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21. 发明专利

TWI592463B 用於發光裝置之雙極性主發光體有权
简体标题：用于发光设备之双极性主发光体
公开(公告)号：TWI592463B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW102145480
申请日：2013-12-10
申请人：日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION
发明人：西斯克大衛 T , SISK, DAVID T. , 鄭世君 , ZHENG, SHIJUN
IPC分类号： C09K11/06 , C07D233/10 , C07D263/57 , C07D277/64 , H05B33/14 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/0072 , C07D235/18 , C07D235/20 , C07D403/10 , C07D403/14 , C07D413/14 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0071 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5036

22. 发明专利

TWI515189B 用於發光元件中的多孔膜的化合物有权
简体标题：用于发光组件中的多孔膜的化合物
公开(公告)号：TWI515189B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW101106867
申请日：2012-03-02
申请人：日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION
发明人：鄭世俊 , ZHENG, SHIJUN , 凱椰斯傑森 , CAYAS, JENSEN , 西斯克大衛T , SISK, DAVID T.
IPC分类号： C07D413/10 , C07D413/14 , C07D411/14 , H01L51/50 , H05B33/22
CPC分类号： C07D263/64 , C07D413/14 , C07D417/14 , C09K11/06 , H01L51/5268

23. 发明专利

TW201434660A 包含發光層之發光裝置审中-公开
简体标题：包含发光层之发光设备
公开(公告)号：TW201434660A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102146709
申请日：2013-12-17
申请人：日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION
发明人：馬立平 , MA, LIPING , 鄭世俊 , ZHENG, SHIJUN , 西斯克大衛 T , SISK, DAVID T.
IPC分类号： B32B9/00 , C09K11/06 , H05B33/14 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/0071 , C07D235/18 , C07D401/04 , C07D401/14 , C07D403/10 , C07D413/14 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/1033 , C09K2211/1044 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/504 , H05B33/14
摘要：在此描述的為一種包含螢光發光層、以及三個不同的磷光發光層的發光裝置。
简体摘要：在此描述的为一种包含萤光发光层、以及三个不同的磷光发光层的发光设备。

24. 发明专利

TW201428083A 用於發光裝置之雙極性主發光體审中-公开
简体标题：用于发光设备之双极性主发光体
公开(公告)号：TW201428083A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW102145480
申请日：2013-12-10
申请人：日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION
发明人：西斯克大衛 T , SISK, DAVID T. , 鄭世君 , ZHENG, SHIJUN
IPC分类号： C09K11/06 , C07D233/10 , C07D263/57 , C07D277/64 , H05B33/14 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/0072 , C07D235/18 , C07D235/20 , C07D403/10 , C07D403/14 , C07D413/14 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0071 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5036
摘要：部分實施例是提供一種由化學式1所表示的化合物：其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、以及R8為獨立地氫(H)、C1-C3烷基(C1-C3 alkyl)、或C1-3過氟化烷基(C1-3 perfluoroalkyl)；HT是選擇性經取代之咔唑(carbazoyl)、選擇性經取代之苯基咔唑(phenylcarbazolyl)、選擇性經取代之（苯基咔唑）苯基((phenylcarbazolyl)phenyl)、選擇性經取代之苯基萘胺(phenylnaphthylamine)、或選擇性經取代之二苯肢(diphenylamine)；以及ET是選擇性經取代之苯並咪唑-2基(benzimidazol-2-yl)、選擇性經取代之苯並噻唑-2基(benzothiazol-2-yl)、選擇性經取代之苯並噁唑-2基(benzoxazol-2-yl)、選擇性經取代之3,3’-聯吡啶-5-基(3,3’-bipyridin-5-yl)、選擇性經取代喹啉-8基(quinolin-8-yl)、選擇性經取代之喹啉-5基(quinolin-5-yl)、或選擇性經取代之喹喔啉-5基(quinoxalin-5-yl)。其他實施例提供一種包含化學式1之化合物的有機發光二極體裝置。
简体摘要：部分实施例是提供一种由化学式1所表示的化合物：其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、以及R8为独立地氢(H)、C1-C3烷基(C1-C3 alkyl)、或C1-3过氟化烷基(C1-3 perfluoroalkyl)；HT是选择性经取代之咔唑(carbazoyl)、选择性经取代之苯基咔唑(phenylcarbazolyl)、选择性经取代之（苯基咔唑）苯基((phenylcarbazolyl)phenyl)、选择性经取代之苯基萘胺(phenylnaphthylamine)、或选择性经取代之二苯肢(diphenylamine)；以及ET是选择性经取代之苯并咪唑-2基(benzimidazol-2-yl)、选择性经取代之苯并噻唑-2基(benzothiazol-2-yl)、选择性经取代之苯并恶唑-2基(benzoxazol-2-yl)、选择性经取代之3,3’-联吡啶-5-基(3,3’-bipyridin-5-yl)、选择性经取代喹啉-8基(quinolin-8-yl)、选择性经取代之喹啉-5基(quinolin-5-yl)、或选择性经取代之喹喔啉-5基(quinoxalin-5-yl)。其他实施例提供一种包含化学式1之化合物的有机发光二极管设备。

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