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    • 23. 发明专利
    • 致動式顯示器裝置 PHORETIC DISPLAY DEVICE
    • 致动式显示器设备 PHORETIC DISPLAY DEVICE
    • TW200405239A
    • 2004-04-01
    • TW092122087
    • 2003-08-12
    • 昆提克股份有限公司 QINETIQ LIMITED
    • 理查喬納森米勒 MILLER, RICHARD JONATHAN威克特恰克蘭胡依 HUI, VICTOR CHAKLAM
    • G09G
    • B01J13/22B01J13/10G02F1/1334G02F1/167G02F2001/133738G02F2001/133776
    • 一種致動式顯示器裝置包括複數個電氣致動式及磁性致動式單元,而每一個單元具有散佈於包括液晶材料(20)之懸浮媒介(7)內的致動性粒子(6)。採用該致動式單元以便於單元內誘發與液晶材料(20)對齊而有時稱作錯斜的缺陷(21;31;32),這類缺陷會於該致動性粒子(6)落在各缺陷缺陷(21;31;32)之影響區域內時作用而在該致動性粒子(6)上施加張力。該顯示器的結構會依用以使該致動性粒子(6)於單元內各缺陷(21;31;32)之間移動所需要的電場或磁場引進一臨限位準。據此,該顯示器的非線性光電及光磁行為會有利於為其內的各單元施行矩陣式位址訂定作業。該顯示器(100)可包括複數個呈長球體而配置於封包(35)內的致動式單元(30),其中係將每一個單元(30)的主軸配置成實質上垂直於基板平面。
    • 一种致动式显示器设备包括复数个电气致动式及磁性致动式单元,而每一个单元具有散布于包括液晶材料(20)之悬浮媒介(7)内的致动性粒子(6)。采用该致动式单元以便於单元内诱发与液晶材料(20)对齐而有时称作错斜的缺陷(21;31;32),这类缺陷会于该致动性粒子(6)落在各缺陷缺陷(21;31;32)之影响区域内时作用而在该致动性粒子(6)上施加张力。该显示器的结构会依用以使该致动性粒子(6)於单元内各缺陷(21;31;32)之间移动所需要的电场或磁场引进一临限位准。据此,该显示器的非线性光电及光磁行为会有利于为其内的各单元施行矩阵式位址订定作业。该显示器(100)可包括复数个呈长球体而配置于封包(35)内的致动式单元(30),其中系将每一个单元(30)的主轴配置成实质上垂直于基板平面。
    • 24. 发明专利
    • 雷射設備
    • 激光设备
    • TW569511B
    • 2004-01-01
    • TW091119367
    • 2002-08-27
    • 昆提克股份有限公司 QINETIQ LIMITED
    • 大衛V 威雷斯 WILLETTS, DAVID V
    • H01S
    • H01S3/036H01S3/041
    • 一種雷射設備係包括一氣相雷射介質,此氣相雷射介質具有會在其內發生雷射作用的活性區域(12),該活性區域(12)會定義出部分的氣體流動路徑。該雷射設備也包含:激發裝置,係以便將能量供應到包含一電極配置(14,16)的活性區域上;以及一阻擋構件(38;48),係配置在與該活性區域(12)相鄰處,使得能夠在將電氣放電作用供應到氣體之活性區域(12)上時將淨動量分派到該活性區域內的氣體上。結果,在該流動路徑內產生實質上呈單向循環的氣體流以幫助來自氣體的熱能移除作用。該阻擋構件(38;48)會為各氣體流定義出複數個流動路徑(39),而每一個流動路徑(39)都會沿著與流動方向相反的方向在氣體流上呈現出實質上相同的阻礙作用。
    • 一种激光设备系包括一气相激光介质,此气相激光介质具有会在其内发生激光作用的活性区域(12),该活性区域(12)会定义出部分的气体流动路径。该激光设备也包含:激发设备,系以便将能量供应到包含一电极配置(14,16)的活性区域上;以及一阻挡构件(38;48),系配置在与该活性区域(12)相邻处,使得能够在将电气放电作用供应到气体之活性区域(12)上时将净动量分派到该活性区域内的气体上。结果,在该流动路径内产生实质上呈单向循环的气体流以帮助来自气体的热能移除作用。该阻挡构件(38;48)会为各气体流定义出复数个流动路径(39),而每一个流动路径(39)都会沿着与流动方向相反的方向在气体流上呈现出实质上相同的阻碍作用。
    • 25. 发明专利
    • 場效電晶體 FIELD EFFECT TRANSISTORS
    • 场效应管 FIELD EFFECT TRANSISTORS
    • TW200400634A
    • 2004-01-01
    • TW092105921
    • 2003-03-18
    • 昆提克股份有限公司 QINETIQ LIMITED
    • 提摩太强納森菲力浦 TIMOTHY JONATHAN PHILLIPS
    • H01L
    • H01L29/7783H01L29/1029
    • 在具有量子阱之場效應電晶體中,量子阱以第一導電通道27來提供,緊鄰且接觸第一通道之至少一個第二導電通道25、25具有有效能帶隙15大於第一通道之能帶隙14,而且在第一通道之衝擊離子化臨限值IIT17及在第一及第二通道間之有效導電帶補償值(位階之高度)兩者的係數差,不大於0.5Eg(有效值),或(替代性地)不大於0.4eV。如此,可造成衝擊離子化導致逸潰之較高能量載子,轉到第二通道內,允許在增加電壓時更快地移動,及/或顯現更加大地對逸潰之避免。第一通道較佳地具有低能帶隙材料,例如,InSb、InAs、InAs1-ySby、In1-xGaxSb或In1-xGaxAs。
    • 在具有量子阱之场效应晶体管中,量子阱以第一导电信道27来提供,紧邻且接触第一信道之至少一个第二导电信道25、25具有有性能带隙15大于第一信道之能带隙14,而且在第一信道之冲击离子化临限值IIT17及在第一及第二信道间之有效导电带补偿值(位阶之高度)两者的系数差,不大于0.5Eg(有效值),或(替代性地)不大于0.4eV。如此,可造成冲击离子化导致逸溃之较高能量载子,转到第二信道内,允许在增加电压时更快地移动,及/或显现更加大地对逸溃之避免。第一信道较佳地具有低能带隙材料,例如,InSb、InAs、InAs1-ySby、In1-xGaxSb或In1-xGaxAs。
    • 26. 发明专利
    • 多端輸入揚聲器系統
    • 多端输入扬声器系统
    • TW566053B
    • 2003-12-11
    • TW091101966
    • 2002-02-05
    • 昆提克股份有限公司
    • 凱尼斯哈瑞希倫馬科納須安卓飛利普佩尼
    • H04R
    • H04R7/045H04R3/12
    • 習知類比揚聲器在與數位錄音可用之動態範圍相比較僅具一有限的動態範圍。數位錄音使用多達24位元而此意指141分貝之動態範圍。容納有2N單一位元裝置(在N=24時此數目是1.7×107)之揚聲器已有提議。但其在不同裝置間之交互作用效應所關聯之複雜度及不良性能已阻止類比系統之廣泛使用,加上多數揚聲器之無能力去再生音響之逼真絕對位準(在1公尺處約達120分貝而無失真),故此數位揚聲器不能取得24位元傳真度之完美優點。本發明提供一種揚聲器,其是超越先前技術系統而具有改良之動態範圍。
      (第6圖)
    • 习知模拟扬声器在与数码录音可用之动态范围相比较仅具一有限的动态范围。数码录音使用多达24比特而此意指141分贝之动态范围。容纳有2N单一比特设备(在N=24时此数目是1.7×107)之扬声器已有提议。但其在不同设备间之交互作用效应所关联之复杂度及不良性能已阻止模拟系统之广泛使用,加上多数扬声器之无能力去再生音响之逼真绝对位准(在1公尺处约达120分贝而无失真),故此数码扬声器不能取得24比特传真度之完美优点。本发明提供一种扬声器,其是超越先前技术系统而具有改良之动态范围。 (第6图)
    • 27. 发明专利
    • 自適濾波器及自適濾波之方法
    • 自适滤波器及自适滤波之方法
    • TW544622B
    • 2003-08-01
    • TW090127501
    • 2001-11-06
    • 昆提克股份有限公司
    • 史基德莫爾伊安大衛普魯德樂伊安契司
    • G06F
    • H03H21/0043H03H21/003
    • 一種自適濾波器,以電腦10來實施,利用循環最小平方點陣演算法12來處理輸入信號而獲得向前及向後最小平方預測殘餘值。預測殘餘值是元素順序中之資料元素及自其他順序元素之元素預測間的差,向前及向後殘餘值在14處來轉換成未正常化卡爾曼增益向量係數。內插殘餘值在16處正常化來產生卡爾曼增益向量。卡爾曼增益向量是在18處組合輸入及參考信號x(t)及y(t),其提供濾波器係數或加權之更新來反映如所需要之信號而提供自適濾波。
    • 一种自适滤波器,以电脑10来实施,利用循环最小平方点阵算法12来处理输入信号而获得向前及向后最小平方预测残余值。预测残余值是元素顺序中之数据元素及自其他顺序元素之元素预测间的差,向前及向后残余值在14处来转换成未正常化卡尔曼增益矢量系数。内插残余值在16处正常化来产生卡尔曼增益矢量。卡尔曼增益矢量是在18处组合输入及参考信号x(t)及y(t),其提供滤波器系数或加权之更新来反映如所需要之信号而提供自适滤波。