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21. 发明专利

TW201023331A 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW201023331A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：TW098115087
申请日：2009-05-07
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：張宏賓 , 許國經 , 陳承先 , 邱文智 , 余振華
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/5384 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68372 , H01L2224/0231 , H01L2224/02311 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05027 , H01L2224/0557 , H01L2224/13009 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/13147 , H01L2224/1401 , H01L2224/1701 , H01L2224/81001 , H01L2224/81005 , H01L2224/81193 , H01L2224/812 , H01L2224/81801 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種用於疊置晶片的凸塊結構。在一半導體基底內形成矽通孔電極。對半導體基底的背側進行薄化,以露出矽通孔電極。在半導體基底的背側及矽通孔電極的露出部分上方形成一隔離層。對隔離層進行薄化,以再次露出矽通孔電極。在半導體基底的背側形成焊墊及重佈線,以電性連接矽通孔電極。形成另一隔離層並進行圖案化,再形成一阻障層,以提供接觸墊來連接外部裝置,例如,另一晶片/晶圓或電路板。
简体摘要：本发明揭示一种用于叠置芯片的凸块结构。在一半导体基底内形成硅通孔电极。对半导体基底的背侧进行薄化,以露出硅通孔电极。在半导体基底的背侧及硅通孔电极的露出部分上方形成一隔离层。对隔离层进行薄化,以再次露出硅通孔电极。在半导体基底的背侧形成焊垫及重布线,以电性连接硅通孔电极。形成另一隔离层并进行图案化,再形成一阻障层,以提供接触垫来连接外部设备,例如,另一芯片/晶圆或电路板。

22. 发明专利

TW201019423A 積體電路結構及其形成方法 INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES AND METHOD OF FORMING THE SAME 审中-公开
简体标题：集成电路结构及其形成方法 INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES AND METHOD OF FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW201019423A
公开(公告)日：2010-05-16
申请号：TW098132045
申请日：2009-09-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：楊固峰 , 邱文智 , 吳文進 , 涂宏榮
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L23/3114 , H01L23/3135 , H01L23/481 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05567 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099
摘要：本發明提供一種堆疊式晶圓之製造方法。在一實施例中，該方法包括：提供一晶圓，具有一晶片側與一非晶片側，該晶片側包括複數個半導體晶片；提供複數個晶粒，黏合每一該等晶粒至該等半導體晶片其中之一；以一保護材料包覆該晶圓之該晶片側與該等晶粒；薄化該晶圓之該非晶片側至一預期厚度；以及切割該晶圓，以使該晶圓分離成各別之半導體封裝結構。
简体摘要：本发明提供一种堆栈式晶圆之制造方法。在一实施例中，该方法包括：提供一晶圆，具有一芯片侧与一非芯片侧，该芯片侧包括复数个半导体芯片；提供复数个晶粒，黏合每一该等晶粒至该等半导体芯片其中之一；以一保护材料包覆该晶圆之该芯片侧与该等晶粒；薄化该晶圆之该非芯片侧至一预期厚度；以及切割该晶圆，以使该晶圆分离成各别之半导体封装结构。

23. 发明专利

TW201014000A 發光二極體元件的製造方法 METHOD OF FORMING A LIGHT-EMITTING DIODE DEVICE 审中-公开
简体标题：发光二极管组件的制造方法 METHOD OF FORMING A LIGHT-EMITTING DIODE DEVICE
公开(公告)号：TW201014000A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098130491
申请日：2009-09-10
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳鼎元 , 林宏達 , 余振華 , 邱文智
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/007 , C23C14/048 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L25/167 , H01L33/0079 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係提供一種發光二極體元件的製造方法以及將發光二極體元件從生長基底分離，該發光二極體元件係經由在生長基底之上形成發光二極體結構而形成，該方法包括形成並圖案化遮罩層於生長基底上，形成第一接觸層於圖案化遮罩層之上，使得第一接觸層與圖案化遮罩層之間具有空氣架橋，第一接觸層可以是發光二極體結構的接觸層，於發光二極體結構形成之後，沿著空氣架橋將生長基底與發光二極體結構分離。
简体摘要：本发明系提供一种发光二极管组件的制造方法以及将发光二极管组件从生长基底分离，该发光二极管组件系经由在生长基底之上形成发光二极管结构而形成，该方法包括形成并图案化遮罩层于生长基底上，形成第一接触层于图案化遮罩层之上，使得第一接触层与图案化遮罩层之间具有空气架桥，第一接触层可以是发光二极管结构的接触层，于发光二极管结构形成之后，沿着空气架桥将生长基底与发光二极管结构分离。

24. 发明专利

TW201003763A 分離晶圓基材上表層之複數個半導體元件晶粒方法 WAFER DICING METHODS 审中-公开
简体标题：分离晶圆基材上表层之复数个半导体组件晶粒方法 WAFER DICING METHODS
公开(公告)号：TW201003763A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098100142
申请日：2009-01-06
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：余振華 , 邱文智 , 陳鼎元
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種半導體晶圓的切割方法，包括下列步驟：於欲分離之相鄰晶粒間形成蝕刻圖案，可使用各種蝕刻製程形成此蝕刻圖案。蝕刻圖案一般達一預定深度至晶圓晶材中，顯著地低於晶圓上表層，而上表層嵌入先製成之半導體晶粒。將蝕刻後、大尺寸、易碎的晶圓經由晶圓研磨、機械切割和雷射切割方法切割成半導體晶粒。較佳的實施例能降低對晶圓切割相關的元件傷害，且改善產品良率降低問題。
简体摘要：本发明提供一种半导体晶圆的切割方法，包括下列步骤：于欲分离之相邻晶粒间形成蚀刻图案，可使用各种蚀刻制程形成此蚀刻图案。蚀刻图案一般达一预定深度至晶圆晶材中，显着地低于晶圆上表层，而上表层嵌入先制成之半导体晶粒。将蚀刻后、大尺寸、易碎的晶圆经由晶圆研磨、机械切割和激光切割方法切割成半导体晶粒。较佳的实施例能降低对晶圆切割相关的组件伤害，且改善产品良率降低问题。

25. 发明专利

TW522138B 防止雙重金屬鑲嵌多層結構破裂之方法及其結構有权
简体标题：防止双重金属镶嵌多层结构破裂之方法及其结构
公开(公告)号：TW522138B
公开(公告)日：2003-03-01
申请号：TW091110576
申请日：2002-05-20
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：潘興强 , 林耕竹 , 邱文智 , 鄭雙銘
IPC分类号： B81C
摘要：一種防止雙重金屬鑲嵌多層結構(Dual Damascene Multi-layer Structure)破裂之方法及其結構。此方法係在溝渠形成後，利用氫或氮電漿對溝渠所暴露出之低介電常數薄膜進行反應性清洗，藉以變更低介電常數薄膜的性質，而增強低介電常數薄膜與覆蓋於其上之阻障層(Barrier Layer)之間的附著力，進而防止低介電常數薄膜與阻障層之間產生破裂。
简体摘要：一种防止双重金属镶嵌多层结构(Dual Damascene Multi-layer Structure)破裂之方法及其结构。此方法系在沟渠形成后，利用氢或氮等离子对沟渠所暴露出之低介电常数薄膜进行反应性清洗，借以变更低介电常数薄膜的性质，而增强低介电常数薄膜与覆盖于其上之阻障层(Barrier Layer)之间的附着力，进而防止低介电常数薄膜与阻障层之间产生破裂。

26. 发明专利

TW495948B 積體電路之嵌入式銅金屬的製程方法有权
简体标题：集成电路之嵌入式铜金属的制程方法
公开(公告)号：TW495948B
公开(公告)日：2002-07-21
申请号：TW090105646
申请日：2001-03-09
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳盈和 , 章勳明 , 邱文智 , 施足
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係揭露一種積體電路之嵌入式銅金屬的製程方法。由於銅金屬具備有多項電性優勢，遂逐漸成為進入深次微米領域時最有可能性的金屬材料，而在多重銅金屬內連線製程中，則利用有機低介電係數(low k)介電層，例如：含氟矽玻璃層(FSG)來降低元件之電阻電容延遲時間。但是，在經過化學機械研磨(CMP)處理之後，所述含氟矽玻璃層表面之銅金屬缺陷容易造成金屬橋接現象，而要移除該缺陷則需進行額外之再處理步驟，故本發明係揭露一種積體電路之嵌入式銅金屬的製程方法，利用在所述含氟矽玻璃層上形成一介電層，來避免所述含氟矽玻璃表面之銅金屬缺陷的產生。
简体摘要：本发明系揭露一种集成电路之嵌入式铜金属的制程方法。由于铜金属具备有多项电性优势，遂逐渐成为进入深次微米领域时最有可能性的金属材料，而在多重铜金属内连接制程中，则利用有机低介电系数(low k)介电层，例如：含氟硅玻璃层(FSG)来降低组件之电阻电容延迟时间。但是，在经过化学机械研磨(CMP)处理之后，所述含氟硅玻璃层表面之铜金属缺陷容易造成金属桥接现象，而要移除该缺陷则需进行额外之再处理步骤，故本发明系揭露一种集成电路之嵌入式铜金属的制程方法，利用在所述含氟硅玻璃层上形成一介电层，来避免所述含氟硅玻璃表面之铜金属缺陷的产生。

27. 发明专利

TW466594B 抗反射塗層光學特性的調整方法有权
简体标题：抗反射涂层光学特性的调整方法
公开(公告)号：TW466594B
公开(公告)日：2001-12-01
申请号：TW089109879
申请日：2000-05-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：邱文智 , 章勳明
IPC分类号： H01L
摘要：一種調整抗反射塗層之光學特性，特別是一種抗反射塗層複變型折射系數虛數部分之調整方法，以達到微影製程的要求，至少包含以下步驟:首先，提供一底材，例如，複晶矽層、氮化層或耐火金屬導體層其中之一種；接著，以化學氣相沉積法形成一抗反射塗層於底材上；然後，施以含氧氣流環境的退火處理，以調整複變型折射系數的虛數部分至期望的設定範圍內。
简体摘要：一种调整抗反射涂层之光学特性，特别是一种抗反射涂层复变型折射系数虚数部分之调整方法，以达到微影制程的要求，至少包含以下步骤:首先，提供一底材，例如，复晶硅层、氮化层或耐火金属导体层其中之一种；接着，以化学气相沉积法形成一抗反射涂层于底材上；然后，施以含氧气流环境的退火处理，以调整复变型折射系数的虚数部分至期望的设置范围内。

28. 实用新型

TW451778U 化學機械研磨裝置失效
简体标题：化学机械研磨设备
公开(公告)号：TW451778U
公开(公告)日：2001-08-21
申请号：TW089214991
申请日：2000-08-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：施足 , 章勳明 , 陳盈和 , 邱文智
IPC分类号： B24B , H01L
摘要：本創作提供一種化學機械研磨裝置，包括:一研磨旋轉帶;複數個研磨墊，相互間隔既定距離地設置於該研磨旋轉帶的表面;以及複數個緩衝片，分別連接於該等複數個研磨墊的一側。根據本創作提供的化學機械研磨裝置，能夠防止半導體晶圓之表面薄膜與硬質材料構成的研磨墊撞擊而產生的龜裂現象。
简体摘要：本创作提供一种化学机械研磨设备，包括:一研磨旋转带;复数个研磨垫，相互间隔既定距离地设置于该研磨旋转带的表面;以及复数个缓冲片，分别连接于该等复数个研磨垫的一侧。根据本创作提供的化学机械研磨设备，能够防止半导体晶圆之表面薄膜与硬质材料构成的研磨垫撞击而产生的龟裂现象。

29. 发明专利

TW444334B 於形成鹵素矽玻璃之過程中避免導電層腐蝕的方法有权
简体标题：于形成卤素硅玻璃之过程中避免导电层腐蚀的方法
公开(公告)号：TW444334B
公开(公告)日：2001-07-01
申请号：TW088112487
申请日：1999-07-22
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：邱文智
IPC分类号： H01L
摘要：本發明包含下列步驟：首先，提供一半導體基板。接著，形成一導電層於此半導體基板上。形成一抗反射層於此導電層之上。形成一光阻圖案於此抗反射層之上，以定義出欲形成導電層圖案的區域。然後，以此光阻圖案為蝕刻罩幕，蝕刻導電層以及抗反射層以形成一導電層圖案，此導電層圖案具有數個曝露部份。沈積一抗腐蝕層於導電層圖案的曝露部份上。之後，以化學氣相沈積法形成一鹵素矽玻璃於此此抗腐蝕層上以作為金屬間介電層之用。
简体摘要：本发明包含下列步骤：首先，提供一半导体基板。接着，形成一导电层于此半导体基板上。形成一抗反射层于此导电层之上。形成一光阻图案于此抗反射层之上，以定义出欲形成导电层图案的区域。然后，以此光阻图案为蚀刻罩幕，蚀刻导电层以及抗反射层以形成一导电层图案，此导电层图案具有数个曝露部份。沉积一抗腐蚀层于导电层图案的曝露部份上。之后，以化学气相沉积法形成一卤素硅玻璃于此此抗腐蚀层上以作为金属间介电层之用。

30. 发明专利

TWI617004B 三維晶片堆疊的方法與結構有权
简体标题：三维芯片堆栈的方法与结构
公开(公告)号：TWI617004B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW105122847
申请日：2016-07-20
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：余振華 , YU, CHEN HUA , 林詠淇 , LIN, YUNG CHI , 邱文智 , CHIOU, WEN CHIH
IPC分类号： H01L25/04 , H01L23/538
CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L23/3157 , H01L23/49827 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/0652 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/18162

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