHANG, JING-YIN , 李榮原 , LEE, RUAN-YUAN , 翁宸毅 , WENG, CHEN-YI , 吳偉仁 , WU, WEI-JEN
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/762
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L21/02126 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/324 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/7848 , H01L29/7851
摘要：本發明揭露一種製作半導體元件的方法。首先提供一基底，該基底上設有一鰭狀結構，然後形成一磊晶層於鰭狀結構上，形成一第一接觸洞蝕刻停止層於磊晶層上，形成一源極/汲極區域於磊晶層內以及形成一第二接觸洞蝕刻停止層於第一接觸洞蝕刻停止層上。
简体摘要：本发明揭露一种制作半导体组件的方法。首先提供一基底，该基底上设有一鳍状结构，然后形成一磊晶层于鳍状结构上，形成一第一接触洞蚀刻停止层于磊晶层上，形成一源极/汲极区域于磊晶层内以及形成一第二接触洞蚀刻停止层于第一接触洞蚀刻停止层上。

27. 发明专利

TWI574413B 半導體元件及其製作方法有权
简体标题：半导体组件及其制作方法
公开(公告)号：TWI574413B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW102100616
申请日：2013-01-08
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：陳意維 , CHEN, YI WEI , 黃建中 , HUANG, CHIEN CHUNG , 劉國勝 , LEW, KOK SEEN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336

28. 发明专利

TWI487070B 互補式金氧半導體元件的製造方法有权
简体标题：互补式金属氧化物半导体组件的制造方法
公开(公告)号：TWI487070B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW099122056
申请日：2010-07-05
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：陳意維 , CHEN, YI WEI , 黃建中 , HUANG, CHIEN CHUNG , 何念葶 , HO, NIEN TING , 賴國智 , LAI, KUO CHIH
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/205 , H01L21/76

29. 发明专利

TW201216371A 形成用於接觸插塞之金屬矽化物的方法 METHOD OF FORMING SILICIDE FOR CONTACT PLUGS 审中-公开
简体标题：形成用于接触插塞之金属硅化物的方法 METHOD OF FORMING SILICIDE FOR CONTACT PLUGS
公开(公告)号：TW201216371A
公开(公告)日：2012-04-16
申请号：TW099134703
申请日：2010-10-12
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：陳意維 , 賴國智 , 何念葶 , 黃建中
IPC分类号： H01L
摘要：茲提出一種形成金屬矽化物的方法。首先，提供一基材。其次，在基材上形成一閘極結構，此閘極結構包含一矽層、一閘極介電層與至少一間隙壁。然後，形成一組源極與汲極，其位於基材中並鄰近閘極結構。繼續，形成一層間介電層，其覆蓋閘極結構、源極與汲極。再來，選擇性移除層間介電層，以暴露閘極結構。之後，在層間介電層中形成複數個接觸洞，以暴露部分之基材。接著，將暴露之基材反應形成金屬矽化物。
简体摘要：兹提出一种形成金属硅化物的方法。首先，提供一基材。其次，在基材上形成一闸极结构，此闸极结构包含一硅层、一闸极介电层与至少一间隙壁。然后，形成一组源极与汲极，其位于基材中并邻近闸极结构。继续，形成一层间介电层，其覆盖闸极结构、源极与汲极。再来，选择性移除层间介电层，以暴露闸极结构。之后，在层间介电层中形成复数个接触洞，以暴露部分之基材。接着，将暴露之基材反应形成金属硅化物。

30. 发明专利

TWI348736B 移除氧化層的方法 METHOD OF REMOVING OXIDES 有权
简体标题：移除氧化层的方法 METHOD OF REMOVING OXIDES
公开(公告)号：TWI348736B
公开(公告)日：2011-09-11
申请号：TW097102348
申请日：2008-01-22
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：賴國智 , 陳意維 , 何念葶 , 蔡騰群
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種移除氧化層的方法，首先將一包含該氧化層的基底置於一反應室中，其中該反應室包含有一晶座設置於該反應室內之底部、一噴氣頭設置於該晶座的上方、以及一加熱器設置於該晶座的上方。接著，進行一蝕刻反應。然後，進行一第一熱處理製程。最後，進行一第二熱處理製程，且該第二熱處理製程的反應溫度大於該第一熱處理製程的反應溫度。
简体摘要：本发明提供一种移除氧化层的方法，首先将一包含该氧化层的基底置于一反应室中，其中该反应室包含有一晶座设置于该反应室内之底部、一喷气头设置于该晶座的上方、以及一加热器设置于该晶座的上方。接着，进行一蚀刻反应。然后，进行一第一热处理制程。最后，进行一第二热处理制程，且该第二热处理制程的反应温度大于该第一热处理制程的反应温度。

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