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11. 发明专利

TW200415961A 螺旋耦合的遠端電漿源 HELIX COUPLED REMOTE PLASMA SOURCE 审中-公开
简体标题：螺旋耦合的远程等离子源 HELIX COUPLED REMOTE PLASMA SOURCE
公开(公告)号：TW200415961A
公开(公告)日：2004-08-16
申请号：TW093102132
申请日：2004-01-30
申请人：艾克塞利斯科技公司 AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：摩哈曼德卡瑪瑞希 KAMAREHI, MOHAMMAD
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/32211 , H01J37/32192 , H01J37/32357
摘要：遠端電漿源採用螺旋線圈的慢波結構，以耦合微波能量至流動的氣體，而產生下游之基板處理(例如光阻剝除、灰化或蝕刻)所要用的電漿。系統也包括冷卻結構，以從電漿源元件移除多餘的熱。
简体摘要：远程等离子源采用螺旋线圈的慢波结构，以耦合微波能量至流动的气体，而产生下游之基板处理(例如光阻剥除、灰化或蚀刻)所要用的等离子。系统也包括冷却结构，以从等离子源组件移除多余的热。

12. 发明专利

TW201721083A 用以檢查聚焦環之系統、以及檢查聚焦環之方法审中-公开
简体标题：用以检查聚焦环之系统、以及检查聚焦环之方法
公开(公告)号：TW201721083A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105117911
申请日：2016-06-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：杉田吉平 , SUGITA, KIPPEI , 南朋秀 , MINAMI, TOMOHIDE
IPC分类号： G01B7/06 , H01L21/3065
CPC分类号： G01N27/24 , G01R27/2605 , G01R31/265 , G01R31/2831 , G01R31/318511 , H01J37/32009 , H01J37/321 , H01J37/32211
摘要：本發明之課題係提供一種用以檢查聚焦環之系統。本發明之一實施形態之系統係具備有測定器、搬送裝置以及運算裝置。測定器具有基底基板、感應器晶片以及電路基板。感應器晶片具有感應器電極，且沿著基底基板之邊緣而設。電路基板係對感應器電極供應高頻訊號，從感應器電極之電壓振幅取得表示靜電電容之數位值。搬送裝置係使得測定器進行掃描。運算裝置係藉由對於沿著和聚焦環之內緣成為交叉之方向之複數位置上由測定器所取得之複數數位值所做差分運算，來求出複數差分值。
简体摘要：本发明之课题系提供一种用以检查聚焦环之系统。本发明之一实施形态之系统系具备有测定器、搬送设备以及运算设备。测定器具有基底基板、感应器芯片以及电路基板。感应器芯片具有感应器电极，且沿着基底基板之边缘而设。电路基板系对感应器电极供应高频信号，从感应器电极之电压振幅取得表示静电电容之数码值。搬送设备系使得测定器进行扫描。运算设备系借由对于沿着和聚焦环之内缘成为交叉之方向之复数码置上由测定器所取得之复数数码值所做差分运算，来求出复数差分值。

13. 发明专利

TWI549156B 電漿處理裝置及微波導入裝置有权
简体标题：等离子处理设备及微波导入设备
公开(公告)号：TWI549156B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW101111097
申请日：2012-03-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：藤野豐 , FUJINO, YUTAKA , 植田篤 , UEDA, ATSUSHI , 尾崎成則 , OZAKI, SHIGENORI , 北川淳一 , KITAGAWA, JUNICHI
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32201 , C23C16/511 , H01J37/32211 , H01J37/32238 , H01J37/32431 , H05H1/46 , H05H2001/463

14. 发明专利

TWI361449B 微波激勵型電漿處理設備 MICROWAVE- EXCITED PLASMA PROCESSING APPARATUS 有权
简体标题：微波激励型等离子处理设备 MICROWAVE- EXCITED PLASMA PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TWI361449B
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW093134502
申请日：2004-11-11
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：田口洋治 , 吉田麻衣子 , 草場康太 , 篠原己拔 , 松尾宗和 , 渡邊一弘
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： H01J37/32211 , H01J37/32192
摘要：一種微波激勵型電漿處理設備由於使用經矩形波導切割出來的多數狹縫，而顯示一寬壓力範圍及可應用之寬電力範圍，以作為放電並具有一分佈，以允許電場及磁場微波直接均勻地形成在微波天線下之微波引入窗下。該微波激勵處理特徵係特徵於具有四個由矩形波導壁面所切割出來之橢圓狹縫，該壁面係被保持與真空室的頂壁微波引入窗接觸，該四個橢圓狹縫係分別被安排沿著大致正方形之四側排列。
简体摘要：一种微波激励型等离子处理设备由于使用经矩形波导切割出来的多数狭缝，而显示一宽压力范围及可应用之宽电力范围，以作为放电并具有一分布，以允许电场及磁场微波直接均匀地形成在微波天线下之微波引入窗下。该微波激励处理特征系特征于具有四个由矩形波导壁面所切割出来之椭圆狭缝，该壁面系被保持与真空室的顶壁微波引入窗接触，该四个椭圆狭缝系分别被安排沿着大致正方形之四侧排列。

15. 发明专利

TW201142075A 利用微波產生電漿的方法 VORRICHTUNG ZUR ERZEUGUNG VON PLASMA MITTELS MIKROWELLEN 审中-公开
简体标题：利用微波产生等离子的方法 VORRICHTUNG ZUR ERZEUGUNG VON PLASMA MITTELS MIKROWELLEN
公开(公告)号：TW201142075A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW099138423
申请日：2010-11-09
申请人：羅斯及勞穆格公司
发明人：穆格霍斯特 , 包姆格特納克勞斯馬丁 , 凱薩馬蹄雅斯 , 艾柏茲魯卡斯
IPC分类号： C23C , H05H
CPC分类号： H01J37/32211 , C23C16/511 , H01J37/32192
摘要：一種利用微波產生電漿的裝置，以將一基材作化學蒸鍍，具有一低壓室及一設在該低壓室中的電導體，一股反應氣體可供應到該低壓室中，該電導體與一用於耦合微波的耦合裝置連接，其中：該電導體(3)兩端各與一用於微含微波的耦合裝置(6)連接，該電導體與一電壓源(7)連接，利用該電壓源(7)在該電導體(3)與周圍的低壓容器(2)之間可產生一電位差。且該電導體(3)對該用於耦合微波(6)的耦合裝置(6)係呈電絕緣及解耦者。該電導體(3)具棒形造型或彎曲走勢。該電導體(3)經由一貫穿過濾器與該電壓源(7)連接。該用於耦合微波的耦合裝置(6)呈漏斗狀朝向該電導體(3)變寬且部分地或完全充以一種介電材料。此用於耦合微波(6)的裝置(6)具有沿一周圍延伸的槽形凹隙。(圖1)
简体摘要：一种利用微波产生等离子的设备，以将一基材作化学蒸镀，具有一低压室及一设在该低压室中的电导体，一股反应气体可供应到该低压室中，该电导体与一用于耦合微波的耦合设备连接，其中：该电导体(3)两端各与一用于微含微波的耦合设备(6)连接，该电导体与一电压源(7)连接，利用该电压源(7)在该电导体(3)与周围的低压容器(2)之间可产生一电位差。且该电导体(3)对该用于耦合微波(6)的耦合设备(6)系呈电绝缘及解耦者。该电导体(3)具棒形造型或弯曲走势。该电导体(3)经由一贯穿过滤器与该电压源(7)连接。该用于耦合微波的耦合设备(6)呈漏斗状朝向该电导体(3)变宽且部分地或完全充以一种介电材料。此用于耦合微波(6)的设备(6)具有沿一周围延伸的槽形凹隙。(图1)

16. 发明专利

TWI323783B 利用從試料放出的電子進行試料的檢查所使用的照像投影型電子束裝置、試料評價方法以及使用該試料評價方法的半導體裝置製造方法 MAPPING PROJECTION TYPE ELECTRON BEAM APPARATUS FOR SAMPLE INSPECTION BY ELECTRON EMITTED FROM THE SAMPLE,SAMPLE EVALUATION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING USING SAME 有权
简体标题：利用从试料放出的电子进行试料的检查所使用的照像投影型电子束设备、试料评价方法以及使用该试料评价方法的半导体设备制造方法 MAPPING PROJECTION TYPE ELECTRON BEAM APPARATUS FOR SAMPLE INSPECTION BY ELECTRON EMITTED FROM THE SAMPLE,SAMPLE EVALUATION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING USING SAME
公开(公告)号：TWI323783B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：TW093101710
申请日：2004-01-27
申请人：荏原製作所股份有限公司 , 東芝股份有限公司
发明人：渡邊賢治 , 村上武司 , 畠山雅規 , 平林芳尚 , 佐竹徹 , 野路伸治 , 山崎裕一郎 , 長濱一郎太
IPC分类号： G01N , H01L
CPC分类号： H01J37/32211 , G01N23/225 , H01J37/32357 , H01J2237/2441 , H01J2237/2446
摘要：本發明提供一種可精密度高、可靠性高且生產量高地檢查試料上之圖案缺陷之電子束裝置以及使用該裝置之半導體裝置製造方法。電子束裝置係使一次電子束照射於試料上，並使從試料放出之反射電子成像於檢測器上，以觀察或評價試料表面之照像投影型電子束裝置。作為用以檢測反射電子之檢測器，係使用電子撞擊型CCD以及電子撞擊型TDI等電子撞擊型檢測器，利用試料所放出之反射電子與二次電子之能量差，選擇性檢測反射電子。為了消除因一次電子束照射而產生於試料表面之充電現象，在試料表面上方覆蓋遮罩，對該遮罩所覆蓋之試料表面上方空間，均勻供給氣體。使該氣體與試料表面接觸，從而減低試料表面之充電現象。 Provided is an electron-beam apparatus for inspecting the defects of pattern on a sample in high accuracy, high reliability and high throughput, and a method for manufacturing a semiconductor using the apparatus is also disclosed. The electron-beam apparatus is of maping projection type which irradiates the primary electron beam onto a sample to image the electron reflected from the sample on the inspector, so that the sample surface can be observed and evaluated. An electron-bombard type inspector, such as a electron bombard type CCD or TD1 may be used as an inspector for inspecting the reflected electron. The reflected electron can be selectively inspected from the energy difference between the reflected electro-emttied from the sample and the secondary electron. In order to cancel the charge up occurred on the sample surface due to the irradiation of primary electron beam, the sample surface is covered, and the space over the covered sample surface is evenly supplied with gas. The charge up of sample surface is reduced by contacting the surface with gas. 【創作特點】特別是在反射電子之檢測器上，若使用高感度之電子撞擊(EB：Electron-Bombardment)型CCD(以下稱EB-CCD)，則可在電流量、MCP增益與以往同等位準之條件下，改善S/N比，並可取得在使用以往之MCP之情況下所發生之無倍增晃動之高感度圖像。並且，EB-CCD根據向該CCD之電子射入能量決定倍增增益，因此若使用EB-CCD，則利用二次電子與反射電子之能量差，可選擇性取出反射電子。
因此，作為本發明之一目的，係根據前述之見解，為了解決以往之檢測裝置之課題，而提供一種可精密度高、可靠性高且生產量高地檢查試料上之缺陷之電子束裝置。
本發明之另一目的，係提供一種，於無充電之狀態下，在試料整面進行表面之觀察．評價以及缺陷檢測之電子束裝置。
並且，本發明以提供一種使用前述電子束裝置之半導體裝置製造方法為目的。
為實現上述目的，有關本發明之一樣態，係提供一種在試料上照射一次電子束，將該試料所放出之反射成像在檢測器上，從而觀察並評價前述試料之表面之照像投影型電子束裝置；其中，作為用以檢測前述反射電子之前述檢測器，具備電子撞擊型CCD(電荷耦合裝置)以及電子撞擊型TD1(延時積分裝置)等之電子撞擊型檢測器，並透過前述試料所放出之前述反射電子與二次電子之能量差，選擇性檢測前述反射電子之電子束裝置。
理想情況下，復具備對前述電子撞擊型檢測器之輸出進行圖像處理，並輸出評價．檢查用圖像之圖像處理機構，透過使前述一次電子束射入於前述試料之射入能量設成可變之特點，調節前述電子撞擊型檢測器之增益以及前述評價．檢查用圖像之曝光量。
理想情況下，將前述一次電子束射入於前述試料之射入能量設為2至4keV，並使前述試料之表面負帶電，所以可以減低因前述試料表面充電所致之圖像失真。
理想情況下，使前述一次電子束在前述試料之沉陷能量(landing energy)設為0.2至0.4kV，所以可透過檢測前述反射電子與後方散射電子，提高S/N比。
理想情況下，更具備冷卻前述電子撞擊型檢測器以減低因電子撞擊所造成之發熱之冷卻機構。
有關本發明之其他樣態，係提供一種向試料室內所配置之試料表面照射一次電子束，並根據來自試料表面之二次電子束進行試料表面之觀察、評價等的電子束裝置，其中，具有以均勻覆蓋試料表面整體之方式供給氣體之機構，透過試料表面與氣體之接觸，減低試料表面之充電。
該電子束裝置，可透過均勻地供給之氣體，均勻地減低試料表面所產生的充電。具體而言，試料係放置於試料室內所設置之試料台(stage)上，而供給前述氣體之機構，係具備在試料室內覆蓋該試料之遮罩。該遮罩至少設有一個氣體導入口，通過該氣體導入口，向由遮罩圍成之試料上部空間供給氣體，因此，藉由該氣體可將試料表面最好為試料表面整體均勻覆蓋，從而謀求充電之減低。
更具體而言，用以產生一次電子束之一次電子源，係設有電子照射試料表面之電子源。根據二次電子放射率不同，試料表面將受到負或正充電，不論何種情況，首先，先透過前述電子源之電子照射，使試料表面處於負帶電狀態，再透過前述氣體中和該負帶電狀態。一次電子源以外所設置之前述電子源，最好是以2至4keV之電子能量電子照射試料之電子源，或是碳奈米管(carbon nanotube)型冷陰極電子源。
並且，本發明中，係提供一種以一次電子束照射試料表面，根據來自該表面之二次電子束，進行觀察．評價該試料表面之試料評價方法，其中，為中和受負充電之試料表面，以均勻覆蓋試料表面整體之方式供給氣體，使氣體壓力成為0.01至0.1Pa。該氣體壓可適當中和試料表面。導入試料室內之氣體，則為氮氣、水蒸氣、電子親和力高的鹵族氣體、或是這些氣體之化合物中任一者較為理想。並且，該種方法中，準備有一次電子束發生源以外之電子源，用來自該電子源之電子線照射試料，藉此，對試料表面作成負充電狀態，在進行透過前述氣體之中和後，可透過一次電子束實施對試料表面之觀察．評價等。
本發明復使用如前所述之電子束裝置、方法，提供一種進行製程途中之矽晶圓評價之半導體裝置製造方法。該半導體裝置之製造方法，不受試料表面所產生之充電之影響，在進行適當之矽晶圓評價之同時，可進行高效率之半導體裝置之製造。
本發明之前述以及其他目的以及特徵，參照附圖同時閱讀以下詳細說明時，可更好地理解。
简体摘要：本发明提供一种可精密度高、可靠性高且生产量高地检查试料上之图案缺陷之电子束设备以及使用该设备之半导体设备制造方法。电子束设备系使一次电子束照射于试料上，并使从试料放出之反射电子成像于检测器上，以观察或评价试料表面之照像投影型电子束设备。作为用以检测反射电子之检测器，系使用电子撞击型CCD以及电子撞击型TDI等电子撞击型检测器，利用试料所放出之反射电子与二次电子之能量差，选择性检测反射电子。为了消除因一次电子束照射而产生于试料表面之充电现象，在试料表面上方覆盖遮罩，对该遮罩所覆盖之试料表面上方空间，均匀供给气体。使该气体与试料表面接触，从而减低试料表面之充电现象。 Provided is an electron-beam apparatus for inspecting the defects of pattern on a sample in high accuracy, high reliability and high throughput, and a method for manufacturing a semiconductor using the apparatus is also disclosed. The electron-beam apparatus is of maping projection type which irradiates the primary electron beam onto a sample to image the electron reflected from the sample on the inspector, so that the sample surface can be observed and evaluated. An electron-bombard type inspector, such as a electron bombard type CCD or TD1 may be used as an inspector for inspecting the reflected electron. The reflected electron can be selectively inspected from the energy difference between the reflected electro-emttied from the sample and the secondary electron. In order to cancel the charge up occurred on the sample surface due to the irradiation of primary electron beam, the sample surface is covered, and the space over the covered sample surface is evenly supplied with gas. The charge up of sample surface is reduced by contacting the surface with gas. 【创作特点】特别是在反射电子之检测器上，若使用高感度之电子撞击(EB：Electron-Bombardment)型CCD(以下称EB-CCD)，则可在电流量、MCP增益与以往同等位准之条件下，改善S/N比，并可取得在使用以往之MCP之情况下所发生之无倍增晃动之高感度图像。并且，EB-CCD根据向该CCD之电子射入能量决定倍增增益，因此若使用EB-CCD，则利用二次电子与反射电子之能量差，可选择性取出反射电子。因此，作为本发明之一目的，系根据前述之见解，为了解决以往之检测设备之课题，而提供一种可精密度高、可靠性高且生产量高地检查试料上之缺陷之电子束设备。本发明之另一目的，系提供一种，于无充电之状态下，在试料整面进行表面之观察．评价以及缺陷检测之电子束设备。并且，本发明以提供一种使用前述电子束设备之半导体设备制造方法为目的。为实现上述目的，有关本发明之一样态，系提供一种在试料上照射一次电子束，将该试料所放出之反射成像在检测器上，从而观察并评价前述试料之表面之照像投影型电子束设备；其中，作为用以检测前述反射电子之前述检测器，具备电子撞击型CCD(电荷耦合设备)以及电子撞击型TD1(延时积分设备)等之电子撞击型检测器，并透过前述试料所放出之前述反射电子与二次电子之能量差，选择性检测前述反射电子之电子束设备。理想情况下，复具备对前述电子撞击型检测器之输出进行图像处理，并输出评价．检查用图像之图像处理机构，透过使前述一次电子束射入于前述试料之射入能量设成可变之特点，调节前述电子撞击型检测器之增益以及前述评价．检查用图像之曝光量。理想情况下，将前述一次电子束射入于前述试料之射入能量设为2至4keV，并使前述试料之表面负带电，所以可以减低因前述试料表面充电所致之图像失真。理想情况下，使前述一次电子束在前述试料之沉陷能量(landing energy)设为0.2至0.4kV，所以可透过检测前述反射电子与后方散射电子，提高S/N比。理想情况下，更具备冷却前述电子撞击型检测器以减低因电子撞击所造成之发热之冷却机构。有关本发明之其他样态，系提供一种向试料室内所配置之试料表面照射一次电子束，并根据来自试料表面之二次电子束进行试料表面之观察、评价等的电子束设备，其中，具有以均匀覆盖试料表面整体之方式供给气体之机构，透过试料表面与气体之接触，减低试料表面之充电。该电子束设备，可透过均匀地供给之气体，均匀地减低试料表面所产生的充电。具体而言，试料系放置于试料室内所设置之试料台(stage)上，而供给前述气体之机构，系具备在试料室内覆盖该试料之遮罩。该遮罩至少设有一个气体导入口，通过该气体导入口，向由遮罩围成之试料上部空间供给气体，因此，借由该气体可将试料表面最好为试料表面整体均匀覆盖，从而谋求充电之减低。更具体而言，用以产生一次电子束之一次电子源，系设有电子照射试料表面之电子源。根据二次电子放射率不同，试料表面将受到负或正充电，不论何种情况，首先，先透过前述电子源之电子照射，使试料表面处于负带电状态，再透过前述气体中和该负带电状态。一次电子源以外所设置之前述电子源，最好是以2至4keV之电子能量电子照射试料之电子源，或是碳奈米管(carbon nanotube)型冷阴极电子源。并且，本发明中，系提供一种以一次电子束照射试料表面，根据来自该表面之二次电子束，进行观察．评价该试料表面之试料评价方法，其中，为中和受负充电之试料表面，以均匀覆盖试料表面整体之方式供给气体，使气体压力成为0.01至0.1Pa。该气体压可适当中和试料表面。导入试料室内之气体，则为氮气、水蒸气、电子亲和力高的卤族气体、或是这些气体之化合物中任一者较为理想。并且，该种方法中，准备有一次电子束发生源以外之电子源，用来自该电子源之电子线照射试料，借此，对试料表面作成负充电状态，在进行透过前述气体之中和后，可透过一次电子束实施对试料表面之观察．评价等。本发明复使用如前所述之电子束设备、方法，提供一种进行制程途中之硅晶圆评价之半导体设备制造方法。该半导体设备之制造方法，不受试料表面所产生之充电之影响，在进行适当之硅晶圆评价之同时，可进行高效率之半导体设备之制造。本发明之前述以及其他目的以及特征，参照附图同时阅读以下详细说明时，可更好地理解。

17. 发明专利

TW200737342A 微波導入裝置审中-公开
简体标题：微波导入设备
公开(公告)号：TW200737342A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW095143597
申请日：2006-11-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田才忠 TIAN, CAI ZHONG , 湯淺珠樹 YUASA, TAMAKI , 野澤俊久 NOZAWA, TOSHIHISA
IPC分类号： H01L , H05H , C23C
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32211
摘要：本發明為微波導入裝置,具備:用以產生特定頻率之微波之微波產生器;用以將前述微波變換成特定振動模式之模式變換器;朝向特定空間配設之平面天線構件;以及連結前述模式變換器及前述平面天線構件之用以傳播前述微波之同軸導波管,其特徵為:前述同軸導波管之中心導體係以筒狀方式形成,前述中心導體之內徑D1為第1特定値以上,前述同軸導波管之外側導體亦以筒狀方式形成,前述外側導體之內徑之半徑r1及前述中心導體之外徑之半徑r2之比r1/r2維持為第2特定値,前述外側導體之內徑D2為第3特定値以下。
简体摘要：本发明为微波导入设备,具备:用以产生特定频率之微波之微波产生器;用以将前述微波变换成特定振动模式之模式变换器;朝向特定空间配设之平面天线构件;以及链接前述模式变换器及前述平面天线构件之用以传播前述微波之同轴导波管,其特征为:前述同轴导波管之中心导体系以筒状方式形成,前述中心导体之内径D1为第1特定値以上,前述同轴导波管之外侧导体亦以筒状方式形成,前述外侧导体之内径之半径r1及前述中心导体之外径之半径r2之比r1/r2维持为第2特定値,前述外侧导体之内径D2为第3特定値以下。

18. 发明专利

TW200417729A 利用從試料放出的電子進行試料的檢查所用的照像投影型電子束裝置 MAPPING PROJECTION TYPE ELECTRON BEAM APPARATUS FOR SAMPLE INSPECTION BY ELECTRON EMITTED FROM THE SAMPLE 审中-公开
简体标题：利用从试料放出的电子进行试料的检查所用的照像投影型电子束设备 MAPPING PROJECTION TYPE ELECTRON BEAM APPARATUS FOR SAMPLE INSPECTION BY ELECTRON EMITTED FROM THE SAMPLE
公开(公告)号：TW200417729A
公开(公告)日：2004-09-16
申请号：TW093101710
申请日：2004-01-27
申请人：荏原製作所股份有限公司 EBARA CORPORATION , 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：渡邊賢治 WATANABE, KENJI , 村上武司 MURAKAMI, TAKESHI , 山雅規 HATAKEYAMA, MASAHIRO , 平林芳尚 HIRABAYASHI, YOSHINAO , 佐竹徹 SATAKE, TORU , 野路伸治 NOJI, NOBUHARU , 山崎裕一郎 YAMAZAKI, YUICHIRO , 長濱一郎太 NAGAHAMA, ICHIROTA
IPC分类号： G01N , H01L
CPC分类号： H01J37/32211 , G01N23/225 , H01J37/32357 , H01J2237/2441 , H01J2237/2446
摘要：本發明提供一種可精密度高、可靠性高且生產量高地檢查試料上之圖案缺陷之電子束裝置以及使用該裝置之半導體裝置製造方法。電子束裝置係使一次電子束照射於試料上，並使從試料放出之反射電子成像於檢測器上，以觀察或評價試料表面之照像投影型電子束裝置。作為用以檢測反射電子之檢測器，係使用電子撞擊型CCD以及電子撞擊型TDI等電子撞擊型檢測器，利用試料所放出之反射電子與二次電子之能量差，選擇性檢測反射電子。為了消除因一次電子束照射而產生於試料表面之充電現象，在試料表面上方覆蓋遮罩，對該遮罩所覆蓋之試料表面上方空間，均勻供給氣體。使該氣體與試料表面接觸，從而減低試料表面之充電現象。
简体摘要：本发明提供一种可精密度高、可靠性高且生产量高地检查试料上之图案缺陷之电子束设备以及使用该设备之半导体设备制造方法。电子束设备系使一次电子束照射于试料上，并使从试料放出之反射电子成像于检测器上，以观察或评价试料表面之照像投影型电子束设备。作为用以检测反射电子之检测器，系使用电子撞击型CCD以及电子撞击型TDI等电子撞击型检测器，利用试料所放出之反射电子与二次电子之能量差，选择性检测反射电子。为了消除因一次电子束照射而产生于试料表面之充电现象，在试料表面上方覆盖遮罩，对该遮罩所覆盖之试料表面上方空间，均匀供给气体。使该气体与试料表面接触，从而减低试料表面之充电现象。

19. 实用新型

TW397320U 電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW397320U
公开(公告)日：2000-07-01
申请号：TW088203124
申请日：1995-08-28
申请人：住友金屬工業股份有限公司
发明人：馬博嗣 , 吉識隆裕 , 松本直樹 , 小町恭一 , 江敏樹 , 金山修太
IPC分类号： H05H , H01J , H01L
CPC分类号： H01J37/32211 , H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/32238
摘要：本創作係對於半導體元件基板，液晶顯示器用玻璃基板等之大面積的基板，予以實施蝕刻，灰化(ashing)及 CVD(化學汽相澱積)等之電漿處理之電漿處理裝置。
此電漿處理裝置具備電介質層，而該電介質層乃被分割為複數之電介質層，且個別被分割之電介質層連接有微波導波(波導)路為其特徵。
由於構成如此，可令液晶顯示器用玻璃基板等之大面積基板，能形成穩定且以簡單之結構來均勻地實施電漿處理。
简体摘要：本创作系对于半导体组件基板，液晶显示器用玻璃基板等之大面积的基板，予以实施蚀刻，灰化(ashing)及 CVD(化学汽相淀积)等之等离子处理之等离子处理设备。此等离子处理设备具备电介质层，而该电介质层乃被分割为复数之电介质层，且个别被分割之电介质层连接有微波导波(波导)路为其特征。由于构成如此，可令液晶显示器用玻璃基板等之大面积基板，能形成稳定且以简单之结构来均匀地实施等离子处理。

20. 发明专利

TWI523584B 電磁波供電機構及微波導入機構有权
简体标题：电磁波供电机构及微波导入机构
公开(公告)号：TWI523584B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW100101645
申请日：2011-01-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：池田太郎 , IKEDA, TARO , 長田勇輝 , OSADA, YUKI , 河西繁 , KASAI, SHIGERU
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/31 , H01P5/08
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32211 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H01J37/32293 , H01J37/32311 , H01Q15/0006 , H05H2001/4622 , H05H2001/463

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