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21. 发明专利

TW201705489A 半導體裝置及電子裝置审中-公开
简体标题：半导体设备及电子设备
公开(公告)号：TW201705489A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105108819
申请日：2016-03-22
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 塚本陽子 , TSUKAMOTO, YOKO
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/42392 , H01L29/78696
摘要：本發明的一個實施方式即使使電晶體微型化，也可以提供具有高穩定的電特性的電晶體。此外，在包括上述電晶體的半導體裝置中，實現高性能及高可靠性。在基板上包括導電體、氧化物半導體以及絕緣體，氧化物半導體包括第一區域、第二區域，第二區域的電阻比第一區域低，氧化物半導體中的第一區域的整個面隔著絕緣體由導電體圍繞。
简体摘要：本发明的一个实施方式即使使晶体管微型化，也可以提供具有高稳定的电特性的晶体管。此外，在包括上述晶体管的半导体设备中，实现高性能及高可靠性。在基板上包括导电体、氧化物半导体以及绝缘体，氧化物半导体包括第一区域、第二区域，第二区域的电阻比第一区域低，氧化物半导体中的第一区域的整个面隔着绝缘体由导电体围绕。

22. 发明专利

TW201701482A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201701482A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105126594
申请日：2012-06-05
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 井本裕己 , IMOTO, YUKI , 高林裕子 , TAKABAYASHI, YUKO , 山根靖正 , YAMANE, YASUMASA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/045 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78603
摘要：本發明的一個實施例的目的在於提供一種氧化物半導體膜與接觸於該氧化物半導體膜的基底膜之間的介面的電子狀態良好的電晶體。將介面中的基底膜的最近鄰原子距離和氧化物半導體膜的晶格常數之差用介面中的基底膜的最近鄰原子距離除的值為小於或等於0.15。例如，藉由在包括具有立方晶體結構的晶體結構且沿(111)面配向的穩定氧化鋯的基底膜上形成氧化物半導體膜，直接在基底膜上也能夠獲得具有晶化度高的結晶區的氧化物半導體膜。
简体摘要：本发明的一个实施例的目的在于提供一种氧化物半导体膜与接触于该氧化物半导体膜的基底膜之间的界面的电子状态良好的晶体管。将界面中的基底膜的最近邻原子距离和氧化物半导体膜的晶格常数之差用界面中的基底膜的最近邻原子距离除的值为小于或等于0.15。例如，借由在包括具有立方晶体结构的晶体结构且沿(111)面配向的稳定氧化锆的基底膜上形成氧化物半导体膜，直接在基底膜上也能够获得具有晶化度高的结晶区的氧化物半导体膜。

23. 发明专利

TWI524518B 半導體裝置及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI524518B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW100102492
申请日：2011-01-24
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 齋藤隆行 , SAITO, TAKAYUKI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L29/4908 , H01L29/495 , H01L29/513 , H01L29/517

24. 发明专利

TWI524431B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI524431B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW100120183
申请日：2011-06-09
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 遠藤佑太 , ENDO, YUTA
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L22/10 , H01L23/564 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

25. 发明专利

TW201546885A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201546885A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104107755
申请日：2015-03-11
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 野田耕生 , NODA, KOSEI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1218 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L27/1262 , H01L29/66969
摘要：一種適合於微型化的半導體裝置。一種半導體裝置的製造方法，包括如下步驟：形成半導體的製程；在半導體的上方形成第一導電體的製程；對第一導電體進行第二加工，以便形成對應於第一圖案的導電體的製程；在具有第一圖案的導電體的上方形成第一絕緣體的製程；在第一絕緣體中形成開口的製程；在開口中對具有第一圖案的導電體進行第三加工，以便形成第一電極和第二電極，並且使半導體露出的製程；在第一絕緣體、開口的內壁以及半導體的被露出的部分的上方形成第二絕緣體的製程；在第二絕緣體的上方形成第二導電體的製程；以及對第二導電體進行第四加工，以便形成第三電極的製程。
简体摘要：一种适合于微型化的半导体设备。一种半导体设备的制造方法，包括如下步骤：形成半导体的制程；在半导体的上方形成第一导电体的制程；对第一导电体进行第二加工，以便形成对应于第一图案的导电体的制程；在具有第一图案的导电体的上方形成第一绝缘体的制程；在第一绝缘体中形成开口的制程；在开口中对具有第一图案的导电体进行第三加工，以便形成第一电极和第二电极，并且使半导体露出的制程；在第一绝缘体、开口的内壁以及半导体的被露出的部分的上方形成第二绝缘体的制程；在第二绝缘体的上方形成第二导电体的制程；以及对第二导电体进行第四加工，以便形成第三电极的制程。

26. 发明专利

TWI456637B 絕緣層上覆矽（ＳＯＩ）基板之製造方法有权
简体标题：绝缘层上覆硅（ＳＯＩ）基板之制造方法
公开(公告)号：TWI456637B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW097150458
申请日：2008-12-24
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/84
CPC分类号： H01L21/76254

27. 发明专利

TW201312752A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201312752A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101123714
申请日：2012-07-02
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 佐藤優一 , SATO, YUICHI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L27/1218 , H01L29/4908 , H01L29/78603 , H01L29/78618 , H01L29/7869
摘要：本發明的目的是提供一種場效應遷移率高、臨界電壓的偏差小且可靠性高的使用氧化物半導體膜的電晶體的半導體裝置。本發明是一種具有電晶體的半導體裝置，該電晶體包括藉由加熱處理釋放氧的絕緣基板以及設置在該絕緣基板上的氧化物半導體膜，其中，在該氧化物半導體膜形成通道。藉由加熱處理釋放氧的絕緣基板可以藉由對絕緣基板的至少設置氧化物半導體膜的一側進行氧離子的注入來製造。
简体摘要：本发明的目的是提供一种场效应迁移率高、临界电压的偏差小且可靠性高的使用氧化物半导体膜的晶体管的半导体设备。本发明是一种具有晶体管的半导体设备，该晶体管包括借由加热处理释放氧的绝缘基板以及设置在该绝缘基板上的氧化物半导体膜，其中，在该氧化物半导体膜形成信道。借由加热处理释放氧的绝缘基板可以借由对绝缘基板的至少设置氧化物半导体膜的一侧进行氧离子的注入来制造。

28. 发明专利

TW201304145A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201304145A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101120144
申请日：2012-06-05
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 井本裕己 , IMOTO, YUKI , 高林裕子 , TAKABAYASHI, YUKO , 山根靖正 , YAMANE, YASUMASA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/045 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78603
摘要：本發明的一個實施例的目的在於提供一種氧化物半導體膜與接觸於該氧化物半導體膜的基底膜之間的介面的電子狀態良好的電晶體。將介面中的基底膜的最近鄰原子距離和氧化物半導體膜的晶格常數之差用介面中的基底膜的最近鄰原子距離除的值為小於或等於0.15。例如，藉由在包括具有立方晶體結構的晶體結構且沿(111)面配向的穩定氧化鋯的基底膜上形成氧化物半導體膜，直接在基底膜上也能夠獲得具有晶化度高的結晶區的氧化物半導體膜。
简体摘要：本发明的一个实施例的目的在于提供一种氧化物半导体膜与接触于该氧化物半导体膜的基底膜之间的界面的电子状态良好的晶体管。将界面中的基底膜的最近邻原子距离和氧化物半导体膜的晶格常数之差用界面中的基底膜的最近邻原子距离除的值为小于或等于0.15。例如，借由在包括具有立方晶体结构的晶体结构且沿(111)面配向的稳定氧化锆的基底膜上形成氧化物半导体膜，直接在基底膜上也能够获得具有晶化度高的结晶区的氧化物半导体膜。

29. 发明专利

TWI639234B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI639234B
公开(公告)日：2018-10-21
申请号：TW102147520
申请日：2013-12-20
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：遠藤佑太 , ENDO, YUTA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28

30. 发明专利

TWI588994B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI588994B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW100117234
申请日：2011-05-17
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 野田耕生 , NODA, KOSEI , 佐藤瑞穗 , SATO, MIZUHO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/78606 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/7869

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