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20. 发明专利

TWI319591B 半導體組件之製造方法及薄膜-半導體組件 METHOD TO PRODUCE SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND THIN-FILM SEMICONDUCTOR COMPONENTS 有权
简体标题：半导体组件之制造方法及薄膜-半导体组件 METHOD TO PRODUCE SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND THIN-FILM SEMICONDUCTOR COMPONENTS
公开(公告)号：TWI319591B
公开(公告)日：2010-01-11
申请号：TW095128566
申请日：2006-08-04
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司
发明人：塞格佛萊赫爾曼 , 伯梭德哈恩
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L33/0079 , H01L2221/68363 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01068 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/12036 , H01L2924/181 , Y02P20/582 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
摘要：本發明涉及一種半導體組件之製造方法，其中在生長基板(1)上形成一種含有半導體材料之層複合物(6)，在此層複合物(6)上施加一種可撓之載體層(2)，使此可撓的載體層硬化成一種自我承載用的載體層(2)以及將此生長基板(1)剝除。另一方式是該載體層(2)具有一種基層(2b)和一種黏合至該層複合物上的黏合層(2a)。 This invention relates to a method to produce semiconductor components, where a layer－compound (6) containing a semiconductor material is formed on a growth－substrate (1), a flexible carrier－layer is applied on the layer－compound (6), the flexible carrier－layer is hardened to a self－supporting carrier－layer (2) and the growth－substrate (1) is detached. Alternatively the carrier－layer (2) has a base－layer (2b) and an adhesion－layer (2a) adhered on the layer－compound. 【創作特點】本發明的目的是提供一種半導體組件的製造方法。此外，本發明的目的是提供一種薄膜－半導體組件，其可簡易地操控且機械上較穩定。
上述目的藉由申請專利範圍第1和2項之方法及第25和26項之薄膜－半導體組件來達成。本發明之方法和薄膜－半導體組件之有利的其它形式描述在申請專利範圍之附屬項中。
本發明之半導體組件之製造方法的第一種形式包括以下各步驟：－在生長基板上形成一種包含半導體材料的層複合物，－在該層複合物上施加一種可撓之載體層，－使該可撓之載體層硬化成自我承載用的載體層，－將該生長基板剝離。
本發明之半導體組件之製造方法的第一種形式中，在層複合物之遠離生長基板之此側上施加一種可撓的載體層，其在硬化之後可黏附在該層複合物上以作為自我承載用的較佳是固定的載體層。
本發明之半導體組件之製造方法的第二種形式包含以下各步驟：－在生長基板上形成一種含有半導體材料之層複合物，－在該層複合物上施加一種自我承載用的載體層，其中此載體層具有一種基層和一種面對該層複合物之黏合層，此黏合層黏合至該層複合物，－將該生長基板剝離。
因此，一種載體層施加在該層複合物之遠離該生長基板之此側上，該載體層在已製成的半導體組件中黏附於該層複合物上以作為一種自我承載用的較佳是固定的載體層。
有利的方式是在該層複合物和載體層之間可省略一種各別的連接，其大致上是一種焊接連接，且因此可省略一種需要成本的步驟(一種結合步驟)。
依據第一種形式，該自我承載用的載體層相對於可撓的載體層而言所具有的優點是可形式確定地且容易地進行操控。
在第二種形式中，該黏合層由熔合性黏合材料所形成且該基層由形式穩定的塑料所形成。此處，黏合層的加熱是必要的，以使此黏合層熔化且使該層複合物可足夠地佔濕，因此在硬化之後可達成一種足夠的黏合作用。在室溫時該黏合層較佳是固態者。此外，該黏合層不需額外加熱即可黏合至該層複合物上。在此種情況下，該黏合層例如可含有矽樹脂且該基層含有聚醯亞胺(polyimide)。
在本方法之第二種形式的一種較佳的實施形式中，該基層含有一種塑料。另一方式是該基層可含有玻璃。
該載體層較佳是含有一種箔。該載體層特別是可含有一種製成軌道形式的塑料片。本發明的載體層在厚度較小時亦可達成一種足夠的穩定度。由於厚度較小，該載體層具有彈性，這樣可使形成裂痕的危險性下降。厚度較小之意義此處是指該厚度較佳是100微米，特別是小於100微米。
載體層是透明時特別有利。這樣所具有的優點是該載體層同時可用作射出層。
利用本發明的方法，可較佳地製成薄膜－半導體組件，特別是發出輻射的薄膜－半導體組件。
一種發出輻射的薄膜－半導體組件之特徵特別是以下各特徵中的至少一種：－在產生輻射的磊晶層序列之面對一載體元件之第一主面上較佳是形成一反射層，其使該磊晶層序列中所產生的電磁輻射的至少一部份反射回到該磊晶層序列中；－該磊晶層序列所具有的厚度是在20微米之範圍中或更小，特別是在10微米的範圍中，該磊晶層序列含有至少一種半導體層，此半導體層具有至少一個面，此面包含一混合結構，其在理想情況下使該磊晶層序列中的光形成一種近似遍壢(ergodic)的分佈，即，此光具有一種儘可能遍壢之隨機雜散特性。
發出輻射的薄膜－半導體組件之基本原理例如已描述在I.Schnitzer et al.,Appl.Phys.Lett.63(16),18.October 1993,2174－2176中，其已揭示的內容藉由參考而收納於此處。
上述之發出輻射的薄膜－半導體組件很近似於藍伯德(Lambertic)表面輻射器。
本發明中該層複合物具有一種活性之層序列以產生電磁輻射，此層序列較佳是以磊晶方式生長在該生長基板上。
為了製造多個薄膜－半導體組件，該層複合物結構化成各別的層堆疊，這可藉由切鋸來達成。
該載體層可預先結構化而施加在該層複合物上，使該層複合物可沿著該結構而切割成層堆疊。
在本發明的方法之第一形式之一較佳的實施形式中，使用一種載體層，其具有一種塑料。此載體層包含一種環氧樹脂，PET或聚合物(特別是聚醯亞胺，例如，Kapton)或包含上述這些材料之組合時特別有利。Kapton是公司Dupont所提供的聚醯亞胺－產品之商標名稱。
在傳統的方法中，在將該層複合物結合至載體上時典型上是在400℃的溫度範圍中達成。在隨後冷卻至室溫時，若該生長基板和載體的熱膨脹係數差異很大，則會產生一種應力或彎曲現象。此外，載體中會產生裂痕，使所形成的組件不再具有足夠的穩定性。
由於本發明的方法能以較小的溫度來實現，因此所產生的熱應力較小，形成裂痕的危險性亦較小。
例如，載體層(其含有以銀來填入的環氧樹脂)在80℃至90℃時熔化且在溫度150℃時硬化，其中可允許有10%的容許度。
本發明的載體層之另一種可能方式是一種以玻璃微粒來填入的黏合材料膜，其可由一種混合材料所形成，此混合材料特別是含有環氧樹脂和丙烯酸樹脂。此混合材料中各玻璃微粒是以一種銀塗層來儲存著，其中該黏合材料膜可有利地藉由玻璃微粒而具有導電性。此黏合材料膜可在120℃時熔化且在160℃時在30分鐘長的時間中硬化。
在本發明之方法所製成的半導體組件中，為了使操作時所產生的熱損耗可排出，則載體層較佳是以可導熱方式來形成。因此，可防止不期望的效應，例如，波長的偏移或半導體組件所發出的輻射強度的減弱。
在本發明的方法之一種較佳的實施形式中，載體層以電性絕緣材料來形成。載體層上可施加至少一導電軌，以便稍後使一種由施加至一共同的載體層上的層堆疊所構成的配置－或一已切割的組件可與一電極相連接。
另一方式是該載體層以一種導電材料來形成。例如，該載體層含有一種金屬，特別是鋁，銀，鈦，銅或一種合金，特別是黃銅。
就半導體組件之電性上的接觸而言，面向載體層之此側上的層複合物設有一種接觸面，特別是設有一種接觸金屬層，其含有一種金屬。
在本發明的方法之一較佳的實施形式中，選取一種材料以作為接觸金屬層，此材料可使稍後操作時活性的層堆疊中所產生的輻射的至少一部份被反射。這在載體層對所產生的輻射不具備透過性且該輻射在半導體組件之與載體層相面對的此側上射出時是有利的。
該生長基板較佳是藉由雷射燒蝕方法來去除，這例如由WO 98/14986中已為人所知，其所揭示的內容藉由參考而收納於此處。該生長基板亦可藉由其它方法，例如，電漿或乾燥蝕刻，來剝除或以機械方式來去除。
在生長基板剝除之後，在該層複合物之遠離該載體層之此側上較佳是施加一第二接觸面，特別是一接觸金屬面，其用來與稍後形成的薄膜－半導體組件繼續形成電性上的接觸作用。
此外，該層堆疊之遠離該載體層之此側上施加一種可撓的覆蓋層，其可及時硬化。另一方式是該可撓的覆蓋層可保留在一種未完全硬化的狀態中。
另一種可能方式是施加一覆蓋層，其具有一種基層和一種面向該層複合物之黏合層，其中此黏合層黏合至該層複合物上。
該覆蓋層特別是可為一種箔。
該覆蓋層較佳是可透過該活性區所產生的輻射。在一種有利的實施形式中，該覆蓋層含有一種轉換材料，以便使稍後之活性的層堆疊所產生的輻射之波長成份可被轉換。
該覆蓋層特別有利的是具有一與載體層相對應的特性。然而，此覆蓋層可含有一種與載體層不同的材料。
依據一種較佳的形式，該覆蓋層由玻璃所形成。此外，該覆蓋層在一種面對該層複合物之此側上具有至少一導電軌以便在上側可與該薄膜－半導體組件相接觸，此導電軌特別是含有一種可透過輻射的材料，例如，氧化銦錫(ITO)。
該載體層和該覆蓋層之雙面配置可有利地取代一種外殼體。
本發明第一種形式的薄膜－半導體組件較佳是可對應於本發明的方法之第一形式來製成，此半導體組件具有以下的組成：－一種層堆疊，－一種自我承載用的較佳是固定的載體層，其配置在該層堆疊上，其中該載體層已硬化。
本發明第二種形式之薄膜－半導體組件較佳是可對應於本發明的方法之第二形式來製成，此半導體組件具有以下的組成：－一種層堆疊，－一種自我承載用的載體層，其配置在該層堆疊上，其中該載體層具有一種基層和一種面對該層堆疊之黏合層，此黏合層黏合至該層堆疊上。
該載體層特別是具有多種特性，其已在本方法之第一和第二種形式中提及。
具有本發明之載體層的薄膜－半導體組件中由於存在著一種足夠的機械穩定性，則不需其它的載體。因此，此半導體組件可以一種有利的小的構造高度(例如，120微米)來構成。
此薄膜－半導體組件用來產生一種電磁輻射且具有一種活性的層堆疊(其是整個層堆疊的一部份)以產生此電磁輻射。例如，此活性的層堆疊可具有一種傳統的pn－接面，一種雙異質結構，一種單一量子井結構或一種多量子井結構。
此外，該薄膜－半導體組件在一種較佳的實施形式中具有一種氮化物－化合物半導體，這表示：該活性的層堆疊或至少其中一層包含一種氮化物－III－V－化合物半導體材料，較佳是Aln Gam In1－nm N,其中0≦n≦1,0≦m≦1且n＋m≦1。因此，此材料不必具有如上式所示的一種數學上正確的組成。反之，此材料可具有一種或多種摻雜物質以及其它的成份，這些成份基本上不會改變Aln Gam In1－n－m N材料之物理特性。然而，為了簡單之故，上述之數學式只包含晶格(Al,Ga,In,N)之主要成份，當這些主要成份的一部份亦可藉由少量的其它物質(例如，P)來取代時。
一種具有氮化物－化合物半導體之薄膜－半導體組件主要是用來發出輻射，其波長是在可見光譜之短波長範圍中。
此波長可藉由一種轉換元件使此波長的輻射的至少一部份轉換成較長的波長，該轉換元件在輻射方向中配置在該層堆疊之後。
特別是一種轉換材料可整合在該薄膜－半導體組件中，較佳是整合在該覆蓋層中。
依據本發明，該載體層可包含一種塑料。就載體層所用之較佳的材料而言，其例如可為環氧樹脂，PET，聚合物，特別是聚醯亞胺(例如，Kapton)，或上述各材料的組合。
此外，載體層或該覆蓋層可具有本發明的方法中所述的特性的每一種。同樣情況亦適用於薄膜－半導體組件。
又，在一種較佳的實施形式中該載體層含有一種碳纖維，其例如可埋置於一種聚合物膜中且所具有的導熱性較該聚合物膜者還高，因此整體上可有利地形成一種具有黏合性的導熱載體層。
此外，該載體層具有一種玻璃織物，特別是矽酸鹽。
在另一種有利的實施形式中，該載體層可透過該活性的層堆疊所產生的輻射。這樣所具有的優點是：該輻射可直接射出且輻射損耗可下降，輻射損耗是由於已反射的輻射在該活性的層堆疊中的吸收所造成。
亦可在遠離該載體層之此側上施加該覆蓋層，其可保留在一種未完全硬化的狀態中。然而，較佳方式是形成一種自我承載用的特別是固定的載體層且此載體層具有相對應的特性。
在一種有利的實施形式中，該覆蓋層含有一種轉換材料以使該活性的層堆疊所產生的輻射之波長成份被轉換。此外，該覆蓋層可具有一種光學結構。此光學結構可設在該覆蓋層之面對－或遠離該層堆疊之此側上。藉由該光學結構，則該薄膜－半導體組件中所產生的輻射之發射特性可有利地受到影響。例如，此光學結構可以透鏡形式，稜鏡形式或角錐體形式來形成。
由於該層堆疊典型上所具有的高度是在20微米或10微米的範圍中，則該載體層和該覆蓋層(其厚度特別有利時是小於或等於100微米)可圍繞該層堆疊。這樣所具有的優點是不需其它的外殼體。
依據一較佳的實施形式，在載體層和覆蓋層之間配置一種填充層。此填充層例如可含有一種塑料。
此外，該薄膜－半導體組件安裝在一種外殼體中。
在一較佳的實施形式中，載體層和覆蓋層都可透過該活性之層堆疊所產生的輻射，這樣會造成一種雙面發射的薄膜－半導體組件。
本方法或薄膜－半導體組件之其它特徵和有利的形式以下將依據第1a至1f圖，第2，3圖中的實施例來詳述。
简体摘要：本发明涉及一种半导体组件之制造方法，其中在生长基板(1)上形成一种含有半导体材料之层复合物(6)，在此层复合物(6)上施加一种可挠之载体层(2)，使此可挠的载体层硬化成一种自我承载用的载体层(2)以及将此生长基板(1)剥除。另一方式是该载体层(2)具有一种基层(2b)和一种黏合至该层复合物上的黏合层(2a)。 This invention relates to a method to produce semiconductor components, where a layer－compound (6) containing a semiconductor material is formed on a growth－substrate (1), a flexible carrier－layer is applied on the layer－compound (6), the flexible carrier－layer is hardened to a self－supporting carrier－layer (2) and the growth－substrate (1) is detached. Alternatively the carrier－layer (2) has a base－layer (2b) and an adhesion－layer (2a) adhered on the layer－compound. 【创作特点】本发明的目的是提供一种半导体组件的制造方法。此外，本发明的目的是提供一种薄膜－半导体组件，其可简易地操控且机械上较稳定。上述目的借由申请专利范围第1和2项之方法及第25和26项之薄膜－半导体组件来达成。本发明之方法和薄膜－半导体组件之有利的其它形式描述在申请专利范围之附属项中。本发明之半导体组件之制造方法的第一种形式包括以下各步骤：－在生长基板上形成一种包含半导体材料的层复合物，－在该层复合物上施加一种可挠之载体层，－使该可挠之载体层硬化成自我承载用的载体层，－将该生长基板剥离。本发明之半导体组件之制造方法的第一种形式中，在层复合物之远离生长基板之此侧上施加一种可挠的载体层，其在硬化之后可黏附在该层复合物上以作为自我承载用的较佳是固定的载体层。本发明之半导体组件之制造方法的第二种形式包含以下各步骤：－在生长基板上形成一种含有半导体材料之层复合物，－在该层复合物上施加一种自我承载用的载体层，其中此载体层具有一种基层和一种面对该层复合物之黏合层，此黏合层黏合至该层复合物，－将该生长基板剥离。因此，一种载体层施加在该层复合物之远离该生长基板之此侧上，该载体层在已制成的半导体组件中黏附于该层复合物上以作为一种自我承载用的较佳是固定的载体层。有利的方式是在该层复合物和载体层之间可省略一种各别的连接，其大致上是一种焊接连接，且因此可省略一种需要成本的步骤(一种结合步骤)。依据第一种形式，该自我承载用的载体层相对于可挠的载体层而言所具有的优点是可形式确定地且容易地进行操控。在第二种形式中，该黏合层由熔合性黏合材料所形成且该基层由形式稳定的塑料所形成。此处，黏合层的加热是必要的，以使此黏合层熔化且使该层复合物可足够地占湿，因此在硬化之后可达成一种足够的黏合作用。在室温时该黏合层较佳是固态者。此外，该黏合层不需额外加热即可黏合至该层复合物上。在此种情况下，该黏合层例如可含有硅树脂且该基层含有聚酰亚胺(polyimide)。在本方法之第二种形式的一种较佳的实施形式中，该基层含有一种塑料。另一方式是该基层可含有玻璃。该载体层较佳是含有一种箔。该载体层特别是可含有一种制成轨道形式的塑料片。本发明的载体层在厚度较小时亦可达成一种足够的稳定度。由于厚度较小，该载体层具有弹性，这样可使形成裂痕的危险性下降。厚度较小之意义此处是指该厚度较佳是100微米，特别是小于100微米。载体层是透明时特别有利。这样所具有的优点是该载体层同时可用作射出层。利用本发明的方法，可较佳地制成薄膜－半导体组件，特别是发出辐射的薄膜－半导体组件。一种发出辐射的薄膜－半导体组件之特征特别是以下各特征中的至少一种：－在产生辐射的磊晶层串行之面对一载体组件之第一主面上较佳是形成一反射层，其使该磊晶层串行中所产生的电磁辐射的至少一部份反射回到该磊晶层串行中；－该磊晶层串行所具有的厚度是在20微米之范围中或更小，特别是在10微米的范围中，该磊晶层串行含有至少一种半导体层，此半导体层具有至少一个面，此面包含一混合结构，其在理想情况下使该磊晶层串行中的光形成一种近似遍坜(ergodic)的分布，即，此光具有一种尽可能遍坜之随机杂散特性。发出辐射的薄膜－半导体组件之基本原理例如已描述在I.Schnitzer et al.,Appl.Phys.Lett.63(16),18.October 1993,2174－2176中，其已揭示的内容借由参考而收纳于此处。上述之发出辐射的薄膜－半导体组件很近似于蓝伯德(Lambertic)表面辐射器。本发明中该层复合物具有一种活性之层串行以产生电磁辐射，此层串行较佳是以磊晶方式生长在该生长基板上。为了制造多个薄膜－半导体组件，该层复合物结构化成各别的层堆栈，这可借由切锯来达成。该载体层可预先结构化而施加在该层复合物上，使该层复合物可沿着该结构而切割成层堆栈。在本发明的方法之第一形式之一较佳的实施形式中，使用一种载体层，其具有一种塑料。此载体层包含一种环氧树脂，PET或聚合物(特别是聚酰亚胺，例如，Kapton)或包含上述这些材料之组合时特别有利。Kapton是公司Dupont所提供的聚酰亚胺－产品之商标名称。在传统的方法中，在将该层复合物结合至载体上时典型上是在400℃的温度范围中达成。在随后冷却至室温时，若该生长基板和载体的热膨胀系数差异很大，则会产生一种应力或弯曲现象。此外，载体中会产生裂痕，使所形成的组件不再具有足够的稳定性。由于本发明的方法能以较小的温度来实现，因此所产生的热应力较小，形成裂痕的危险性亦较小。例如，载体层(其含有以银来填入的环氧树脂)在80℃至90℃时熔化且在温度150℃时硬化，其中可允许有10%的容许度。本发明的载体层之另一种可能方式是一种以玻璃微粒来填入的黏合材料膜，其可由一种混合材料所形成，此混合材料特别是含有环氧树脂和丙烯酸树脂。此混合材料中各玻璃微粒是以一种银涂层来存储着，其中该黏合材料膜可有利地借由玻璃微粒而具有导电性。此黏合材料膜可在120℃时熔化且在160℃时在30分钟长的时间中硬化。在本发明之方法所制成的半导体组件中，为了使操作时所产生的热损耗可排出，则载体层较佳是以可导热方式来形成。因此，可防止不期望的效应，例如，波长的偏移或半导体组件所发出的辐射强度的减弱。在本发明的方法之一种较佳的实施形式中，载体层以电性绝缘材料来形成。载体层上可施加至少一导电轨，以便稍后使一种由施加至一共同的载体层上的层堆栈所构成的配置－或一已切割的组件可与一电极相连接。另一方式是该载体层以一种导电材料来形成。例如，该载体层含有一种金属，特别是铝，银，钛，铜或一种合金，特别是黄铜。就半导体组件之电性上的接触而言，面向载体层之此侧上的层复合物设有一种接触面，特别是设有一种接触金属层，其含有一种金属。在本发明的方法之一较佳的实施形式中，选取一种材料以作为接触金属层，此材料可使稍后操作时活性的层堆栈中所产生的辐射的至少一部份被反射。这在载体层对所产生的辐射不具备透过性且该辐射在半导体组件之与载体层相面对的此侧上射出时是有利的。该生长基板较佳是借由激光烧蚀方法来去除，这例如由WO 98/14986中已为人所知，其所揭示的内容借由参考而收纳于此处。该生长基板亦可借由其它方法，例如，等离子或干燥蚀刻，来剥除或以机械方式来去除。在生长基板剥除之后，在该层复合物之远离该载体层之此侧上较佳是施加一第二接触面，特别是一接触金属面，其用来与稍后形成的薄膜－半导体组件继续形成电性上的接触作用。此外，该层堆栈之远离该载体层之此侧上施加一种可挠的覆盖层，其可及时硬化。另一方式是该可挠的覆盖层可保留在一种未完全硬化的状态中。另一种可能方式是施加一覆盖层，其具有一种基层和一种面向该层复合物之黏合层，其中此黏合层黏合至该层复合物上。该覆盖层特别是可为一种箔。该覆盖层较佳是可透过该活性区所产生的辐射。在一种有利的实施形式中，该覆盖层含有一种转换材料，以便使稍后之活性的层堆栈所产生的辐射之波长成份可被转换。该覆盖层特别有利的是具有一与载体层相对应的特性。然而，此覆盖层可含有一种与载体层不同的材料。依据一种较佳的形式，该覆盖层由玻璃所形成。此外，该覆盖层在一种面对该层复合物之此侧上具有至少一导电轨以便在上侧可与该薄膜－半导体组件相接触，此导电轨特别是含有一种可透过辐射的材料，例如，氧化铟锡(ITO)。该载体层和该覆盖层之双面配置可有利地取代一种外壳体。本发明第一种形式的薄膜－半导体组件较佳是可对应于本发明的方法之第一形式来制成，此半导体组件具有以下的组成：－一种层堆栈，－一种自我承载用的较佳是固定的载体层，其配置在该层堆栈上，其中该载体层已硬化。本发明第二种形式之薄膜－半导体组件较佳是可对应于本发明的方法之第二形式来制成，此半导体组件具有以下的组成：－一种层堆栈，－一种自我承载用的载体层，其配置在该层堆栈上，其中该载体层具有一种基层和一种面对该层堆栈之黏合层，此黏合层黏合至该层堆栈上。该载体层特别是具有多种特性，其已在本方法之第一和第二种形式中提及。具有本发明之载体层的薄膜－半导体组件中由于存在着一种足够的机械稳定性，则不需其它的载体。因此，此半导体组件可以一种有利的小的构造高度(例如，120微米)来构成。此薄膜－半导体组件用来产生一种电磁辐射且具有一种活性的层堆栈(其是整个层堆栈的一部份)以产生此电磁辐射。例如，此活性的层堆栈可具有一种传统的pn－接面，一种双异质结构，一种单一量子井结构或一种多量子井结构。此外，该薄膜－半导体组件在一种较佳的实施形式中具有一种氮化物－化合物半导体，这表示：该活性的层堆栈或至少其中一层包含一种氮化物－III－V－化合物半导体材料，较佳是Aln Gam In1－nm N,其中0≦n≦1,0≦m≦1且n＋m≦1。因此，此材料不必具有如上式所示的一种数学上正确的组成。反之，此材料可具有一种或多种掺杂物质以及其它的成份，这些成份基本上不会改变Aln Gam In1－n－m N材料之物理特性。然而，为了简单之故，上述之数学式只包含晶格(Al,Ga,In,N)之主要成份，当这些主要成份的一部份亦可借由少量的其它物质(例如，P)来取代时。一种具有氮化物－化合物半导体之薄膜－半导体组件主要是用来发出辐射，其波长是在可见光谱之短波长范围中。此波长可借由一种转换组件使此波长的辐射的至少一部份转换成较长的波长，该转换组件在辐射方向中配置在该层堆栈之后。特别是一种转换材料可集成在该薄膜－半导体组件中，较佳是集成在该覆盖层中。依据本发明，该载体层可包含一种塑料。就载体层所用之较佳的材料而言，其例如可为环氧树脂，PET，聚合物，特别是聚酰亚胺(例如，Kapton)，或上述各材料的组合。此外，载体层或该覆盖层可具有本发明的方法中所述的特性的每一种。同样情况亦适用于薄膜－半导体组件。又，在一种较佳的实施形式中该载体层含有一种碳纤维，其例如可埋置于一种聚合物膜中且所具有的导热性较该聚合物膜者还高，因此整体上可有利地形成一种具有黏合性的导热载体层。此外，该载体层具有一种玻璃织物，特别是硅酸盐。在另一种有利的实施形式中，该载体层可透过该活性的层堆栈所产生的辐射。这样所具有的优点是：该辐射可直接射出且辐射损耗可下降，辐射损耗是由于已反射的辐射在该活性的层堆栈中的吸收所造成。亦可在远离该载体层之此侧上施加该覆盖层，其可保留在一种未完全硬化的状态中。然而，较佳方式是形成一种自我承载用的特别是固定的载体层且此载体层具有相对应的特性。在一种有利的实施形式中，该覆盖层含有一种转换材料以使该活性的层堆栈所产生的辐射之波长成份被转换。此外，该覆盖层可具有一种光学结构。此光学结构可设在该覆盖层之面对－或远离该层堆栈之此侧上。借由该光学结构，则该薄膜－半导体组件中所产生的辐射之发射特性可有利地受到影响。例如，此光学结构可以透镜形式，棱镜形式或角锥体形式来形成。由于该层堆栈典型上所具有的高度是在20微米或10微米的范围中，则该载体层和该覆盖层(其厚度特别有利时是小于或等于100微米)可围绕该层堆栈。这样所具有的优点是不需其它的外壳体。依据一较佳的实施形式，在载体层和覆盖层之间配置一种填充层。此填充层例如可含有一种塑料。此外，该薄膜－半导体组件安装在一种外壳体中。在一较佳的实施形式中，载体层和覆盖层都可透过该活性之层堆栈所产生的辐射，这样会造成一种双面发射的薄膜－半导体组件。本方法或薄膜－半导体组件之其它特征和有利的形式以下将依据第1a至1f图，第2，3图中的实施例来详述。

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