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11. 发明专利

TW201133727A 晶片封裝體及其製造方法 CHIP PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：芯片封装体及其制造方法 CHIP PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201133727A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW100102239
申请日：2011-01-21
申请人：精材科技股份有限公司
发明人：倪慶羽 , 徐長生
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/78 , B81B7/0051 , B81C2203/0118 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/585 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/93 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/0231 , H01L2224/02313 , H01L2224/02371 , H01L2224/02377 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/11002 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/2732 , H01L2224/27618 , H01L2224/29082 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/83005 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/8385 , H01L2224/92 , H01L2224/93 , H01L2224/94 , H01L2224/95 , H01L2224/95001 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2224/83 , H01L2224/11 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
摘要：本發明實施例係有關於一種晶片封裝體及其製造方法,晶片封裝體包括具有晶粒的半導體基底,封裝層設置於半導體基底之上,以及間隔層設置於半導體基底與封裝層之間,其中由半導體基底、間隔層與封裝層所構成之表面具有凹陷部。晶片封裝體的製造方法包括在半導體晶圓的複數個晶粒與封裝層之間形成複數個間隔層,其中對應每一晶粒的每一間隔層係互相分離,且此間隔層自晶粒邊緣向內退縮形成凹陷部,以及沿著相鄰兩個晶粒之間的切割道分割半導體晶圓,形成複數個晶片封裝體。
简体摘要：本发明实施例系有关于一种芯片封装体及其制造方法,芯片封装体包括具有晶粒的半导体基底,封装层设置于半导体基底之上,以及间隔层设置于半导体基底与封装层之间,其中由半导体基底、间隔层与封装层所构成之表面具有凹陷部。芯片封装体的制造方法包括在半导体晶圆的复数个晶粒与封装层之间形成复数个间隔层,其中对应每一晶粒的每一间隔层系互相分离,且此间隔层自晶粒边缘向内退缩形成凹陷部,以及沿着相邻两个晶粒之间的切割道分割半导体晶圆,形成复数个芯片封装体。

12. 发明专利

TW201123321A 電子元件封裝體及其製作方法 ELECTRONIC DEVICE PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：电子组件封装体及其制作方法 ELECTRONIC DEVICE PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201123321A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW098143076
申请日：2009-12-16
申请人：精材科技股份有限公司
发明人：蔡佳倫 , 倪慶羽 , 黃田昊 , 鄭家明 , 錢文正 , 林南君 , 陳偉銘 , 張恕銘 , 樓百堯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/20 , H01L2224/32145 , H01L2224/73267 , H01L2924/00012
摘要：本發明提供一種電子元件封裝體及其製作方法，上述電子元件封裝體，包括一承載晶圓；一電子元件晶片，設置於上述承載晶圓上方，其中上述電子元件晶片上設有複數個導電墊；一隔絕疊層，其包括一下層之第一隔絕層和一上層之第二隔絕層，上述第一隔絕層覆蓋上述承載晶圓及上述電子元件晶片，其中上述隔絕疊層具有複數個開口，以分別暴露出上述些導電墊；複數個彼此隔絕的重佈線路圖案，順應性形成於上述隔絕疊層上及上述開口中，且分別電性連接上述些導電墊；複數個導電凸塊，分別形成於上述些重佈線路圖案上，並電性連接上述些導電墊。
简体摘要：本发明提供一种电子组件封装体及其制作方法，上述电子组件封装体，包括一承载晶圆；一电子组件芯片，设置于上述承载晶圆上方，其中上述电子组件芯片上设有复数个导电垫；一隔绝叠层，其包括一下层之第一隔绝层和一上层之第二隔绝层，上述第一隔绝层覆盖上述承载晶圆及上述电子组件芯片，其中上述隔绝叠层具有复数个开口，以分别暴露出上述些导电垫；复数个彼此隔绝的重布线路图案，顺应性形成于上述隔绝叠层上及上述开口中，且分别电性连接上述些导电垫；复数个导电凸块，分别形成于上述些重布线路图案上，并电性连接上述些导电垫。

13. 发明专利

TW201121010A 晶片封裝體及其製造方法 CHIP PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：芯片封装体及其制造方法 CHIP PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201121010A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：TW098145454
申请日：2009-12-29
申请人：精材科技股份有限公司
发明人：倪慶羽 , 鄭家明 , 林南君
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/498 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L24/06 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/16195 , H01L2924/16235 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本發明實施例係有關於一種晶片封裝體及其製造方法，晶片封裝體包括一含有晶片的半導體基底，具有元件區和周邊接墊區，複數個導電墊設置於周邊接墊區上，晶片保護層覆蓋於半導體基底上，暴露出該些導電墊，絕緣保護層形成於元件區的晶片保護層上，以及封裝層設置於絕緣保護層之上，暴露出該些導電墊及位於周邊接墊區的晶片保護層。在另一實施例中，晶片封裝體的製造方法包括在切割製程中形成絕緣保護層覆蓋導電墊，以及利用封裝層的開口除去導電墊上方的絕緣保護層。
简体摘要：本发明实施例系有关于一种芯片封装体及其制造方法，芯片封装体包括一含有芯片的半导体基底，具有组件区和周边接垫区，复数个导电垫设置于周边接垫区上，芯片保护层覆盖于半导体基底上，暴露出该些导电垫，绝缘保护层形成于组件区的芯片保护层上，以及封装层设置于绝缘保护层之上，暴露出该些导电垫及位于周边接垫区的芯片保护层。在另一实施例中，芯片封装体的制造方法包括在切割制程中形成绝缘保护层覆盖导电垫，以及利用封装层的开口除去导电垫上方的绝缘保护层。

14. 发明专利

TW201041089A 功率金氧半場效電晶體封裝體 POWER MOSFET PACKAGE 审中-公开
简体标题：功率金氧半场效应管封装体 POWER MOSFET PACKAGE
公开(公告)号：TW201041089A
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：TW098142030
申请日：2009-12-09
申请人：精材科技股份有限公司
发明人：彭寶慶 , 溫英男 , 張恕銘 , 倪慶羽 , 謝昀叡 , 陳偉銘 , 蔡佳倫 , 鄭家明
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/78 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/492 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L29/0646 , H01L29/0653 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/7802 , H01L29/7809 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05572 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , H01L2924/01021 , H01L2924/13091 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099
摘要：本發明實施例提供一種功率金氧半場效電晶體封裝體,包括半導體基底,具有第一表面及相反之第二表面,半導體基底之導電型式為第一導電型式,且半導體基底形成汲極區;摻雜區,自第一表面向下延伸,摻雜區之導電型式為第二導電型式;源極區,位於摻雜區中,源極區之導電型式為第一導電型式;閘極,形成於第一表面上或埋於該第一表面內,且與半導體基底之間隔有閘極介電層;第一導電結構,位於半導體基底之上,第一導電結構具有第一端點,且與汲極區電性連接;第二導電結構,位於半導體基底之上,第二導電結構具有第二端點,且與源極區電性連接;第三導電結構,位於半導體基底之上,第三導電結構具有第三端點,且與閘極電性連接,其中第一端點、第二端點、及第三端點大抵共平面;以及保護層,位於半導體基底與第一端點、第二端點、及第三端點之間。
简体摘要：本发明实施例提供一种功率金氧半场效应管封装体,包括半导体基底,具有第一表面及相反之第二表面,半导体基底之导电型式为第一导电型式,且半导体基底形成汲极区;掺杂区,自第一表面向下延伸,掺杂区之导电型式为第二导电型式;源极区,位于掺杂区中,源极区之导电型式为第一导电型式;闸极,形成于第一表面上或埋于该第一表面内,且与半导体基底之间隔有闸极介电层;第一导电结构,位于半导体基底之上,第一导电结构具有第一端点,且与汲极区电性连接;第二导电结构,位于半导体基底之上,第二导电结构具有第二端点,且与源极区电性连接;第三导电结构,位于半导体基底之上,第三导电结构具有第三端点,且与闸极电性连接,其中第一端点、第二端点、及第三端点大抵共平面;以及保护层,位于半导体基底与第一端点、第二端点、及第三端点之间。

15. 发明专利

TW201034132A 電子元件封裝體及其形成方法 PACKAGE STRUCTURE FOR ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME 审中-公开
简体标题：电子组件封装体及其形成方法 PACKAGE STRUCTURE FOR ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW201034132A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW098108172
申请日：2009-03-13
申请人：精材科技股份有限公司
发明人：錢文正 , 倪慶羽 , 張恕銘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82005 , H01L2224/92244 , H01L2924/15153 , H01L2924/18162
摘要：本發明實施例提供一種電子元件封裝體，包括一具有電子元件之基底，其中此基底具有第一表面與相反之第二表面；以及一上封裝層，直接液態固化形成於第一表面上，且上封裝層與第一表面之間不含黏著劑，其中由液態固化的上封裝層具有平坦的上表面，且由液態固化的上封裝層透光率大於90％。
简体摘要：本发明实施例提供一种电子组件封装体，包括一具有电子组件之基底，其中此基底具有第一表面与相反之第二表面；以及一上封装层，直接液态固化形成于第一表面上，且上封装层与第一表面之间不含黏着剂，其中由液态固化的上封装层具有平坦的上表面，且由液态固化的上封装层透光率大于90％。

16. 发明专利

TW200950132A 發光元件的封裝結構及其製造方法 LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE STRUCTURE AND FABRICATING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：发光组件的封装结构及其制造方法 LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE STRUCTURE AND FABRICATING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200950132A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW097119132
申请日：2008-05-23
申请人：精材科技股份有限公司
发明人：蔡佳倫 , 倪慶羽 , 錢文正 , 吳上義 , 周正德
IPC分类号： H01L
摘要：一種發光元件的封裝結構，包括：一發光元件晶片；一第一電極層，設置於上述發光元件晶片的第一表面上；一第二電極層，設置於上述發光元件晶片的第二表面上；一蓋板，覆蓋上述發光元件晶片之發光面；一絕緣層，包覆上述發光元件晶片的側面和背面；一第一導線層，電性連接上述第一電極層，並沿著上述絕緣層延伸至上述發光元件晶片的背面；一第二導線層，電性連接上述第二電極層，其中上述第二導線層位於上述絕緣層上，並沿著上述絕緣層延伸至上述發光元件晶片的背面。
简体摘要：一种发光组件的封装结构，包括：一发光组件芯片；一第一电极层，设置于上述发光组件芯片的第一表面上；一第二电极层，设置于上述发光组件芯片的第二表面上；一盖板，覆盖上述发光组件芯片之发光面；一绝缘层，包复上述发光组件芯片的侧面和背面；一第一导线层，电性连接上述第一电极层，并沿着上述绝缘层延伸至上述发光组件芯片的背面；一第二导线层，电性连接上述第二电极层，其中上述第二导线层位于上述绝缘层上，并沿着上述绝缘层延伸至上述发光组件芯片的背面。

17. 发明专利

TW201108391A 電子裝置及其製造方法 ELECTRONIC DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：电子设备及其制造方法 ELECTRONIC DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201108391A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW098128010
申请日：2009-08-20
申请人：精材科技股份有限公司
发明人：倪慶羽
IPC分类号： H01L , H05K
摘要：本發明之實施例係有關於一種電子裝置及其製造方法,電子裝置係包括:玻璃基底;圖案化半導體基底,具有至少一開口,設置於玻璃基底上;及至少一被動元件,具有第一導電層及第二導電層,其中第一導電層係位於圖案化半導體基底與玻璃基底之間。
简体摘要：本发明之实施例系有关于一种电子设备及其制造方法,电子设备系包括:玻璃基底;图案化半导体基底,具有至少一开口,设置于玻璃基底上;及至少一被动组件,具有第一导电层及第二导电层,其中第一导电层系位于图案化半导体基底与玻璃基底之间。

18. 发明专利

TW200950036A 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200950036A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW097118087
申请日：2008-05-16
申请人：精材科技股份有限公司
发明人：蔡佳倫 , 倪慶羽 , 陳志傑 , 錢文正
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/13
摘要：本發明揭露一種半導體裝置，包含：一半導體晶片，具有一第一表面；一導電電極，曝露於該第一表面；一保護層，覆蓋該半導體晶片，該保護層具有貫穿的一保護層開口於該導電電極上；一重佈線路層於該保護層上，該重佈線路層經由該保護層開口電性連接該導電電極，該重佈線路層具有一鋁層；一鎳/金層於該重佈線路層的該鋁層的上表面；以及一防銲層於該保護層與該重佈線路層上，曝露出該重佈線路層的一端點及其上方的該鎳/金層。
简体摘要：本发明揭露一种半导体设备，包含：一半导体芯片，具有一第一表面；一导电电极，曝露于该第一表面；一保护层，覆盖该半导体芯片，该保护层具有贯穿的一保护层开口于该导电电极上；一重布线路层于该保护层上，该重布线路层经由该保护层开口电性连接该导电电极，该重布线路层具有一铝层；一镍/金层于该重布线路层的该铝层的上表面；以及一防焊层于该保护层与该重布线路层上，曝露出该重布线路层的一端点及其上方的该镍/金层。

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