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11. 发明专利

TW201731024A 用於可撓性電路設計的金屬氧化物多晶矽可調電阻器及其製造方法审中-公开
简体标题：用于可挠性电路设计的金属氧化物多晶硅可调电阻器及其制造方法
公开(公告)号：TW201731024A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105136292
申请日：2016-11-08
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：費金宜 , PHOA, KINYIP , 林睿彥 , LIN, JUI-YEN , 尼迪尼迪 , NIDHI, NIDHI , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG
IPC分类号： H01L21/77 , H01L27/02
CPC分类号： H01L21/77 , H01L28/20 , H01L29/66166 , H01L29/8605
摘要：說明金屬氧化物多晶矽可調電阻器和製造金屬氧化物多晶矽可調電阻器的方法。在實施例中，可調電阻器包含設置在基板之上的多晶矽電阻器結構。閘極氧化物層設置在該多晶矽電阻器結構上。金屬閘極層設置在該閘極氧化物層上。
简体摘要：说明金属氧化物多晶硅可调电阻器和制造金属氧化物多晶硅可调电阻器的方法。在实施例中，可调电阻器包含设置在基板之上的多晶硅电阻器结构。闸极氧化物层设置在该多晶硅电阻器结构上。金属闸极层设置在该闸极氧化物层上。

12. 发明专利

TW201717540A 功率放大器模組，包括相關之系統、裝置及方法审中-公开
简体标题：功率放大器模块，包括相关之系统、设备及方法
公开(公告)号：TW201717540A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105141670
申请日：2013-06-14
申请人：西凱渥資訊處理科技公司 , SKYWORKS SOLUTIONS, INC.
发明人：陳霍華E , CHEN, HOWARD E. , 郭亦帆 , GUO, YIFAN , 黃庭福吳 , HOANG, DINHPHUOC VU , 賈那尼默藍 , JANANI, MEHRAN , 郭丁緬因特 , KO, TIN MYINT , 勒托拉菲利浦約翰 , LEHTOLA, PHILIP JOHN , 洛彼安可安東尼詹姆斯 , LOBIANCO, ANTHONY JAMES , 莫迪哈迪克布潘達 , MODI, HARDIK BHUPENDRA , 阮紅孟 , NGUYEN, HOANG MONG , 歐扎拉斯麥修湯瑪斯 , OZALAS, MATTHEW THOMAS , 培帝威克山德拉路易斯 , PETTY-WEEKS, SANDRA LOUISE , 瑞德麥修尚 , READ, MATTHEW SEAN , 理吉詹斯阿爾布雷希特 , RIEGE, JENS ALBRECHT , 雷普利大衛史蒂芬 , RIPLEY, DAVID STEVEN , 邵宏曉 , SHAO, HONGXIAO , 沈宏 , SHEN, HONG , 孫衛明 , SUN, WEIMIN , 孫祥志 , SUN, HSIANG-CHIH , 衛屈派崔克勞倫斯 , WELCH, PATRICK LAWRENCE , 札帕帝彼得J 二世 , ZAMPARDI, PETER J., JR. , 章國豪 , ZHANG, GUOHAO
IPC分类号： H03F3/19
CPC分类号： H03F1/0205 , H01L21/485 , H01L21/4853 , H01L21/4864 , H01L21/565 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L21/8249 , H01L21/8252 , H01L22/14 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49844 , H01L23/49861 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L23/50 , H01L23/522 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L27/0605 , H01L27/0623 , H01L27/092 , H01L29/0684 , H01L29/0821 , H01L29/0826 , H01L29/1004 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/36 , H01L29/66242 , H01L29/66863 , H01L29/737 , H01L29/7371 , H01L29/812 , H01L29/8605 , H01L2223/6611 , H01L2223/6616 , H01L2223/6644 , H01L2223/665 , H01L2223/6655 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48177 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48611 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48811 , H01L2224/48816 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49176 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85411 , H01L2224/85416 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2224/85464 , H01L2924/00011 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12033 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13051 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1421 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3025 , H03F1/565 , H03F3/187 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/213 , H03F3/245 , H03F3/347 , H03F3/45 , H03F3/60 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2200/48 , H03F2200/555 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要：本發明揭示一種功率放大器模組，其包括：一功率放大器，其包括一GaAs雙極電晶體，該GaAs雙極電晶體具有一集極、鄰接該集極之一基極、及一射極，該集極在與該基極之一接面處具有至少約3×1016cm-3之一摻雜濃度，該集極亦具有其中摻雜濃度隨遠離該基極而增加之至少一第一分級；及一RF傳輸線，其由該功率放大器驅動，該RF傳輸線包括一導電層及該導電層上之表面處理鍍層，該表面處理鍍層包括一金層、接近該金層之一鈀層及接近該鈀層之一擴散障壁層，該擴散障壁層包括鎳且具有約小於鎳在0.9GHz下之集膚深度之一厚度。本發明亦提供該模組之其他實施例連同其相關方法及組件。
简体摘要：本发明揭示一种功率放大器模块，其包括：一功率放大器，其包括一GaAs双极晶体管，该GaAs双极晶体管具有一集极、邻接该集极之一基极、及一射极，该集极在与该基极之一接面处具有至少约3×1016cm-3之一掺杂浓度，该集极亦具有其中掺杂浓度随远离该基极而增加之至少一第一分级；及一RF传输线，其由该功率放大器驱动，该RF传输线包括一导电层及该导电层上之表面处理镀层，该表面处理镀层包括一金层、接近该金层之一钯层及接近该钯层之一扩散障壁层，该扩散障壁层包括镍且具有约小于镍在0.9GHz下之集肤深度之一厚度。本发明亦提供该模块之其他实施例连同其相关方法及组件。

14. 发明专利

TW201614852A 用於鰭片為主之電子元件的固態源極擴散接面审中-公开
简体标题：用于鳍片为主之电子组件的固态源极扩散接面
公开(公告)号：TW201614852A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104118477
申请日：2015-06-08
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/0649 , H01L27/098 , H01L29/0657 , H01L29/404 , H01L29/66166 , H01L29/66803 , H01L29/66901 , H01L29/808 , H01L29/8605
摘要：固態源極擴散接面被敘述用於鰭片為主之電子元件。於一範例中，鰭片係形成在基板上。第一摻雜劑型的玻片被沈積在該基板之上及在該鰭片的下部之上。第二摻雜劑型的玻片被沈積在該基板及該鰭片之上。該玻片被退火，以使該等摻雜劑開始進入該鰭片及該基板。該玻片被移去，且第一及第二接觸部被形成在該鰭片之上，而不會接觸該鰭片的下部。
简体摘要：固态源极扩散接面被叙述用于鳍片为主之电子组件。于一范例中，鳍片系形成在基板上。第一掺杂剂型的玻片被沉积在该基板之上及在该鳍片的下部之上。第二掺杂剂型的玻片被沉积在该基板及该鳍片之上。该玻片被退火，以使该等掺杂剂开始进入该鳍片及该基板。该玻片被移去，且第一及第二接触部被形成在该鳍片之上，而不会接触该鳍片的下部。

15. 发明专利

TWI527212B 雙載子接合電晶體及其製造方法有权
简体标题：双载子接合晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TWI527212B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW102113895
申请日：2013-04-19
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：賴瑞堯 , LAI, JUI YAO , 王世維 , WANG, SHYH WEI , 陳燕銘 , CHEN, YEN MING
IPC分类号： H01L29/73 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/737 , H01L21/265 , H01L21/283 , H01L29/0649 , H01L29/165 , H01L29/66166 , H01L29/66242 , H01L29/7378 , H01L29/8605

16. 发明专利

TWI418041B 半導體構件有权
简体标题：半导体构件
公开(公告)号：TWI418041B
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW094132748
申请日：2005-09-22
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：彼得弗洛爾斯 , FLOHRS, PETER , 亞爾弗瑞德顧爾拉赫 , GOERLACH, ALFRED , 彼得烏爾巴赫 , URBACH, PETER , 渥夫剛法勒 , FEILER, WOLFGANG , 渠寧 , QU, NING , 克勞斯黑耶斯 , HEYERS, KLAUS
IPC分类号： H01L29/8605
CPC分类号： H01L28/20 , G01K7/22 , H01L27/0802 , H01L29/8605 , H01L29/8611

17. 发明专利

TW200711102A 包含具有金屬源極及/或汲極區之薄膜三端切換裝置之記憶體單元 MEMORY CELL COMPRISING A THIN FILM THREE-TERMINAL SWITCHING DEVICE HAVING A METAL SOURCE AND/OR DRAIN REGION 失效
简体标题：包含具有金属源极及/或汲极区之薄膜三端切换设备之内存单元 MEMORY CELL COMPRISING A THIN FILM THREE-TERMINAL SWITCHING DEVICE HAVING A METAL SOURCE AND/OR DRAIN REGION
公开(公告)号：TW200711102A
公开(公告)日：2007-03-16
申请号：TW095125293
申请日：2006-07-11
申请人：桑迪士克3D公司 SANDISK 3D, LLC
发明人：洛依艾德恩 SCHEUERLEIN, ROY , 克里斯多夫彼得 PETTI, CHRISTOPHER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1203 , G11C11/5614 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C2213/31 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/79 , H01L21/84 , H01L27/101 , H01L27/112 , H01L27/11206 , H01L27/115 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L27/2436 , H01L29/685 , H01L29/786 , H01L29/8605 , H01L45/085 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/1675
摘要：本發明係關於一種非揮發性記憶體單元,其包含串連之一可切換電阻器記憶體元件及一薄膜三端切換裝置,該薄膜三端切換裝置宜為一MOSFET。該可切換電阻器記憶體元件具有至少有兩個穩定電阻狀態之特性,例如一高電阻狀態及一低電阻狀態。其在該等兩個狀態之間切換,且藉由提供通過該三端切換裝置之適當電流而感應其電阻狀態(且因此該單元之資料狀態)。本發明之較佳實施例包括一高度緻密之單石三維記憶體陣列,其中此類記憶體單元之多個記憶體級係形成於一單個基板(諸如一單晶矽晶圓)之上。
简体摘要：本发明系关于一种非挥发性内存单元,其包含串连之一可切换电阻器内存组件及一薄膜三端切换设备,该薄膜三端切换设备宜为一MOSFET。该可切换电阻器内存组件具有至少有两个稳定电阻状态之特性,例如一高电阻状态及一低电阻状态。其在该等两个状态之间切换,且借由提供通过该三端切换设备之适当电流而感应其电阻状态(且因此该单元之数据状态)。本发明之较佳实施例包括一高度致密之单石三维内存数组,其中此类内存单元之多个内存级系形成于一单个基板(诸如一单晶硅晶圆)之上。

18. 发明专利

TW200525640A 半導體裝置之製造方法 METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：半导体设备之制造方法 METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200525640A
公开(公告)日：2005-08-01
申请号：TW093134066
申请日：2004-11-09
申请人：三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD.
发明人：宮好彥 MIYAWAKI, YOSHIHIKO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L28/20 , H01L27/0629 , H01L29/8605
摘要：本發明係提供一種於同一半導體基板上具備MOS電晶體及擴散電阻層，以抑制擴散電阻層電流洩漏的半導體裝置。係於n型阱(11)全面形成閘極電極形成用膜(22a)，且形成第2抗光阻層(42)以遮罩閘極電極形成部上面與擴散電阻層(30)上面的一部分，以此為保護罩，將閘極電極形成用膜(22a)予以異向性蝕刻，而形成閘極電極(22)及損壞防止膜(22b)。再於上述n型阱(11)上全面，形成CVD絕緣膜後，將上述CVD絕緣膜予以異向性蝕刻，以形成上述閘極電極與損壞防止膜側壁之側壁間隔體(23s)，又於閘極電極、損壞防止膜及側壁間隔體(23s)為保護罩(mask)，進行高濃度p型雜質的摻雜植入，而形成MOS電晶體(20)之源極層(24s)、汲極層(24d)及擴散電阻層(30)之接觸部形成用p^＋型層(31)者。
简体摘要：本发明系提供一种于同一半导体基板上具备MOS晶体管及扩散电阻层，以抑制扩散电阻层电流泄漏的半导体设备。系于n型阱(11)全面形成闸极电极形成用膜(22a)，且形成第2抗光阻层(42)以遮罩闸极电极形成部上面与扩散电阻层(30)上面的一部分，以此为保护罩，将闸极电极形成用膜(22a)予以异向性蚀刻，而形成闸极电极(22)及损坏防止膜(22b)。再于上述n型阱(11)上全面，形成CVD绝缘膜后，将上述CVD绝缘膜予以异向性蚀刻，以形成上述闸极电极与损坏防止膜侧壁之侧壁间隔体(23s)，又于闸极电极、损坏防止膜及侧壁间隔体(23s)为保护罩(mask)，进行高浓度p型杂质的掺杂植入，而形成MOS晶体管(20)之源极层(24s)、汲极层(24d)及扩散电阻层(30)之接触部形成用p^＋型层(31)者。

19. 发明专利

TW200520216A 異質結構電阻器及其製造方法 HETEROSTRUCTURE RESISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME 审中-公开
简体标题：异质结构电阻器及其制造方法 HETEROSTRUCTURE RESISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW200520216A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：TW093114138
申请日：2004-05-19
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：楊育佳 YEO, YEECHIA , 李文欽 LEE, WEN CHIN , 柯誌欣 KO, CHIH HSIN , 葛崇祜 GE, CHUNG HU , 林俊杰 LIN, CHUN CHIEH , 胡正明 HU, CHENMING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L29/165 , H01L29/8605
摘要：本發明提供一種異質結構電阻器，包括在一部分半導體基材形成摻雜區域，半導體基材具有第一中性格子常數之第一半導體材質。摻雜區域包括覆蓋半導體基材之半導體層，半導體層具有第二中性格子常數之第二半導體材質。
简体摘要：本发明提供一种异质结构电阻器，包括在一部分半导体基材形成掺杂区域，半导体基材具有第一中性格子常数之第一半导体材质。掺杂区域包括覆盖半导体基材之半导体层，半导体层具有第二中性格子常数之第二半导体材质。

20. 发明专利

TW463363B 絕緣體上矽半導體裝置及其製程失效
简体标题：绝缘体上硅半导体设备及其制程
公开(公告)号：TW463363B
公开(公告)日：2001-11-11
申请号：TW089119954
申请日：2000-09-27
申请人：夏普股份有限公司
发明人：亞伯特奧斯卡艾登
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0802 , H01L29/8605
摘要：一絕緣體上矽(SOI)半導體裝置包含一電阻本體，其係以具備一嵌入式介電膜與形成於該嵌入式介電膜上的上半導體層所形成，而且其係藉由一絕緣膜介電性隔離，其中該電阻本體之一電阻值係依據該上半導體層內所含有的雜質的濃度與電阻本體的尺寸而設定至一預定值。
简体摘要：一绝缘体上硅(SOI)半导体设备包含一电阻本体，其系以具备一嵌入式介电膜与形成于该嵌入式介电膜上的上半导体层所形成，而且其系借由一绝缘膜介电性隔离，其中该电阻本体之一电阻值系依据该上半导体层内所含有的杂质的浓度与电阻本体的尺寸而设置至一预定值。

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