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11. 发明专利

TW201919205A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201919205A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107137828
申请日：2018-10-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林孟漢 , LIN, MENG-HAN , 邱德馨 , CHIU, TE-HSIN , 吳偉成 , WU, WEI-CHENG , 鄧立峯 , TENG, LI-FENG , 張健宏 , CHANG, CHIEN-HUNG
IPC分类号： H01L27/115 , B24B37/10
CPC分类号： H01L27/11286 , H01L21/76229 , H01L21/765 , H01L23/562 , H01L27/11524 , H01L27/11534 , H01L27/11546 , H01L29/0649 , H01L29/40114 , H01L29/404 , H01L29/66825
摘要：提供一種半導體結構，包括半導體基底及至少一個圖案化的介電層。半導體基底包括半導體部分、至少一個第一元件、至少一個第二元件與至少一個第一虛設環。至少一個第一元件設置於被半導體部分環繞的第一區。至少一個第二元件與至少一個第一虛設環設置於第二區上，且第二區環繞第一區。至少一個圖案化的介電層覆蓋半導體基底。
简体摘要：提供一种半导体结构，包括半导体基底及至少一个图案化的介电层。半导体基底包括半导体部分、至少一个第一组件、至少一个第二组件与至少一个第一虚设环。至少一个第一组件设置于被半导体部分环绕的第一区。至少一个第二组件与至少一个第一虚设环设置于第二区上，且第二区环绕第一区。至少一个图案化的介电层覆盖半导体基底。

12. 发明专利

TWI400808B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI400808B
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW099126092
申请日：2007-10-03
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：德永肇 , TOKUNAGA, HAJIME
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/8246
CPC分类号： H01L27/11206 , G11C17/16 , H01L23/5252 , H01L27/105 , H01L27/11286 , H01L27/1255 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

13. 发明专利

TW201114005A ３Ｄ積體電路層內連線 3D INTEGRATED CIRCUIT LAYER INTERCONNECT 审中-公开
简体标题：３Ｄ集成电路层内连接 3D INTEGRATED CIRCUIT LAYER INTERCONNECT
公开(公告)号：TW201114005A
公开(公告)日：2011-04-16
申请号：TW099106481
申请日：2010-03-05
申请人：旺宏電子股份有限公司
发明人：龍翔瀾
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/522 , H01L27/0207 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/11206 , H01L27/11286 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種三維(3D)內連線結構,其具有小的佔據面積,用以連接多層級元件中的上層電路結構與其他層級的電路結構。此外,提供一種具有效率且低成本的製造3D內連線結構的方法。
简体摘要：一种三维(3D)内连接结构,其具有小的占据面积,用以连接多层级组件中的上层电路结构与其他层级的电路结构。此外,提供一种具有效率且低成本的制造3D内连接结构的方法。

14. 发明专利

TWI336954B 記憶體結構包含物理可程式唯讀記憶體及埋入式快閃記憶體之系統及方法 SYSTEMS AND METHODS FOR MEMORY STRUCTURE COMPRISING A PPROM AND AN EMBEDDED FLASH MEMORY 有权
简体标题：内存结构包含物理可进程唯读内存及埋入式闪存之系统及方法 SYSTEMS AND METHODS FOR MEMORY STRUCTURE COMPRISING A PPROM AND AN EMBEDDED FLASH MEMORY
公开(公告)号：TWI336954B
公开(公告)日：2011-02-01
申请号：TW095112205
申请日：2006-04-06
申请人：旺宏電子股份有限公司
发明人：吳昭誼
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/112 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/11206 , H01L27/11286 , H01L27/115 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11578
摘要：本發明係關於結合埋入式快閃記憶體及物理可程式唯讀記憶體之記憶體結構。其中該物理可程式唯讀記憶體可作為一記憶體結構。而快閃記憶體則可作為錯誤更新細胞、備份記憶體或額外的記憶體細胞。該物理可程式唯讀記憶體細胞則堆疊於該快閃記憶體上方，並以三維的物理可程式唯讀記憶體結構增加物理可程式唯讀記憶體密度。
简体摘要：本发明系关于结合埋入式闪存及物理可进程唯读内存之内存结构。其中该物理可进程唯读内存可作为一内存结构。而闪存则可作为错误更新细胞、备份内存或额外的内存细胞。该物理可进程唯读内存细胞则堆栈于该闪存上方，并以三维的物理可进程唯读内存结构增加物理可进程唯读内存密度。

15. 发明专利

TW200605331A 電晶體記憶體陣列及其製造方法 TRANSISTOR MEMORY ARRAY AND METHOD OF MAKING THE SAME 审中-公开
简体标题：晶体管内存数组及其制造方法 TRANSISTOR MEMORY ARRAY AND METHOD OF MAKING THE SAME
公开(公告)号：TW200605331A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：TW094108901
申请日：2005-03-23
申请人：艾特梅爾公司 ATMEL CORPORATION
发明人：亞伯特威納 ALBERT S. WEINER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/112 , H01L27/0207 , H01L27/105 , H01L27/11286 , H01L27/115 , H01L27/11517 , H01L27/11526
摘要：一記憶體陣列具有以列及行來配置之相同佈局或覆蓋範圍的記憶體元件。雖然一些記憶體元件係EEPROM單元以及其它記憶體單元為唯讀記憶體單元，但是所有記憶體元件係使用一具有相同長度及寬度尺寸之光罩組來製造。在用於EEPROM之光罩組中，使用一主光罩以形成一空乏佈植。在某一型態之唯讀記憶體元件的情況中，主要限制此光罩，以導致一在源極與汲極間具有一非導電通道的電晶體之形成。在其它唯讀記憶體元件之情況中，不限制該相同光罩，以導致一在源極與汲極間具有一高導電或幾乎短路通道之電晶體的形成。將這兩個唯讀記憶體元件指定成為邏輯位準1及邏輯位準0。藉由在相同晶片上具有複數個列之唯讀記憶體元件及複數個列之EEPROM，可建立一具有更多用途之記憶體陣列晶片而不會犧牲晶片空間。
简体摘要：一内存数组具有以列及行来配置之相同布局或覆盖范围的内存组件。虽然一些内存组件系EEPROM单元以及其它内存单元为唯读内存单元，但是所有内存组件系使用一具有相同长度及宽度尺寸之光罩组来制造。在用于EEPROM之光罩组中，使用一主光罩以形成一空乏布植。在某一型态之唯读内存组件的情况中，主要限制此光罩，以导致一在源极与汲极间具有一非导电信道的晶体管之形成。在其它唯读内存组件之情况中，不限制该相同光罩，以导致一在源极与汲极间具有一高导电或几乎短路信道之晶体管的形成。将这两个唯读内存组件指定成为逻辑位准1及逻辑位准0。借由在相同芯片上具有复数个列之唯读内存组件及复数个列之EEPROM，可创建一具有更多用途之内存数组芯片而不会牺牲芯片空间。

16. 发明专利

TW201705030A 電子裝置的網路單元、電子裝置的網路及晶片認證裝置的利用方法审中-公开
简体标题：电子设备的网络单元、电子设备的网络及芯片认证设备的利用方法
公开(公告)号：TW201705030A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105122507
申请日：2016-07-15
申请人：渡邊浩志 , WATANABE, HIROSHI
发明人：渡邊浩志 , WATANABE, HIROSHI
IPC分类号： G06F21/30 , G06F21/32 , G06F21/34
CPC分类号： G06F13/20 , G06F13/1673 , G06F13/4068 , G06F21/44 , G06F21/73 , H01L23/5226 , H01L23/5256 , H01L23/528 , H01L27/0629 , H01L27/11286 , H01L28/60 , H01L29/78 , H01L29/7883 , H01L29/861 , H04L9/0662 , H04L9/3278 , H04L63/083 , H04L63/0876
摘要：本發明提供一種將實體性晶片認證裝置活用於電子裝置網路，防範周邊裝置盜用造成對網路之攻擊的技術。本發明係將構成網路之電子裝置分為周邊裝置及管理周邊裝置之登錄資訊的主幹伺服器兩種，主幹伺服器係藉由軟體中央管理，周邊裝置係搭載實體性晶片認證裝置，藉由以晶片層級管理，可有效率地提升網路整體的安全。
简体摘要：本发明提供一种将实体性芯片认证设备活用于电子设备网络，防范周边设备盗用造成对网络之攻击的技术。本发明系将构成网络之电子设备分为周边设备及管理周边设备之登录信息的主干服务器两种，主干服务器系借由软件中央管理，周边设备系搭载实体性芯片认证设备，借由以芯片层级管理，可有效率地提升网络整体的安全。

17. 发明专利

TW201101498A 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201101498A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099126092
申请日：2007-10-03
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：德永肇
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/11206 , G11C17/16 , H01L23/5252 , H01L27/105 , H01L27/11286 , H01L27/1255 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明之一目的在於提供安裝有記憶體的半導體裝置,其可在自無線訊號所產生的電流値及電壓値的範圍內被驅動。另一目的在於提供寫入一次多次讀取記憶體,在半導體裝置製造之後,任何時間可以將資料寫入一次多次讀取記憶體中。在絕緣基板之上形成天線、抗熔絲型ROM、及驅動電路。在包含於抗熔絲型ROM中的成對電極之中,也經由與包含於驅動電路中的電晶體的源極電極和汲極電極相同的步驟及材料來形成成對電極中的另一電極。
简体摘要：本发明之一目的在于提供安装有内存的半导体设备,其可在自无线信号所产生的电流値及电压値的范围内被驱动。另一目的在于提供写入一次多次读取内存,在半导体设备制造之后,任何时间可以将数据写入一次多次读取内存中。在绝缘基板之上形成天线、抗熔丝型ROM、及驱动电路。在包含于抗熔丝型ROM中的成对电极之中,也经由与包含于驱动电路中的晶体管的源极电极和汲极电极相同的步骤及材料来形成成对电极中的另一电极。

18. 发明专利

TW200828595A 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200828595A
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：TW096137135
申请日：2007-10-03
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：德永肇 TOKUNAGA, HAJIME
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/11206 , G11C17/16 , H01L23/5252 , H01L27/105 , H01L27/11286 , H01L27/1255 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明之一目的在於提供安裝有記憶體的半導體裝置,其可在自無線訊號所產生的電流値及電壓値的範圍內被驅動。另一目的在於提供寫入一次多次讀取記憶體,在半導體裝置製造之後,任何時間可以將資料寫入一次多次讀取記憶體中。在絕緣基板之上形成天線、抗熔絲型ROM、及驅動電路。在包含於抗熔絲型ROM中的成對電極之中,也經由與包含於驅動電路中的電晶體的源極電極和汲極電極相同的步驟及材料來形成成對電極中的另一電極。
简体摘要：本发明之一目的在于提供安装有内存的半导体设备,其可在自无线信号所产生的电流値及电压値的范围内被驱动。另一目的在于提供写入一次多次读取内存,在半导体设备制造之后,任何时间可以将数据写入一次多次读取内存中。在绝缘基板之上形成天线、抗熔丝型ROM、及驱动电路。在包含于抗熔丝型ROM中的成对电极之中,也经由与包含于驱动电路中的晶体管的源极电极和汲极电极相同的步骤及材料来形成成对电极中的另一电极。

19. 发明专利

TW462083B 嵌入式虛擬接地記憶體之自我對準矽化金屬製作方法有权
简体标题：嵌入式虚拟接地内存之自我对准硅化金属制作方法
公开(公告)号：TW462083B
公开(公告)日：2001-11-01
申请号：TW089125826
申请日：2000-12-04
申请人：旺宏電子股份有限公司
发明人：黃仲仁 , 陳昕輝 , 王致皓 , 劉光文
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/112 , H01L21/743 , H01L27/105 , H01L27/11286
摘要：一種嵌入式虛擬接地記憶體之自我對準矽化金屬製作方法，本發明係利用控制多晶矽閘極之間的寬度，使得多晶矽閘極側壁的間隙壁在形成時會成為自我封滿的間隙壁，並使得基板表面不會暴露出來，進而接下來的自我對準矽化金屬的製程中，在基板表面不會形成自我對準矽化金屬，且不會造成埋藏式擴散區之間的連接。再者，本發明更提供二條模型多晶矽閘極，位於多晶矽閘極的最外二側，使得嵌入式虛擬接地記憶體表層之埋藏式擴散區能夠完全被覆蓋。運用本發明，記憶體晶胞區域以及週邊電路區的自我對準矽化金屬的製程即可整合在一起。
简体摘要：一种嵌入式虚拟接地内存之自我对准硅化金属制作方法，本发明系利用控制多晶硅闸极之间的宽度，使得多晶硅闸极侧壁的间隙壁在形成时会成为自我封满的间隙壁，并使得基板表面不会暴露出来，进而接下来的自我对准硅化金属的制程中，在基板表面不会形成自我对准硅化金属，且不会造成埋藏式扩散区之间的连接。再者，本发明更提供二条模型多晶硅闸极，位于多晶硅闸极的最外二侧，使得嵌入式虚拟接地内存表层之埋藏式扩散区能够完全被覆盖。运用本发明，内存晶胞区域以及周边电路区的自我对准硅化金属的制程即可集成在一起。

20. 发明专利

TW297949B 半導體裝置、罩幕式唯讀記憶體及其製造方法失效
简体标题：半导体设备、罩幕式唯读内存及其制造方法
公开(公告)号：TW297949B
公开(公告)日：1997-02-11
申请号：TW084109867
申请日：1995-09-20
申请人：夏普股份有限公司
发明人：谷本順一 , 長谷川正博
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/105 , H01L27/112 , H01L27/11286
摘要：一種半導體裝置包含一半導體基片與至少一含有多個第一傳導型式或第二傳導型式雜質離子之一槽被形成；多個電晶體皆具有一閘極絕緣薄膜形成在該槽上，一閘極電極形成在該閘極絕緣薄膜上及一對擴散層形成在該槽內；及一與該槽的傳導型式相同的外擴散層及與每一該等擴散層自行排列在該槽的外週邊內；該外擴散層具有一雜質濃度足以供應一希望的接面耐電壓，及當一作動電壓施於該相對電晶體，具有如將產生的一空乏層的相同寬度；該槽的雜質被設定於一濃度使得出現在該閘極電極之下連接著多個相鄰電晶體的一寄生電晶體的一閥限電壓高於一電源供應器電壓，由是該等相鄰電晶體彼此隔離。
简体摘要：一种半导体设备包含一半导体基片与至少一含有多个第一传导型式或第二传导型式杂质离子之一槽被形成；多个晶体管皆具有一闸极绝缘薄膜形成在该槽上，一闸极电极形成在该闸极绝缘薄膜上及一对扩散层形成在该槽内；及一与该槽的传导型式相同的外扩散层及与每一该等扩散层自行排列在该槽的外周边内；该外扩散层具有一杂质浓度足以供应一希望的接面耐电压，及当一作动电压施于该相对晶体管，具有如将产生的一空乏层的相同宽度；该槽的杂质被设置于一浓度使得出现在该闸极电极之下连接着多个相邻晶体管的一寄生晶体管的一阀限电压高于一电源供应器电压，由是该等相邻晶体管彼此隔离。

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