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21. 发明专利

TW201708192A 二胺化合物其及中間體之製造方法审中-公开
简体标题：二胺化合物其及中间体之制造方法
公开(公告)号：TW201708192A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105107205
申请日：2016-03-09
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：高瀬顕司 , TAKASE, KENJI , 森本佳道 , MORIMOTO, YOSHIMICHI
IPC分类号： C07D211/26 , C07B61/00
CPC分类号： C07D211/26 , C07B61/00
摘要：本發明提供一種可作為用以製造液晶配向膜之聚醯亞胺系聚合物之原料等而有用之二胺化合物及其中間體之新穎製造方法。將對-氟硝基苯(D)與4-(胺基甲基)哌啶(E)於自二甲基乙醯胺、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮、二甲基亞碸及N-甲基吡咯啶酮所成之群選出之溶劑中反應而獲得以式(C)表示之化合物。該化合物之胺基藉由第三丁氧羰基化而獲得以式(B)表示之化合物。進而，將該化合物還原獲得以式(A)表示之化合物。
简体摘要：本发明提供一种可作为用以制造液晶配向膜之聚酰亚胺系聚合物之原料等而有用之二胺化合物及其中间体之新颖制造方法。将对-氟硝基苯(D)与4-(胺基甲基)哌啶(E)于自二甲基乙酰胺、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮、二甲基亚砜及N-甲基吡咯啶酮所成之群选出之溶剂中反应而获得以式(C)表示之化合物。该化合物之胺基借由第三丁氧羰基化而获得以式(B)表示之化合物。进而，将该化合物还原获得以式(A)表示之化合物。

22. 发明专利

TW201634614A 形成交聯反應性之含矽膜組成物审中-公开
简体标题：形成交联反应性之含硅膜组成物
公开(公告)号：TW201634614A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104137922
申请日：2015-11-17
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 高瀬顕司 , TAKASE, KENJI , 遠藤雅久 , ENDO, MASAHISA , 若山浩之 , WAKAYAMA, HIROYUKI
IPC分类号： C09D183/06 , C07F7/18 , C08J5/18 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： C07F7/1836 , C08G77/14 , C09D183/00 , G03F7/11 , H01L21/027
摘要：本發明係提供一種使用於具有硬化性或埋入性等之良好的效果之形成膜組成物、半導體裝置之光微影步驟的阻劑下層膜。一種形成膜組成物，其特徵為包含作為矽烷之水解性矽烷、該水解物、或該水解縮合物，該水解性矽烷包含式(1)所示之水解性矽烷：【化1】R1aR2bSi(R3)4-(a+b) 式(1) 〔式(1)中、R1係以式(2)：所表示的有機基且介由Si-C鍵與矽原子鍵結〕所表示之水解性矽烷之形成膜組成物。該水解性矽烷為以式(1)所示之水解性矽烷與其他之水解性矽烷之組合，其他之水解性矽烷係選自式(3)及式(4)所成之群中選出之至少1種之水解性矽烷，【化3】R7cSi(R8)4-c 式(3) 【化4】〔R9dSi(R10)3-d〕2Ye 式(4) 形成膜組成物為使用於光微影步驟之阻劑下層形成膜組成物。塗佈阻劑下層形成膜組成物於半導體基板上，介由燒成所獲得阻劑下層膜。
简体摘要：本发明系提供一种使用于具有硬化性或埋入性等之良好的效果之形成膜组成物、半导体设备之光微影步骤的阻剂下层膜。一种形成膜组成物，其特征为包含作为硅烷之水解性硅烷、该水解物、或该水解缩合物，该水解性硅烷包含式(1)所示之水解性硅烷：【化1】R1aR2bSi(R3)4-(a+b) 式(1) 〔式(1)中、R1系以式(2)：所表示的有机基且介由Si-C键与硅原子键结〕所表示之水解性硅烷之形成膜组成物。该水解性硅烷为以式(1)所示之水解性硅烷与其他之水解性硅烷之组合，其他之水解性硅烷系选自式(3)及式(4)所成之群中选出之至少1种之水解性硅烷，【化3】R7cSi(R8)4-c 式(3) 【化4】〔R9dSi(R10)3-d〕2Ye 式(4) 形成膜组成物为使用于光微影步骤之阻剂下层形成膜组成物。涂布阻剂下层形成膜组成物于半导体基板上，介由烧成所获得阻剂下层膜。

23. 发明专利

TW201615758A 具有鹵化磺醯基烷基之含有矽之光阻下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：具有卤化磺酰基烷基之含有硅之光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201615758A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104122957
申请日：2015-07-15
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 高瀬顕司 , TAKASE, KENJI , 中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 武田諭 , TAKEDA, SATOSHI , 若山浩之 , WAKAYAMA, HIROYUKI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C08L83/08 , C08G77/24 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C08G77/24 , C08G77/28 , C09D183/08 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/327 , G03F7/38 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3086
摘要：本發明之課題為提供一種在將上層光阻膜曝光並以鹼顯影液或有機溶劑顯影時可形成優異光阻圖型形狀的光阻下層膜與該形成組成物。解決課題之手段的微影用光阻下層膜形成組成物，其係包含作為矽烷之水解性矽烷、該水解物、該水解縮合物、或此等之組合，該水解性矽烷係包含式(1)：【化1】R1aR2bSi(R3)4-(a+b) 式(1)〔式(1)中，R1係式(2)：【化2】-R4-R5-R6 式(2)(式(2)中，R4係表示可被取代的碳原子數1至10的伸烷基，R5係表示磺醯基、或磺醯胺基，R6係表示含鹵的有機基〕所表示之水解性矽烷。上述式(2)中的R6為含氟有機基。上述式(2)中的R6為三氟甲基。藉由將光阻下層膜形成組成物塗布於半導體基板上並燒成而得到光阻下層膜。進而包含酸來作為水解觸媒。進而包含水。
简体摘要：本发明之课题为提供一种在将上层光阻膜曝光并以碱显影液或有机溶剂显影时可形成优异光阻图型形状的光阻下层膜与该形成组成物。解决课题之手段的微影用光阻下层膜形成组成物，其系包含作为硅烷之水解性硅烷、该水解物、该水解缩合物、或此等之组合，该水解性硅烷系包含式(1)：【化1】R1aR2bSi(R3)4-(a+b) 式(1)〔式(1)中，R1系式(2)：【化2】-R4-R5-R6 式(2)(式(2)中，R4系表示可被取代的碳原子数1至10的伸烷基，R5系表示磺酰基、或磺酰胺基，R6系表示含卤的有机基〕所表示之水解性硅烷。上述式(2)中的R6为含氟有机基。上述式(2)中的R6为三氟甲基。借由将光阻下层膜形成组成物涂布于半导体基板上并烧成而得到光阻下层膜。进而包含酸来作为水解触媒。进而包含水。

24. 发明专利

TW201430500A 含有具有環狀二酯基之矽的抗蝕下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：含有具有环状二酯基之硅的抗蚀下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201430500A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102147237
申请日：2013-12-19
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：菅野裕太 , KANNO, YUTA , 佐久間大輔 , SAKUMA, DAISUKE , 高瀬顕司 , TAKASE, KENJI , 中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI
IPC分类号： G03F7/09 , G03F7/075
CPC分类号： C08G77/18 , C07F7/1836 , C08G77/14 , C08G77/26 , C08G77/28 , C09D183/06 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31133 , H01L21/31144
摘要：本發明之課題為提供一種可使用作為硬遮罩之抗蝕下層膜。本發明之解決手段為一種微影術用抗蝕下層膜形成組成物，其係包含水解性矽烷、其水解物、或其水解縮合物作為矽烷，該水解性矽烷包含式(1)所示之矽烷、或由式(1)所示之矽烷與式(2)所示之矽烷之組合所構成之水解性矽烷，且式(1)、或式(1)與式(2)之組合之水解性矽烷係在全矽烷中被包含未滿50莫耳%。式(1)：【化1】R1aR2bSi(R3)4-(a+b) 式(1) 〔式中R1為包含式(1-1)、式(1-2)、或式(1-3)之有機基，a表示1之整數，b表示0或1之整數，a+b表示1或2之整數。〕式(2)：【化3】R4aR5bSi(R6)4-(a+b) 式(2) 〔式中R4包含式(2-1)、式(2-2)、或式(2-3)之有機基，a表示1之整數，b表示0或1之整數，a+b表示1或2之整數。〕
简体摘要：本发明之课题为提供一种可使用作为硬遮罩之抗蚀下层膜。本发明之解决手段为一种微影术用抗蚀下层膜形成组成物，其系包含水解性硅烷、其水解物、或其水解缩合物作为硅烷，该水解性硅烷包含式(1)所示之硅烷、或由式(1)所示之硅烷与式(2)所示之硅烷之组合所构成之水解性硅烷，且式(1)、或式(1)与式(2)之组合之水解性硅烷系在全硅烷中被包含未满50莫耳%。式(1)：【化1】R1aR2bSi(R3)4-(a+b) 式(1) 〔式中R1为包含式(1-1)、式(1-2)、或式(1-3)之有机基，a表示1之整数，b表示0或1之整数，a+b表示1或2之整数。〕式(2)：【化3】R4aR5bSi(R6)4-(a+b) 式(2) 〔式中R4包含式(2-1)、式(2-2)、或式(2-3)之有机基，a表示1之整数，b表示0或1之整数，a+b表示1或2之整数。〕

25. 发明专利

TWI647232B 包含磺醯基鍵之矽烷化合物的製造方法有权
简体标题：包含磺酰基键之硅烷化合物的制造方法
公开(公告)号：TWI647232B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW104120188
申请日：2015-06-23
申请人：日商日產化學工業有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：高瀬顕司 , TAKASE, KENJI
IPC分类号： C07F7/08 , G03F7/11

26. 发明专利

TW201602123A 包含磺醯基鍵之矽烷化合物的製造方法审中-公开
简体标题：包含磺酰基键之硅烷化合物的制造方法
公开(公告)号：TW201602123A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104120188
申请日：2015-06-23
申请人：日產化學工業有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：高瀬顕司 , TAKASE, KENJI
IPC分类号： C07F7/08 , G03F7/11
CPC分类号： C07F7/1892 , C07F7/1836
摘要：本發明提供一種作為微影法用抗蝕劑下層膜形成組合物之原料有用之包含磺醯基鍵之矽烷化合物的新穎之製造方法。本發明之式(1)所表示之包含磺醯基鍵之矽烷化合物的製造方法之特徵在於包含如下步驟：步驟(A)，其使式(I)所表示之氯磺醯基化合物在水溶劑中、鹼存在下與亞硫酸鈉進行反應而生成式(II)所表示之亞磺酸鈉鹽；及步驟(B)，其向該反應系統中加入芳香族烴溶劑進行共沸脫水之後，添加非質子系極性溶劑與式(III)所表示之氯烷基矽烷化合物而進行反應。 (式中，R1、R2、R3、R4及R5分別獨立地表示氫原子、選自鹵素原子、烷基、烷氧基、鹵代烷基及鹵代烷氧基、氰基或硝基之取代基，進而，R2與R1或與R3亦可一起形成-CH=CH-CH=CH-，R6及R7分別獨立地表示碳原子數1至5之烷基，L表示單鍵，或表示碳原子數1至19之具有直鏈、支鏈、環狀或組合該等而成之結構的飽和或不飽和之二價烴基，q表示1至3之整數)。
简体摘要：本发明提供一种作为微影法用抗蚀剂下层膜形成组合物之原料有用之包含磺酰基键之硅烷化合物的新颖之制造方法。本发明之式(1)所表示之包含磺酰基键之硅烷化合物的制造方法之特征在于包含如下步骤：步骤(A)，其使式(I)所表示之氯磺酰基化合物在水溶剂中、碱存在下与亚硫酸钠进行反应而生成式(II)所表示之亚磺酸钠盐；及步骤(B)，其向该反应系统中加入芳香族烃溶剂进行共沸脱水之后，添加非质子系极性溶剂与式(III)所表示之氯烷基硅烷化合物而进行反应。 (式中，R1、R2、R3、R4及R5分别独立地表示氢原子、选自卤素原子、烷基、烷氧基、卤代烷基及卤代烷氧基、氰基或硝基之取代基，进而，R2与R1或与R3亦可一起形成-CH=CH-CH=CH-，R6及R7分别独立地表示碳原子数1至5之烷基，L表示单键，或表示碳原子数1至19之具有直链、支链、环状或组合该等而成之结构的饱和或不饱和之二价烃基，q表示1至3之整数)。

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