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21. 发明专利

TW201810627A 畫素結構及其製作方法审中-公开
简体标题：像素结构及其制作方法
公开(公告)号：TW201810627A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW105129198
申请日：2016-09-09
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：易筑萱 , I, CHU-HSUAN , 陳亦偉 , CHEN, YI-WEI
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L27/124
摘要：一種畫素結構，包括第一絕緣層、第二金屬層、第二絕緣層以及第三金屬層。第二金屬層設置於第一絕緣層上，第二金屬層具有至少一第一資料線、至少一源極及至少一第一汲極，其中第一資料線與源極電性連接，且第一汲極與第一資料線之間具有第一距離。第二絕緣層設置於第二金屬層上，第二絕緣層至少具有一圖案化開口對應第一汲極設置，且圖案化開口的面積大於第一汲極的面積。第三金屬層具有至少一第二汲極與第一汲極電性連接，第二汲極對應圖案化開口設置於第一汲極上，且第二汲極與第一資料線之間具有第二距離，且第二距離小於第一距離。
简体摘要：一种像素结构，包括第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层以及第三金属层。第二金属层设置于第一绝缘层上，第二金属层具有至少一第一数据线、至少一源极及至少一第一汲极，其中第一数据线与源极电性连接，且第一汲极与第一数据线之间具有第一距离。第二绝缘层设置于第二金属层上，第二绝缘层至少具有一图案化开口对应第一汲极设置，且图案化开口的面积大于第一汲极的面积。第三金属层具有至少一第二汲极与第一汲极电性连接，第二汲极对应图案化开口设置于第一汲极上，且第二汲极与第一数据线之间具有第二距离，且第二距离小于第一距离。

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