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    • 27. 发明专利
    • 用以增加像素靈敏度及動態範圍之方法及裝置
    • 用以增加像素灵敏度及动态范围之方法及设备
    • TW201630409A
    • 2016-08-16
    • TW104129936
    • 2015-09-10
    • 雷神公司RAYTHEON COMPANY
    • 基恩 布萊恩WKEAN, BRYAN W.凡波拉 約翰LVAMPOLA, JOHN L.
    • H04N5/355H04N5/3745
    • H04N5/3559H04N5/3745H04N5/37452
    • 根據一態樣,本文之實施例提供單位晶胞,該單位晶胞包含:光電二極體;MOSCap,其具有耦接至該光電二極體的輸入節點;重置開關,其選擇性地耦接在該MOSCap與重置電壓之間;以及電晶體,其耦接至該MOSCap之該輸入節點,其中,在該單位晶胞之第一操作模式中,該重置開關經組配成斷開狀態,且由入射在該光電二極體上的光產生的電荷回應於該輸入節點處的電壓小於臨限電壓而聚積在該MOSCap之該輸入節點處,且其中,在該單元電池之第二操作模式中,該重置開關經組配成該斷開狀態,且由入射在該光電二極體上的該光產生的該電荷回應於該輸入節點處之該電壓大於該臨限電壓而聚積在該MOSCap上。
    • 根据一态样,本文之实施例提供单位晶胞,该单位晶胞包含:光电二极管;MOSCap,其具有耦接至该光电二极管的输入节点;重置开关,其选择性地耦接在该MOSCap与重置电压之间;以及晶体管,其耦接至该MOSCap之该输入节点,其中,在该单位晶胞之第一操作模式中,该重置开关经组配成断开状态,且由入射在该光电二极管上的光产生的电荷回应于该输入节点处的电压小于临限电压而聚积在该MOSCap之该输入节点处,且其中,在该单元电池之第二操作模式中,该重置开关经组配成该断开状态,且由入射在该光电二极管上的该光产生的该电荷回应于该输入节点处之该电压大于该临限电压而聚积在该MOSCap上。