专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明专利

TW200409179A 基板處理方法、加熱處理裝置、圖案形成方法审中-公开
简体标题：基板处理方法、加热处理设备、图案形成方法
公开(公告)号：TW200409179A
公开(公告)日：2004-06-01
申请号：TW092127177
申请日：2003-10-01
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：川野健二 , 伊藤信一 , 鹽原英志
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67115 , G03F7/0042 , G03F7/0392 , G03F7/38 , H01L21/0273 , H01L21/67109
摘要：本發明抑制PEB處理時，酸再附著於光阻膜。本發明之基板處理方法包含：於基板上形成化學放大型光阻膜之工序；對於前述化學放大型光阻膜照射能量射線，形成潛像之工序；及對於前述化學放大型光阻膜進行加熱處理之工序；前述加熱處理係一面使加熱前述化學放大型光阻膜之加熱部及前述基板相對移動，一面於前述加熱部下面與前述化學放大型光阻膜之間，形成對於前述加熱部之相對移動方向在反方向流動之氣流而進行。
简体摘要：本发明抑制PEB处理时，酸再附着于光阻膜。本发明之基板处理方法包含：于基板上形成化学放大型光阻膜之工序；对于前述化学放大型光阻膜照射能量射线，形成潜像之工序；及对于前述化学放大型光阻膜进行加热处理之工序；前述加热处理系一面使加热前述化学放大型光阻膜之加热部及前述基板相对移动，一面于前述加热部下面与前述化学放大型光阻膜之间，形成对于前述加热部之相对移动方向在反方向流动之气流而进行。

22. 发明专利

TW200403549A 圖案形成方法失效
简体标题：图案形成方法
公开(公告)号：TW200403549A
公开(公告)日：2004-03-01
申请号：TW092108398
申请日：2003-04-11
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：伊藤信一 , 高橋理一郎
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/7065 , G03F7/40
摘要：本發明可部分地補正感光性樹脂圖案的異常，消除再製基板以謀求製造成本的減低。本發明之圖案形成方法包含步驟S11，其係於基板上形成被加工膜者；於被加工膜的主面上形成光阻膜之步驟；於光阻膜使期望圖案曝光之步驟；步驟S12，其係使光阻膜顯影以形成光阻圖案者；步驟S13，其係檢查光阻圖案的尺寸或是形狀的異常者；步驟S14，其係對由S13檢出之異常處施與補正處理者；及步驟S15，其係使用補正後的光阻圖案選擇蝕刻被加工膜者；於S13及S14，使用以DUV光作為光源之同一的光學式裝置，連續進行S13及S14，而且於S13，供給氮氣至光阻表面，於S14，供給氧氣至光阻表面。
简体摘要：本发明可部分地补正感光性树脂图案的异常，消除再制基板以谋求制造成本的减低。本发明之图案形成方法包含步骤S11，其系于基板上形成被加工膜者；于被加工膜的主面上形成光阻膜之步骤；于光阻膜使期望图案曝光之步骤；步骤S12，其系使光阻膜显影以形成光阻图案者；步骤S13，其系检查光阻图案的尺寸或是形状的异常者；步骤S14，其系对由S13检出之异常处施与补正处理者；及步骤S15，其系使用补正后的光阻图案选择蚀刻被加工膜者；于S13及S14，使用以DUV光作为光源之同一的光学式设备，连续进行S13及S14，而且于S13，供给氮气至光阻表面，于S14，供给氧气至光阻表面。

23. 发明专利

TW200306460A 成膜方法、成膜裝置、圖案形成方法及半導體裝置之製造方法失效
简体标题：成膜方法、成膜设备、图案形成方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW200306460A
公开(公告)日：2003-11-16
申请号：TW092101966
申请日：2003-01-29
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：伊藤信一 , 江間達彥 , 早崎圭 , 中田鍊平 , 山田展英 , 奧村勝彌
IPC分类号： G03F
CPC分类号： H01L21/6715 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02282 , H01L21/288 , H01L21/31633
摘要：本發明提供一種液膜形成方法，其係在基板上，自設於噴嘴之排出口對前述基板連續地排出以一定量擴大之方式所調整之溶液，同時使前述噴嘴與前述基板相對地移動，留住供給至前述基板上之溶液而形成液膜，前述噴嘴之排出口與前述基板之距離h設定在2mm以上，且在未達對前述溶液之表面張力γ（N／m）、自前述排出口連續地排出之溶液的排出速度q（m／sec）與常數5×10^–5（m．sec／N）賦予之5×10^–5qγ（mm）以下的範圍內。
简体摘要：本发明提供一种液膜形成方法，其系在基板上，自设于喷嘴之排出口对前述基板连续地排出以一定量扩大之方式所调整之溶液，同时使前述喷嘴与前述基板相对地移动，留住供给至前述基板上之溶液而形成液膜，前述喷嘴之排出口与前述基板之距离h设置在2mm以上，且在未达对前述溶液之表面张力γ（N／m）、自前述排出口连续地排出之溶液的排出速度q（m／sec）与常数5×10^–5（m．sec／N）赋予之5×10^–5qγ（mm）以下的范围内。

24. 发明专利

TWI500071B 模片之表面處理方法及裝置以及圖案形成方法有权
简体标题：模片之表面处理方法及设备以及图案形成方法
公开(公告)号：TWI500071B
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：TW100104479
申请日：2011-02-10
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：河村嘉久 , KAWAMURA, YOSHIHISA , 小林克稔 , KOBAYASHI, KATSUTOSHI , 伊藤信一 , ITO, SHINICHI , 林秀和 , HAYASHI, HIDEKAZU , 富田寬 , TOMITA, HIROSHI
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/306
CPC分类号： G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00

25. 发明专利

TW201200370A 模片補修方法、圖案形成方法及模片補修裝置审中-公开
简体标题：模片补修方法、图案形成方法及模片补修设备
公开(公告)号：TW201200370A
公开(公告)日：2012-01-01
申请号：TW100105515
申请日：2011-02-18
申请人：東芝股份有限公司
发明人：伊藤信一 , 河野拓也
IPC分类号： B41N , B29C
CPC分类号： G03F7/0002 , B29C33/62 , B29C33/64 , B82Y10/00 , B82Y40/00
摘要：本發明之實施形態之模片補修方法係具備母材與形成於上述母材之圖案面之第1脫模層之模片之補修方法，其向上述圖案面供給對上述母材具有親和性且對上述脫模層具有非親和性之材料。
简体摘要：本发明之实施形态之模片补修方法系具备母材与形成于上述母材之图案面之第1脱模层之模片之补修方法，其向上述图案面供给对上述母材具有亲和性且对上述脱模层具有非亲和性之材料。

26. 发明专利

TW201126573A 圖案形成方法及圖案形成裝置审中-公开
简体标题：图案形成方法及图案形成设备
公开(公告)号：TW201126573A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099138569
申请日：2010-11-09
申请人：東芝股份有限公司
发明人：伊藤信一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31144 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , H01L21/0334 , H01L21/76816
摘要：根據實施形態,於被加工膜上之第1區域包含第1膜且以第1圖案被覆率形成第1圖案,於被加工膜上之第2區域以第2圖案被覆率形成第2圖案。於第2圖案之形成時,將包含嵌段共聚物含有膜等之第2膜形成於被加工膜上且自組化。其次,將經自組化之第2膜所含有之複數種聚合物以保留至少1種聚合物之方式選擇性地除去,而以使第2圖案被覆率接近第1圖案被覆率之方式形成第2圖案。
简体摘要：根据实施形态,于被加工膜上之第1区域包含第1膜且以第1图案被覆率形成第1图案,于被加工膜上之第2区域以第2图案被覆率形成第2图案。于第2图案之形成时,将包含嵌段共聚物含有膜等之第2膜形成于被加工膜上且自组化。其次,将经自组化之第2膜所含有之复数种聚合物以保留至少1种聚合物之方式选择性地除去,而以使第2图案被覆率接近第1图案被覆率之方式形成第2图案。

27. 发明专利

TWI322453B 基板處理方法及半導體裝置之製造方法失效
简体标题：基板处理方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI322453B
公开(公告)日：2010-03-21
申请号：TW095112014
申请日：2006-04-04
申请人：東芝股份有限公司
发明人：早崎圭 , 柴田剛 , 庄浩太郎 , 伊藤信一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： F27B17/0025 , F27B5/04 , F27D3/0084 , H01L21/67109
摘要：本發明之一形態之基板處理方法，其係使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板者，在被處理基板之處理及處理之間，在關閉前述開閉機構之狀態下，向前述加熱處理裝置內供給包含前述被處理基板之膜中所含的溶劑之氣體。【創作特點】本發明之一形態之基板處理方法，係使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板者，且在第1被處理基板之處理及第2被處理基板之處理之間，在關閉前述開閉機構之狀態下，將包含前述第1被處理基板之膜中所含的溶劑之氣體向前述加熱處理裝置內供給。
本發明之其他形態之基板處理方法，係使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板者，且在第1被處理基板之處理及第2被處理基板之處理之間，在關閉前述開閉機構之狀態下，對前述加熱處理裝置內之頂板進行加熱，以便使前述頂板附近之溫度不為前述溶劑之露點以下。
本發明之其他形態之基板處理方法，係使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板者，且在第1被處理基板之處理及第2被處理基板之處理之間，在關閉前述開閉機構之狀態下，將流量高於前述加熱處理時之氣體向前述加熱處理裝置內供給。
本發明之其他形態之基板處理方法，係使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板者，且在第1被處理基板之處理及第2被處理基板之處理之間，在關閉前述開閉機構之狀態下，將溫度低於前述加熱處理時之氣體向前述加熱處理裝置內供給。
本發明之其他形態之基板處理方法，係使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板者，且將前述被處理基板搬入前述加熱處理裝置，關閉前述開閉機構，一邊流動特定之供氣流量、排氣流量之氣體，一邊對前述被處理基板進行特定時間之加熱，使前述供氣流量及前述排氣流量中之至少一方高於前述加熱處理時之流量，將前述被處理基板保持在前述加熱處理裝置內特定時間，打開前述開閉機構，將前述被處理基板從前述加熱處理裝置搬出。
本發明之其他形態之基板處理方法，係使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板者，且將前述被處理基板搬入前述加熱處理裝置，關閉前述開閉機構，一邊流動特定之供氣流量、排氣流量之氣體一邊對前述被處理基板進行特定時間之加熱，將前述氣體之溫度降低特定時間，打開前述開閉機構，將前述被處理基板從前述加熱處理裝置搬出。
本發明之其他形態之基板處理方法，係使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板者，且將前述被處理基板搬入前述加熱處理裝置，關閉前述開閉機構，一邊流動特定之供氣流量、排氣流量之氣體一邊對前述被處理基板進行特定時間之加熱，一邊供給前述溶劑一邊將前述被處理基板在前述加熱處理裝置內保持特定時間，打開前述開閉機構，將前述被處理基板從前述加熱處理裝置搬出。
本發明之其他形態之基板處理方法，係使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板者，且將前述被處理基板搬入前述加熱處理裝置，關閉前述開閉機構，一邊供給已加熱之氣體，一邊對前述被處理基板進行特定時間之加熱，打開前述開閉機構，將前述被處理基板從前述加熱處理裝置搬出。
本發明之其他形態之基板處理方法，係使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板者，且將前述被處理基板搬入前述加熱處理裝置，關閉前述開閉機構，一邊加熱前述加熱處理裝置內之頂板，一邊對前述被處理基板進行特定時間之加熱，以便使前述頂板附近之溫度不為前述溶劑之露點以下，打開前述開閉機構，將前述被處理基板從前述加熱處理裝置搬出。
本發明之其他形態之基板處理方法，係使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板者，且將前述被處理基板搬入前述加熱處理裝置，關閉前述開閉機構，一邊流動特定之供氣流量、排氣流量之氣體，一邊對前述被處理基板進行特定時間之加熱，打開前述開閉機構，用熱容量較小之機械臂或加熱至特定溫度以上之機械臂將前述被處理基板從前述加熱處理裝置搬出。
本發明之其他形態之半導體裝置之製造方法，係使用經過處理之基板製造半導體裝置，該基板係經過使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板之處理者，且在第1被處理基板之處理及第2被處理基板之處理之間，在關閉前述開閉機構之狀態下，將包含前述第1被處理基板之膜中所含的溶劑之氣體向前述加熱處理裝置內供給。
本發明之其他形態之半導體裝置之製造方法，係使用經過處理之基板製造半導體裝置，該基板係經過使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板之處理者，且在第1被處理基板之處理及第2被處理基板之處理之間，在關閉前述開閉機構之狀態下，對前述加熱處理裝置內之頂板進行加熱，以便使前述頂板附近之溫度不為前述溶劑之露點以下。
本發明之其他形態之半導體裝置之製造方法，係使用經過處理之基板製造半導體裝置，該基板係經過使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板之處理者，且在第1被處理基板之處理及第2被處理基板之處理之間，在關閉前述開閉機構之狀態下，將流量高於前述加熱處理時之氣體向前述加熱處理裝置內供給。
本發明之其他形態之半導體裝置之製造方法，係使用經過處理之基板製造半導體裝置，該基板係經過使用具有開閉機構之加熱處理裝置，以單片式連續地加熱處理塗佈含有溶劑之膜之被處理基板之處理者，且在第1被處理基板之處理及第2被處理基板之處理之間，在關閉前述開閉機構之狀態下，將溫度低於前述加熱處理時之氣體向前述加熱處理裝置內供給。
简体摘要：本发明之一形态之基板处理方法，其系使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板者，在被处理基板之处理及处理之间，在关闭前述开闭机构之状态下，向前述加热处理设备内供给包含前述被处理基板之膜中所含的溶剂之气体。【创作特点】本发明之一形态之基板处理方法，系使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板者，且在第1被处理基板之处理及第2被处理基板之处理之间，在关闭前述开闭机构之状态下，将包含前述第1被处理基板之膜中所含的溶剂之气体向前述加热处理设备内供给。本发明之其他形态之基板处理方法，系使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板者，且在第1被处理基板之处理及第2被处理基板之处理之间，在关闭前述开闭机构之状态下，对前述加热处理设备内之顶板进行加热，以便使前述顶板附近之温度不为前述溶剂之露点以下。本发明之其他形态之基板处理方法，系使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板者，且在第1被处理基板之处理及第2被处理基板之处理之间，在关闭前述开闭机构之状态下，将流量高于前述加热处理时之气体向前述加热处理设备内供给。本发明之其他形态之基板处理方法，系使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板者，且在第1被处理基板之处理及第2被处理基板之处理之间，在关闭前述开闭机构之状态下，将温度低于前述加热处理时之气体向前述加热处理设备内供给。本发明之其他形态之基板处理方法，系使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板者，且将前述被处理基板搬入前述加热处理设备，关闭前述开闭机构，一边流动特定之供气流量、排气流量之气体，一边对前述被处理基板进行特定时间之加热，使前述供气流量及前述排气流量中之至少一方高于前述加热处理时之流量，将前述被处理基板保持在前述加热处理设备内特定时间，打开前述开闭机构，将前述被处理基板从前述加热处理设备搬出。本发明之其他形态之基板处理方法，系使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板者，且将前述被处理基板搬入前述加热处理设备，关闭前述开闭机构，一边流动特定之供气流量、排气流量之气体一边对前述被处理基板进行特定时间之加热，将前述气体之温度降低特定时间，打开前述开闭机构，将前述被处理基板从前述加热处理设备搬出。本发明之其他形态之基板处理方法，系使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板者，且将前述被处理基板搬入前述加热处理设备，关闭前述开闭机构，一边流动特定之供气流量、排气流量之气体一边对前述被处理基板进行特定时间之加热，一边供给前述溶剂一边将前述被处理基板在前述加热处理设备内保持特定时间，打开前述开闭机构，将前述被处理基板从前述加热处理设备搬出。本发明之其他形态之基板处理方法，系使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板者，且将前述被处理基板搬入前述加热处理设备，关闭前述开闭机构，一边供给已加热之气体，一边对前述被处理基板进行特定时间之加热，打开前述开闭机构，将前述被处理基板从前述加热处理设备搬出。本发明之其他形态之基板处理方法，系使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板者，且将前述被处理基板搬入前述加热处理设备，关闭前述开闭机构，一边加热前述加热处理设备内之顶板，一边对前述被处理基板进行特定时间之加热，以便使前述顶板附近之温度不为前述溶剂之露点以下，打开前述开闭机构，将前述被处理基板从前述加热处理设备搬出。本发明之其他形态之基板处理方法，系使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板者，且将前述被处理基板搬入前述加热处理设备，关闭前述开闭机构，一边流动特定之供气流量、排气流量之气体，一边对前述被处理基板进行特定时间之加热，打开前述开闭机构，用热容量较小之机械臂或加热至特定温度以上之机械臂将前述被处理基板从前述加热处理设备搬出。本发明之其他形态之半导体设备之制造方法，系使用经过处理之基板制造半导体设备，该基板系经过使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板之处理者，且在第1被处理基板之处理及第2被处理基板之处理之间，在关闭前述开闭机构之状态下，将包含前述第1被处理基板之膜中所含的溶剂之气体向前述加热处理设备内供给。本发明之其他形态之半导体设备之制造方法，系使用经过处理之基板制造半导体设备，该基板系经过使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板之处理者，且在第1被处理基板之处理及第2被处理基板之处理之间，在关闭前述开闭机构之状态下，对前述加热处理设备内之顶板进行加热，以便使前述顶板附近之温度不为前述溶剂之露点以下。本发明之其他形态之半导体设备之制造方法，系使用经过处理之基板制造半导体设备，该基板系经过使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板之处理者，且在第1被处理基板之处理及第2被处理基板之处理之间，在关闭前述开闭机构之状态下，将流量高于前述加热处理时之气体向前述加热处理设备内供给。本发明之其他形态之半导体设备之制造方法，系使用经过处理之基板制造半导体设备，该基板系经过使用具有开闭机构之加热处理设备，以单片式连续地加热处理涂布含有溶剂之膜之被处理基板之处理者，且在第1被处理基板之处理及第2被处理基板之处理之间，在关闭前述开闭机构之状态下，将温度低于前述加热处理时之气体向前述加热处理设备内供给。

28. 发明专利

TWI317051B 描繪圖案形成方法、光阻圖案形成方法、曝光裝置控制方法及半導體裝置製造方法有权
简体标题：描绘图案形成方法、光阻图案形成方法、曝光设备控制方法及半导体设备制造方法
公开(公告)号：TWI317051B
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：TW094111860
申请日：2005-04-14
申请人：東芝股份有限公司
发明人：河村大輔 , 伊藤信一
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/70616 , G03F7/70341 , G03F7/70433 , G03F7/70441
摘要：本發明於形成光阻膜之局部區域液膜而進行曝光之浸液曝光中，為提高所形成之光阻圖案的精度，而提供一種形成於光罩之光罩圖案的描繪圖案形成方法。求出上述單位曝光區域之上述光阻膜與上述液膜之接觸經歷值的代表性分佈(步驟ST12)。將對應於第1圖案資料之圖案分割成與上述接觸經歷值之代表性分佈相應的複數個區域(步驟ST19)。依據與上述接觸經歷值相應之規則，進行分割後各區域所含之圖案的校正(步驟ST20)。
简体摘要：本发明于形成光阻膜之局部区域液膜而进行曝光之浸液曝光中，为提高所形成之光阻图案的精度，而提供一种形成于光罩之光罩图案的描绘图案形成方法。求出上述单位曝光区域之上述光阻膜与上述液膜之接触经历值的代表性分布(步骤ST12)。将对应于第1图案数据之图案分割成与上述接触经历值之代表性分布相应的复数个区域(步骤ST19)。依据与上述接触经历值相应之守则，进行分割后各区域所含之图案的校正(步骤ST20)。

29. 发明专利

TWI241467B 圖案形成方法失效
简体标题：图案形成方法
公开(公告)号：TWI241467B
公开(公告)日：2005-10-11
申请号：TW092108398
申请日：2003-04-11
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：伊藤信一 , 高橋理一郎
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/7065 , G03F7/40
摘要：本發明可部分地補正感光性樹脂圖案的異常，消除再製基板以謀求製造成本的減低。
本發明之圖案形成方法包含步驟S11，其係於基板上形成被加工膜者；於被加工膜的主面上形成光阻膜之步驟；於光阻膜使期望圖案曝光之步驟；步驟S12，其係使光阻膜顯影以形成光阻圖案者；步驟S13，其係檢查光阻圖案的尺寸或是形狀的異常者；步驟S14，其係對由S13檢出之異常處施與補正處理者；及步驟S15，其係使用補正後的光阻圖案選擇蝕刻被加工膜者；於S13及S14，使用以DUV光作為光源之同一的光學式裝置，連續進行S13及S14，而且於S13，供給氮氣至光阻表面，於S14，供給氧氣至光阻表面。
简体摘要：本发明可部分地补正感光性树脂图案的异常，消除再制基板以谋求制造成本的减低。本发明之图案形成方法包含步骤S11，其系于基板上形成被加工膜者；于被加工膜的主面上形成光阻膜之步骤；于光阻膜使期望图案曝光之步骤；步骤S12，其系使光阻膜显影以形成光阻图案者；步骤S13，其系检查光阻图案的尺寸或是形状的异常者；步骤S14，其系对由S13检出之异常处施与补正处理者；及步骤S15，其系使用补正后的光阻图案选择蚀刻被加工膜者；于S13及S14，使用以DUV光作为光源之同一的光学式设备，连续进行S13及S14，而且于S13，供给氮气至光阻表面，于S14，供给氧气至光阻表面。

30. 发明专利

TWI234054B 基板處理方法、基板處理裝置、顯像方法及半導體裝置之製造方法 SUBSTRATE TREATING METHOD, SUBSTRATE-PROCESSING APPARATUS, DEVELOPING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：基板处理方法、基板处理设备、显像方法及半导体设备之制造方法 SUBSTRATE TREATING METHOD, SUBSTRATE-PROCESSING APPARATUS, DEVELOPING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI234054B
公开(公告)日：2005-06-11
申请号：TW092101818
申请日：2003-01-28
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：早崎圭 HAYASAKI, KEI , 伊藤信一 , 江間達彥 , 高橋理一郎
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/3021 , H01L21/31133 , Y10S134/902
摘要：本發明之基板處理方法包含：
於基板上供給處理液；
及自設於噴嘴之第一排出區域對基板連續地排出第一洗淨液，且使前述噴嘴與前述基板相對地向一方向移動；
其中直交於前述第一排出區域之前述一方向的方向長度與前述基板之最大徑或最長邊相等或比其大；
前述噴嘴自第一噴出區域對前述基板連續地噴灑第一氣體，直交於第一噴出區域之前述一方向的方向長度與前述基板之最大徑或最長邊相等或比其大。
简体摘要：本发明之基板处理方法包含：于基板上供给处理液；及自设于喷嘴之第一排出区域对基板连续地排出第一洗净液，且使前述喷嘴与前述基板相对地向一方向移动；其中直交于前述第一排出区域之前述一方向的方向长度与前述基板之最大径或最长边相等或比其大；前述喷嘴自第一喷出区域对前述基板连续地喷洒第一气体，直交于第一喷出区域之前述一方向的方向长度与前述基板之最大径或最长边相等或比其大。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式