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21. 发明专利

TW201806197A 氮化物半導體紫外線發光裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：氮化物半导体紫外线发光设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201806197A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106107414
申请日：2017-03-07
申请人：創光科學股份有限公司 , SOKO KAGAKU CO., LTD. , 旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：平野光 , HIRANO, AKIRA , 山田貴穂 , YAMADA, KIHO , 青崎耕 , AOSAKI, KO
IPC分类号： H01L33/56
CPC分类号： H01L33/56
摘要：藉由使用非鍵結性的非晶質氟樹脂，防止因光化學反應而起的電氣特性的劣化及非晶質氟樹脂的分解等，此外，防止該非晶質氟樹脂剝離，提供高品質、高可靠度的紫外線發光裝置。氮化物半導體紫外線發光裝置(1)係具備有：基台(30)；被覆晶構裝在基台(30)上的氮化物半導體紫外線發光元件；及直接接觸氮化物半導體紫外線發光元件而進行被覆的非晶質氟樹脂(40)。氮化物半導體紫外線發光元件係具備有：藍寶石基板(11)、積層在藍寶石基板(11)的主面上的複數AlGaN系半導體層(12)、n電極(13)、及p電極(14)。非晶質氟樹脂(40)的末端官能基為過氟化烷基，非晶質氟樹脂(40)進入至形成在藍寶石基板(11)的側面的凹部的內部。
简体摘要：借由使用非键结性的非晶质氟树脂，防止因光化学反应而起的电气特性的劣化及非晶质氟树脂的分解等，此外，防止该非晶质氟树脂剥离，提供高品质、高可靠度的紫外线发光设备。氮化物半导体紫外线发光设备(1)系具备有：基台(30)；被覆晶构装在基台(30)上的氮化物半导体紫外线发光组件；及直接接触氮化物半导体紫外线发光组件而进行被覆的非晶质氟树脂(40)。氮化物半导体紫外线发光组件系具备有：蓝宝石基板(11)、积层在蓝宝石基板(11)的主面上的复数AlGaN系半导体层(12)、n电极(13)、及p电极(14)。非晶质氟树脂(40)的末端官能基为过氟化烷基，非晶质氟树脂(40)进入至形成在蓝宝石基板(11)的侧面的凹部的内部。

22. 发明专利

TW201705529A 氮化物半導體紫外線發光元件审中-公开
简体标题：氮化物半导体紫外线发光组件
公开(公告)号：TW201705529A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105110924
申请日：2016-04-07
申请人：創光科學股份有限公司 , SOKO KAGAKU CO., LTD.
发明人：金田倫子 , KANEDA, MICHIKO , 貝諾希利爾 , PERNOT, CYRIL , 平野光 , HIRANO, AKIRA
IPC分类号： H01L33/30
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/22
摘要：氮化物半導體紫外線發光元件，係具備包含由具有藉著對(0001)面傾斜而被形成多階段狀平台的表面的藍寶石所構成的基板、與在基板表面上被形成的氮化鋁層之基底部，與在基底部表面上被形成的、具有AlGaN系半導體層的活性層之發光部。至少，基底部的氮化鋁層、發光部的活性層及其間的各層，係藉著多階段狀平台的側面成長藉由二維成長的階梯流動成長而形成；活性層具有至少包含1個由AlGaN所構成的井層之量子井構造；在活性層的表面，使25μm正方形區域的平均粗糙度成為井層的厚度以上且10nm以下。
简体摘要：氮化物半导体紫外线发光组件，系具备包含由具有借着对(0001)面倾斜而被形成多阶段状平台的表面的蓝宝石所构成的基板、与在基板表面上被形成的氮化铝层之基底部，与在基底部表面上被形成的、具有AlGaN系半导体层的活性层之发光部。至少，基底部的氮化铝层、发光部的活性层及其间的各层，系借着多阶段状平台的侧面成长借由二维成长的阶梯流动成长而形成；活性层具有至少包含1个由AlGaN所构成的井层之量子井构造；在活性层的表面，使25μm正方形区域的平均粗糙度成为井层的厚度以上且10nm以下。

23. 发明专利

TWI529961B 氮化物半導體紫外線發光元件有权
简体标题：氮化物半导体紫外线发光组件
公开(公告)号：TWI529961B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW101123885
申请日：2012-07-03
申请人：創光科學股份有限公司 , SOKO KAGAKU CO., LTD.
发明人：貝諾希利爾 , PERNOT, CYRIL , 平野光 , HIRANO, AKIRA
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/38

24. 发明专利

TW201608609A 磊晶生長用模板及其製作方法以及氮化物半導體裝置审中-公开
简体标题：磊晶生长用模板及其制作方法以及氮化物半导体设备
公开(公告)号：TW201608609A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW103135525
申请日：2014-10-14
申请人：創光科學股份有限公司 , SOKO KAGAKU CO., LTD.
发明人：貝諾希利爾 , PERNOT, CYRIL , 平野光 , HIRANO, AKIRA
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/86 , H01L29/12 , H01L29/201
CPC分类号： C30B25/183 , C30B29/38 , C30B29/406 , C30B31/08 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02614 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01S5/0213 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01S2304/04
摘要：一種磊晶生長用模板之製作方法，具有：對藍寶石基板之表面分散供給Ga原子之表面處理工程，和在上述藍寶石基板上使AlN層磊晶生長之AlN生長工程，取得在除了從上述AlN層之表面深達100nm的表面附近區域外的上述AlN層之內部區域中，藉由二次離子質譜分析法所取得之Ga濃度之垂直於上述藍寶石基板表面之深度方向的濃度分布中之上述Ga濃度之最大值的上述深度方向之位置，存在於從上述藍寶石基板之界面朝上述AlN層側間隔開400nm之位置的界面附近區域內，上述Ga濃度之最大值成為3×1017atoms/cm3以上、2×1020atoms/cm3以下。
简体摘要：一种磊晶生长用模板之制作方法，具有：对蓝宝石基板之表面分散供给Ga原子之表面处理工程，和在上述蓝宝石基板上使AlN层磊晶生长之AlN生长工程，取得在除了从上述AlN层之表面深达100nm的表面附近区域外的上述AlN层之内部区域中，借由二次离子质谱分析法所取得之Ga浓度之垂直于上述蓝宝石基板表面之深度方向的浓度分布中之上述Ga浓度之最大值的上述深度方向之位置，存在于从上述蓝宝石基板之界面朝上述AlN层侧间隔开400nm之位置的界面附近区域内，上述Ga浓度之最大值成为3×1017atoms/cm3以上、2×1020atoms/cm3以下。

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