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11. 发明专利

TW200407444A 介電材料組成物 Dielectric material compositions 失效
简体标题：介电材料组成物 Dielectric material compositions
公开(公告)号：TW200407444A
公开(公告)日：2004-05-16
申请号：TW091132925
申请日：2002-11-08
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：陳麗梅 CHEN, LI MEI , 王朝仁 CHAO-JEN WANG , 洪詮雅 CHUAN-YA HUNG
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L21/02194 , C04B35/016 , C04B35/42 , C04B35/4504 , C04B35/453 , C04B35/462 , C04B35/48 , C04B35/495 , C04B35/50 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3262 , C04B2235/3267 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/767 , C23C14/08 , H01L21/02266 , H01L21/02282 , H01L21/31691
摘要：本發明揭示一種新穎的介電材料組成物，其包含以一般式Y1–xM^1xMn1–yM^2yOm表示之金屬氧化物。本發明之金屬氧化物具有高介電常數，且具有鐵電、壓電、焦電等性質。
简体摘要：本发明揭示一种新颖的介电材料组成物，其包含以一般式Y1–xM^1xMn1–yM^2yOm表示之金属氧化物。本发明之金属氧化物具有高介电常数，且具有铁电、压电、焦电等性质。

12. 发明专利

TW567584B 製造氧化物薄膜的方法有权
简体标题：制造氧化物薄膜的方法
公开(公告)号：TW567584B
公开(公告)日：2003-12-21
申请号：TW090108955
申请日：2001-04-13
申请人： ASM微相化學股份有限公司
发明人：麥堤普科納
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/405 , C23C16/45531 , C23C16/45553 , H01L21/02189 , H01L21/02192 , H01L21/02194 , H01L21/28167 , H01L21/28194 , H01L21/28211 , H01L21/3141 , H01L21/31604 , H01L21/31641 , H01L29/517 , H01M8/1253 , Y02E60/525 , Y02P70/56
摘要：本發明有關一種藉由ALD式方法於基材上製造氧化物薄膜的方法。根據該種方法，將至少一種金屬來源材料及至少一種氧來源材料之氣相脈衝交替她進料至反應空間中，並與該基材接觸。根據本發明，交替地使用釔源材料及鋯源材料作為金屬來源材料，以於基材上形成經釔安定化之氧化鋯(YSL)薄膜。
简体摘要：本发明有关一种借由ALD式方法于基材上制造氧化物薄膜的方法。根据该种方法，将至少一种金属来源材料及至少一种氧来源材料之气相脉冲交替她进料至反应空间中，并与该基材接触。根据本发明，交替地使用钇源材料及锆源材料作为金属来源材料，以于基材上形成经钇安定化之氧化锆(YSL)薄膜。

13. 发明专利

TW490739B 漸變形薄膜有权
简体标题：渐变形薄膜
公开(公告)号：TW490739B
公开(公告)日：2002-06-11
申请号：TW090105107
申请日：2001-03-30
申请人： ASM美國股份有限公司
发明人：克利斯丁J 渥克霍芬 , 艾維瑞傑馬克斯 , 蘇維P 賀加
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28185 , C23C16/029 , C23C16/34 , C23C16/401 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/452 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , C23C16/45534 , C30B25/14 , H01L21/0214 , H01L21/02178 , H01L21/02189 , H01L21/02194 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28562 , H01L21/3141 , H01L21/3145 , H01L21/31612 , H01L21/3162 , H01L21/31641 , H01L21/3185 , H01L21/76846 , H01L21/76873 , H01L21/76879 , H01L29/4908 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , Y10T428/24942 , Y10T428/2495 , H01L2924/00
摘要：以原子層沉積之薄膜，藉此可以在包括交替的自我限制化學的脈動的週期(301)或(450、455、460、470)期間從單屬至單屬來改變膜的成分。在所闡述的實施例中，在循環的製程期間引介不同分量的雜質來源(306或460)。因而提供漸變形閘極介電質(72)，即使是對於極薄階層。該閘極介電質(72)薄至2nm，可以從純氧化矽變化至氮氧化物至氮化矽。同樣的，閘極介電質(72)可以從氧化鋁變化至氧化鋁的混合物及較高介電質材料(例如ZrO2)至純高k材料及回到氧化鋁。在另一實施例中，首先形成氮化金屬(432)(例如WN)當作一障壁，用以做雙波紋溝渠及貫孔之內襯。在交替的沉積製程期間，可以引介銅，例如，在分開的脈動中，以及可以逐步地增加銅來源脈動(460)之頻率，形成漸變形轉變區域(434)，直到純銅(436)形成在上表面。其為有利的，在這些及其他有關的變化的漸變成分有助於避免諸如蝕刻速率控制、電子遷移及非電阻性電性接觸之問題，其可能在陡峭的材料界面發生。
简体摘要：以原子层沉积之薄膜，借此可以在包括交替的自我限制化学的脉动的周期(301)或(450、455、460、470)期间从单属至单属来改变膜的成分。在所阐述的实施例中，在循环的制程期间引介不同分量的杂质来源(306或460)。因而提供渐变形闸极介电质(72)，即使是对于极薄阶层。该闸极介电质(72)薄至2nm，可以从纯氧化硅变化至氮氧化物至氮化硅。同样的，闸极介电质(72)可以从氧化铝变化至氧化铝的混合物及较高介电质材料(例如ZrO2)至纯高k材料及回到氧化铝。在另一实施例中，首先形成氮化金属(432)(例如WN)当作一障壁，用以做双波纹沟渠及贯孔之内衬。在交替的沉积制程期间，可以引介铜，例如，在分开的脉动中，以及可以逐步地增加铜来源脉动(460)之频率，形成渐变形转变区域(434)，直到纯铜(436)形成在上表面。其为有利的，在这些及其他有关的变化的渐变成分有助于避免诸如蚀刻速率控制、电子迁移及非电阻性电性接触之问题，其可能在陡峭的材料界面发生。

14. 发明专利

TW466676B 製備用於一半導體元件之一電容器的方法失效
简体标题：制备用于一半导体组件之一电容器的方法
公开(公告)号：TW466676B
公开(公告)日：2001-12-01
申请号：TW089127185
申请日：2000-12-19
申请人：現代電子產業股份有限公司
发明人：李起正 , 金東俊
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02194 , C23C16/405 , C23C16/56 , H01L21/02271 , H01L21/02337 , H01L21/0234 , H01L21/02348 , H01L21/31604 , H01L21/31691 , H01L27/1085 , H01L28/55
摘要：本發明係揭示一種備製半導體元件之一電容器的方法，此方法包含了下列步驟：在事先已形成預定結構之半導體基板的上方形成下端電極；在下端電極上形成非結晶狀的(Ta2O5)1-x-(TiO2)x膜；對非結晶狀的(Ta2O5)1-x-(Ti02)x膜進行熱處理；在非結晶狀的(Ta2O5)1-x-(TiO2)x膜上形成上端電極。藉由使用具有高介電常數之(Ta2O5)1-x-(TiO2)x膜可以獲得足以操作在高度整合元件上之電容值，因此可以備製適用於高度整合半導體元件之電容器。
简体摘要：本发明系揭示一种备制半导体组件之一电容器的方法，此方法包含了下列步骤：在事先已形成预定结构之半导体基板的上方形成下端电极；在下端电极上形成非结晶状的(Ta2O5)1-x-(TiO2)x膜；对非结晶状的(Ta2O5)1-x-(Ti02)x膜进行热处理；在非结晶状的(Ta2O5)1-x-(TiO2)x膜上形成上端电极。借由使用具有高介电常数之(Ta2O5)1-x-(TiO2)x膜可以获得足以操作在高度集成组件上之电容值，因此可以备制适用于高度集成半导体组件之电容器。

15. 发明专利

TWI619832B 用於低漏電流與低等效氧化層厚度ＢｉＴａＯ薄膜之ＡＬＤ製程有权
简体标题：用于低漏电流与低等效氧化层厚度ＢｉＴａＯ薄膜之ＡＬＤ制程
公开(公告)号：TWI619832B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW103104124
申请日：2014-02-07
申请人：恩特葛瑞斯股份有限公司 , ENTEGRIS, INC. , 恩特葛瑞斯韓國有限公司 , ENTEGRIS KOREA LTD.
发明人：漢迪克斯布萊恩C , HENDRIX, BRYAN C. , 陳菲利普S H , CHEN, PHILIP S. H. , 李衛民 , LI, WEIMIN , 張祐尙 , JANG, WOOSUNG , 郭鼎凱 , GUO, DINGKAI
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/448 , H01L21/316
CPC分类号： H01L28/55 , C01G23/003 , C01G25/006 , C01G35/00 , C01P2006/40 , C23C16/18 , C23C16/40 , C23C16/45525 , C23C16/45531 , H01L21/02194 , H01L21/02197 , H01L21/02205 , H01L21/0228 , H01L21/02337 , H01L28/40

16. 发明专利

TW201539525A 製造介電結構之方法及設備审中-公开
简体标题：制造介电结构之方法及设备
公开(公告)号：TW201539525A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103141656
申请日：2014-12-01
申请人：艾思強公司 , AIXTRON SE
发明人：宋康 , SONG, KANG , 李明航 , LI, MINGHANG , 呂光泉 , LU, BRIAN
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/06
CPC分类号： H01L21/28194 , C23C16/402 , C23C16/405 , C23C16/45529 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/02194 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02321 , H01L29/513 , H01L29/517
摘要：本發明提供一種複合介電結構，其具有與一或多個層壓介電層(LDL)、合金介電層(ADL)或共沈積介電層(CDL)交錯之一或多個洩漏阻擋層(LBL)。每一LDL、ADL及CDL包括併入於各別基底介電層(BDL)中之摻雜劑；其中LDL係藉由使用層壓方法將摻雜層併入至BDL中而形成，ADL係藉由使用合金化方法將摻雜劑併入至BDL中而形成；且CDL係藉由使用共沈積方法使BDL基底材料及摻雜劑一起脈衝輸送而形成。
简体摘要：本发明提供一种复合介电结构，其具有与一或多个层压介电层(LDL)、合金介电层(ADL)或共沉积介电层(CDL)交错之一或多个泄漏阻挡层(LBL)。每一LDL、ADL及CDL包括并入于各别基底介电层(BDL)中之掺杂剂；其中LDL系借由使用层压方法将掺杂层并入至BDL中而形成，ADL系借由使用合金化方法将掺杂剂并入至BDL中而形成；且CDL系借由使用共沉积方法使BDL基底材料及掺杂剂一起脉冲输送而形成。

17. 发明专利

TW201431869A 第五族金屬側氧基－烷側氧基錯合物及其製造方法、製膜用材料及第五族金屬氧化物膜的製造方法审中-公开
简体标题：第五族金属侧氧基－烷侧氧基错合物及其制造方法、制膜用材料及第五族金属氧化物膜的制造方法
公开(公告)号：TW201431869A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102148084
申请日：2013-12-25
申请人：東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION , 公益財團法人相模中央化學研究所 , SAGAMI CHEMICAL RESEARCH INSTITUTE
发明人：浅野祥生 , ASANO, SACHIO , 木下智之 , KINOSHITA, TOMOYUKI , 原靖 , HARA, YASUSHI , 原大治 , HARA, DAIJI , 田中陵二 , TANAKA, RYOJI , 多田賢一 , TADA, KEN-ICHI
IPC分类号： C07F9/00
CPC分类号： C07F9/005 , C07C29/68 , C07C31/28 , C07C33/26 , C07F9/00 , H01L21/02118 , H01L21/02175 , H01L21/02183 , H01L21/02194 , H01L21/02282 , H01L21/02318
摘要：本發明提供一種用作製作第五族金屬氧化物膜所使用的製膜用材料的通式(A)所表示的第五族金屬側氧基-烷側氧基錯合物、較佳是通式(1)、化學式(3)、化學式(4)或化學式(5)所表示的第五族金屬側氧基-烷側氧基錯合物及其製造方法。製造通式(A)所表示的第五族金屬側氧基-烷側氧基錯合物、較佳是通式(1)、化學式(3)、化學式(4)或化學式(5)所表示的第五族金屬側氧基-烷側氧基錯合物，更藉由含有第五族金屬側氧基-烷側氧基錯合物與有機溶劑而製備製膜用材料溶液，使用製膜用材料溶液而製作第五族金屬氧化物膜。Mα(μ4-O)β(μ3-O)γ(μ-O)δ(μ-ORA)ε(ORA)ζ(RAOH)ηXθYι (A) (式中，M表示鈮原子或鉭原子。RA表示C1~C6的烷基。X表示亦可經苯基取代的C1~C8的伸烷基二氧基。Y表示亦可經鹵素原子取代的C2~C8的羧基或乙醯丙酮基。α表示3~10的整數、β表示0或1、γ表示0~8的整數、δ表示2~9的整數、ε表示0~6的整數、ζ表示6~16的整數、η表示0~4的整數、θ表示0~2的整數、ι表示0~6的整數。其中，α~ι表示滿足5α=2(β+γ+δ+θ)+ε+ζ+ι的整數) MA(μ4-O)B(μ3-O)C(μ-O)D(μ-OtBu)E(OtBu)F (1) (式中，M表示鈮原子或鉭原子。A、B、C、D、E、F分別表示10、1、8、8、0、16或9、1、5、9、1、14的數值)
简体摘要：本发明提供一种用作制作第五族金属氧化物膜所使用的制膜用材料的通式(A)所表示的第五族金属侧氧基-烷侧氧基错合物、较佳是通式(1)、化学式(3)、化学式(4)或化学式(5)所表示的第五族金属侧氧基-烷侧氧基错合物及其制造方法。制造通式(A)所表示的第五族金属侧氧基-烷侧氧基错合物、较佳是通式(1)、化学式(3)、化学式(4)或化学式(5)所表示的第五族金属侧氧基-烷侧氧基错合物，更借由含有第五族金属侧氧基-烷侧氧基错合物与有机溶剂而制备制膜用材料溶液，使用制膜用材料溶液而制作第五族金属氧化物膜。Mα(μ4-O)β(μ3-O)γ(μ-O)δ(μ-ORA)ε(ORA)ζ(RAOH)ηXθYι (A) (式中，M表示铌原子或钽原子。RA表示C1~C6的烷基。X表示亦可经苯基取代的C1~C8的伸烷基二氧基。Y表示亦可经卤素原子取代的C2~C8的羧基或乙酰丙酮基。α表示3~10的整数、β表示0或1、γ表示0~8的整数、δ表示2~9的整数、ε表示0~6的整数、ζ表示6~16的整数、η表示0~4的整数、θ表示0~2的整数、ι表示0~6的整数。其中，α~ι表示满足5α=2(β+γ+δ+θ)+ε+ζ+ι的整数) MA(μ4-O)B(μ3-O)C(μ-O)D(μ-OtBu)E(OtBu)F (1) (式中，M表示铌原子或钽原子。A、B、C、D、E、F分别表示10、1、8、8、0、16或9、1、5、9、1、14的数值)

18. 发明专利

TWI440091B 半導體裝置之製造方法及基板處理系統有权
简体标题：半导体设备之制造方法及基板处理系统
公开(公告)号：TWI440091B
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW099121420
申请日：2010-06-30
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI-KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：小川有人 , OGAWA, ARITO , 堀井貞義 , HORII, SADAYOSHI , 佐藤武敏 , SATO, TAKETOSHI , 板谷秀治 , ITATANI, HIDEHARU , 三瀨信行 , MISE, NOBUYUKI , 外村修 , TONOMURA, OSAMU
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/31616 , C23C16/303 , C23C16/403 , C23C16/45525 , C23C16/54 , C23C16/56 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02194 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/31604 , H01L21/318 , H01L21/6719 , H01L21/67207 , H01L21/68785 , H01L28/40

19. 发明专利

TW201349343A 半導體元件之製造方法及基板處理系統审中-公开
简体标题：半导体组件之制造方法及基板处理系统
公开(公告)号：TW201349343A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102112010
申请日：2013-04-03
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：秋山浩二 , AKIYAMA, KOJI , 東島裕和 , HIGASHIJIMA, HIROKAZU , 田村知大 , TAMURA, TIHIRO , 青山真太郎 , AOYAMA, SHINTARO , 和村有 , WAMURA, YU
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/3105 , C23C14/08
CPC分类号： H01L21/02356 , C23C16/06 , C23C16/405 , C23C16/46 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/02194 , H01L21/022 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28158 , H01L21/28185 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L28/40 , H01L29/401 , H01L29/517
摘要：一種半導體元件之製造方法，包含有：於形成有源極．汲極及通道之被處理體上成膜出含有氧化鉿及氧化鋯之閘極絕緣膜的工序；將該絕緣膜以600℃以下之溫度來結晶化熱處理之工序；其中該結晶化熱處理後之該絕緣膜的比介電率為27以上。
简体摘要：一种半导体组件之制造方法，包含有：于形成有源极．汲极及信道之被处理体上成膜出含有氧化铪及氧化锆之闸极绝缘膜的工序；将该绝缘膜以600℃以下之温度来结晶化热处理之工序；其中该结晶化热处理后之该绝缘膜的比介电率为27以上。

20. 发明专利

TWI389207B 電容器、電介質結構及形成電介質結構之方法有权
简体标题：电容器、电介质结构及形成电介质结构之方法
公开(公告)号：TWI389207B
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：TW098132349
申请日：2009-09-24
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：洛克來諾爾 , ROCKLEIN, NOEL , 卡森克里斯M , CARLSON, CHRIS M. , 彼得森大衛 , PETERSON, DAVE , 楊庫宇 , YANG, CUNYU , 維黛安那森普雷文 , VAIDYANATHAN, PRAVEEN , 巴特維許瓦那斯 , BHAT, VISHWANATH
IPC分类号： H01L21/314 , H01L27/04 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01L21/28273 , H01L21/02175 , H01L21/02194 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/3142 , H01L27/10852 , H01L28/40 , H01L28/91 , H01L29/51 , H01L29/513 , H01L29/78

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