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21. 发明专利

TW200410594A 發光設備 LIGHT-EMITTING APPARATUS 审中-公开
简体标题：发光设备 LIGHT-EMITTING APPARATUS
公开(公告)号：TW200410594A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：TW092124359
申请日：2003-09-03
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , 高山徹 , 鶴目卓也 , 後藤裕吾
IPC分类号： H05B
CPC分类号： H01L51/529 , H01L27/3244 , H01L51/5246 , H01L51/5253
摘要：本發明的目的是解決上述使用含有氟塑膠的膜(聚四氟乙烯(R))作為發光裝置的保護膜時產生的釋放熱的問題，以及解決因氟元素引起的金屬材料腐蝕的問題。於本發明中，在形成發光裝置後形成無機絕緣膜，並形成含有氟塑膠的膜於其上，以利使含有氟塑膠的膜不與裝置的金屬材料接觸，從而達到防止因含有氟塑膠的膜中的氟元素引起金屬材料腐蝕的目的。此外，無機絕緣膜具有防止含有氟塑膠的膜中的氟元素和金屬材料起反應的功能(即阻擋性)；而且，該無機絕緣膜採用高導熱性的材料形成以便釋放發光裝置產生的熱。
简体摘要：本发明的目的是解决上述使用含有氟塑胶的膜(聚四氟乙烯(R))作为发光设备的保护膜时产生的释放热的问题，以及解决因氟元素引起的金属材料腐蚀的问题。于本发明中，在形成发光设备后形成无机绝缘膜，并形成含有氟塑胶的膜于其上，以利使含有氟塑胶的膜不与设备的金属材料接触，从而达到防止因含有氟塑胶的膜中的氟元素引起金属材料腐蚀的目的。此外，无机绝缘膜具有防止含有氟塑胶的膜中的氟元素和金属材料起反应的功能(即阻挡性)；而且，该无机绝缘膜采用高导热性的材料形成以便释放发光设备产生的热。

22. 发明专利

TW201636903A 形成半導體裝置的方法审中-公开
简体标题：形成半导体设备的方法
公开(公告)号：TW201636903A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105120961
申请日：2003-12-17
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：高山徹 , TAKAYAMA, TORU , 丸山純矢 , MARUYAMA, JUNYA , 後藤裕吾 , GOTO, YUUGO , 大野由美子 , OHNO, YUMIKO , 秋葉麻衣 , AKIBA, MAI
IPC分类号： G06K19/07 , H01L21/02 , H01L21/60 , H01L27/02
CPC分类号： G06K19/077 , G06K19/07703 , G06Q20/105 , G06Q20/3415 , G07F7/1008 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01005 , H01L2224/45147
摘要：本發明的目的是提供一種高函數晶片卡，該晶片卡可以防止更換臉部相片等偽造行為，從而可以確保該卡的安全，並且該卡可以顯示臉部相片以外的影像。具有顯示裝置和多個薄膜積體電路的晶片卡，該卡用多個薄膜積體電路控制顯示裝置的驅動，用於顯示裝置以及多個薄膜積體電路的半導體元件由多晶半導體膜形成，多個薄膜積體電路被層疊，顯示裝置和多個薄膜顯示裝置被搭載到同一個印刷線路板上，晶片卡的厚度在0.05mm-1mm的範圍內。
简体摘要：本发明的目的是提供一种高函数芯片卡，该芯片卡可以防止更换脸部相片等伪造行为，从而可以确保该卡的安全，并且该卡可以显示脸部相片以外的影像。具有显示设备和多个薄膜集成电路的芯片卡，该卡用多个薄膜集成电路控制显示设备的驱动，用于显示设备以及多个薄膜集成电路的半导体组件由多晶半导体膜形成，多个薄膜集成电路被层叠，显示设备和多个薄膜显示设备被搭载到同一个印刷线路板上，芯片卡的厚度在0.05mm-1mm的范围内。

23. 发明专利

TW201545243A 半導體裝置及其製造方法，剝離方法，以及移印方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法，剥离方法，以及移印方法
公开(公告)号：TW201545243A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104128393
申请日：2003-12-19
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：丸山純矢 , MARUYAMA, JUNYA , 高山徹 , TAKAYAMA, TORU , 大野由美子 , OHNO, YUMIKO , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L21/36 , H01L21/30
CPC分类号： H01L27/1218 , H01L21/76251 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/1266 , H01L29/78603 , H01L33/24 , H01L33/44 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2221/68368
摘要：一種用來在典型為撓性塑膠膜的具有撓性的基底上製作TFT元件的技術。當結構中用光阻擋層或反射層來防止對剝離層的損傷時，難以製造透射型液晶顯示裝置或向下發光的發光裝置。在金屬膜形成在基底上的狀態下，用物理方法或機械方法分離了基底與剝離膜，且提供了包含包括金屬的氧化物膜的剝離層和形成在金屬膜上的包含矽的膜。具體地說，製作了一種TFT，此TFT借助於在金屬膜上形成包括金屬的氧化物層；用熱處理方法晶化氧化物層；以及在氧化物層中或在氧化物層的二個介面處進行分離而得到。
简体摘要：一种用来在典型为挠性塑胶膜的具有挠性的基底上制作TFT组件的技术。当结构中用光阻挡层或反射层来防止对剥离层的损伤时，难以制造透射型液晶显示设备或向下发光的发光设备。在金属膜形成在基底上的状态下，用物理方法或机械方法分离了基底与剥离膜，且提供了包含包括金属的氧化物膜的剥离层和形成在金属膜上的包含硅的膜。具体地说，制作了一种TFT，此TFT借助于在金属膜上形成包括金属的氧化物层；用热处理方法晶化氧化物层；以及在氧化物层中或在氧化物层的二个界面处进行分离而得到。

24. 发明专利

TWI445097B 半導體裝置及其製造方法，剝離方法，以及移印方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法，剥离方法，以及移印方法
公开(公告)号：TWI445097B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW098127268
申请日：2003-12-19
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：丸山純矢 , MARUYAMA, JUNYA , 高山徹 , TAKAYAMA, TORU , 大野由美子 , OHNO, YUMIKO , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L21/36 , H01L21/30
CPC分类号： H01L27/1218 , H01L21/76251 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/1266 , H01L29/78603 , H01L33/24 , H01L33/44 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2221/68368

25. 发明专利

TWI397994B 薄膜積體電路，積體電路標籤，包含薄膜積體電路之容器，薄膜積體電路裝置之製造方法，該容器之製造方法，以及製造具有該容器之產品的方法有权
简体标题：薄膜集成电路，集成电路标签，包含薄膜集成电路之容器，薄膜集成电路设备之制造方法，该容器之制造方法，以及制造具有该容器之产品的方法
公开(公告)号：TWI397994B
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW097139553
申请日：2004-02-23
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：荒井康行 , ARAI, YASUYUKI , 石川明 , ISHIKAWA, AKIRA , 高山徹 , TAKAYAMA, TORU , 丸山純矢 , MARUYAMA, JUNYA , 後藤裕吾 , GOTO, YUUGO , 大野由美子 , OHNO, YUMIKO , 館村祐子 , TACHIMURA, YUKO
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , G06K19/07
CPC分类号： H01L27/1266 , G06K19/07749 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L29/78603

26. 发明专利

TWI360702B 液晶顯示裝置及其製造方法 LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 有权
简体标题：液晶显示设备及其制造方法 LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TWI360702B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：TW093105413
申请日：2004-03-02
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：山崎舜平 , 高山徹
IPC分类号： G02F
CPC分类号： G02F1/1339 , G02F1/1341 , G02F2001/13415
摘要：隨著螢幕尺寸的不斷加大，愈來愈需要具有高解析度、高開口比、和高可靠性之塑膠基底的液晶顯示裝置。此外，也需要高生產率以及降低成本。根據本發明，在對立基底(可撓基底)上設置包括至少一氮化矽膜的保護膜123，氮化矽膜係由使用矽靶的射頻濺射所形成；塗佈密封材料112；在真空中向對立基底滴注液晶材料114；及將對立基底黏合至設有像素電極111以及圓柱狀隔離物115的可撓基底110。
简体摘要：随着屏幕尺寸的不断加大，愈来愈需要具有高分辨率、高开口比、和高可靠性之塑胶基底的液晶显示设备。此外，也需要高生产率以及降低成本。根据本发明，在对立基底(可挠基底)上设置包括至少一氮化硅膜的保护膜123，氮化硅膜系由使用硅靶的射频溅射所形成；涂布密封材料112；在真空中向对立基底滴注液晶材料114；及将对立基底黏合至设有像素电极111以及圆柱状隔离物115的可挠基底110。

27. 发明专利

TW201137146A 濺鍍靶材及其製造方法與電晶體 SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：溅镀靶材及其制造方法与晶体管 SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND TRANSISTOR
公开(公告)号：TW201137146A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW099138822
申请日：2010-11-11
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：山崎舜平 , 高山徹 , 佐藤惠司
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78618
摘要：提供一種沈積技術，用以形成氧化物半導體膜。氧化物半導體膜係使用濺鍍靶材而予形成，該濺鍍靶材包含金屬氧化物之燒結體，且其中該金屬氧化物之燒結體中所包含之氫的濃度為例如低至1×10 16 原子/cm 3 或更低，使得該氧化物半導體膜包含小量雜質，諸如氫原子及以H2O為代表之包含氫原子的複合物。此外，該氧化物半導體膜係用做電晶體之作用層。
简体摘要：提供一种沉积技术，用以形成氧化物半导体膜。氧化物半导体膜系使用溅镀靶材而予形成，该溅镀靶材包含金属氧化物之烧结体，且其中该金属氧化物之烧结体中所包含之氢的浓度为例如低至1×10 16 原子/cm 3 或更低，使得该氧化物半导体膜包含小量杂质，诸如氢原子及以H2O为代表之包含氢原子的复合物。此外，该氧化物半导体膜系用做晶体管之作用层。

28. 发明专利

TW201135849A 半導體元件之製造方法，半導體裝置，及沉積設備 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DEPOSITION APPARATUS 审中-公开
简体标题：半导体组件之制造方法，半导体设备，及沉积设备 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DEPOSITION APPARATUS
公开(公告)号：TW201135849A
公开(公告)日：2011-10-16
申请号：TW099137624
申请日：2010-11-02
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：山崎舜平 , 坂田淳一郎 , 高山徹
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/6719 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/67207 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要：一目的在於提供一種用於形成薄膜之沉積設備,該薄膜含有諸如氫原子或碳原子的少數雜質。此外,一目的在於提供一種用於形成含有少數雜質的薄膜之方法。再者,一目的在於提供一種製造包括含有少數雜質的氧化物半導體膜之高度可靠的半導體元件之方法。可提供一種用於形成薄膜之沉積設備,該薄膜含有少數雜質,例如含有氫原子(如H2O)之化合物、含有碳原子、氫原子、或碳原子之化合物。此外,可提供一種用於形成含有少數雜質的薄膜之方法。再者,可提供一種製造包括含有少數雜質的氧化物半導體膜之高度可靠的半導體元件之方法。
简体摘要：一目的在于提供一种用于形成薄膜之沉积设备,该薄膜含有诸如氢原子或碳原子的少数杂质。此外,一目的在于提供一种用于形成含有少数杂质的薄膜之方法。再者,一目的在于提供一种制造包括含有少数杂质的氧化物半导体膜之高度可靠的半导体组件之方法。可提供一种用于形成薄膜之沉积设备,该薄膜含有少数杂质,例如含有氢原子(如H2O)之化合物、含有碳原子、氢原子、或碳原子之化合物。此外,可提供一种用于形成含有少数杂质的薄膜之方法。再者,可提供一种制造包括含有少数杂质的氧化物半导体膜之高度可靠的半导体组件之方法。

29. 发明专利

TWI350712B 發光裝置的製造方法以及其製造裝置 MANUFACTURING METHOD OF LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING DEVICE THEREOF 失效
简体标题：发光设备的制造方法以及其制造设备 MANUFACTURING METHOD OF LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING DEVICE THEREOF
公开(公告)号：TWI350712B
公开(公告)日：2011-10-11
申请号：TW092135259
申请日：2003-12-12
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：丸山純矢 , 高山徹 , 大野由美子
IPC分类号： H05B
CPC分类号： H01L51/524 , H01L51/5259 , H01L51/56
摘要：本發明的目的是提供一種發光裝置及其製造方法，該發光裝置具有防止氧和潮氣到達發光元件的結構。而且，本發明用少的製程步驟將發光元件用塑膠基板密封而無須封入乾燥劑。本發明在粘合提供有發光元件的撓性基板11和撓性基板12時，像素區13被其中包含用來維持兩個基板之間間隙的間隙材料(填充劑，細小顆粒等)的第一密封材料16(其粘度大於第二密封材料)環繞著，擴展滴注的幾滴透明的第二密封材料17a並使其填充像素區，用第一密封材料和第二密封材料來密封兩個基板。
简体摘要：本发明的目的是提供一种发光设备及其制造方法，该发光设备具有防止氧和潮气到达发光组件的结构。而且，本发明用少的制程步骤将发光组件用塑胶基板密封而无须封入干燥剂。本发明在粘合提供有发光组件的挠性基板11和挠性基板12时，像素区13被其中包含用来维持两个基板之间间隙的间隙材料(填充剂，细小颗粒等)的第一密封材料16(其粘度大于第二密封材料)环绕着，扩展滴注的几滴透明的第二密封材料17a并使其填充像素区，用第一密封材料和第二密封材料来密封两个基板。

30. 发明专利

TW201132780A 濺射標靶及其製造方法和電晶體 SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：溅射标靶及其制造方法和晶体管 SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND TRANSISTOR
公开(公告)号：TW201132780A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099138510
申请日：2010-11-09
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：山崎舜平 , 高山徹 , 佐藤惠司
IPC分类号： C23C , B22F , H01L
CPC分类号： H01J37/3429 , B29C31/008 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B41/0072 , C04B41/009 , C04B41/80 , C04B2111/00844 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3418 , C04B2235/658 , C04B2235/662 , C04B2235/666 , C04B2235/77 , C23C14/10 , C23C14/3414 , C23C14/564 , H01J2237/332 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/45 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , C04B35/04 , C04B35/10 , C04B35/457 , C04B41/4517 , C04B41/53
摘要：本發明之目的在於提供用以形成氧化物半導體膜的沈積技術。藉由使用包含例如低於1×10 16 原子/cm 3 的低濃度氫之金屬氧化物的燒結體之濺射標靶以形成氧化物半導體膜，氧化物半導體膜含有少量例如以H2O為代表的含氫之化合物或氫原子等雜質。此外，使用此氧化物半導體膜作為電晶體的主動層。
简体摘要：本发明之目的在于提供用以形成氧化物半导体膜的沉积技术。借由使用包含例如低于1×10 16 原子/cm 3 的低浓度氢之金属氧化物的烧结体之溅射标靶以形成氧化物半导体膜，氧化物半导体膜含有少量例如以H2O为代表的含氢之化合物或氢原子等杂质。此外，使用此氧化物半导体膜作为晶体管的主动层。

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