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11. 发明专利

TWI514651B 電極材料、電極及二次電池有权
简体标题：电极材料、电极及二次电池
公开(公告)号：TWI514651B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW101139509
申请日：2012-10-25
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：桂翔生 , KATSURA, SHO , 細川護 , HOSOKAWA, MAMORU , 高田悟 , TAKADA, SATORU , 鈴木順 , SUZUKI, JUN , 佐藤俊樹 , SATO, TOSHIKI
IPC分类号： H01M4/02
CPC分类号： H01M4/625 , H01M4/13 , H01M4/661 , H01M4/663 , H01M4/667 , H01M4/668 , H01M10/0525 , H01M2004/021

12. 发明专利

TW201320453A 電極材料及其製造方法审中-公开
简体标题：电极材料及其制造方法
公开(公告)号：TW201320453A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101121580
申请日：2012-06-15
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：細川護 , HOSOKAWA, MAMORU , 高田悟 , TAKADA, SATORU , 桂翔生 , KATSURA, SHO , 鈴木順 , SUZUKI, JUN , 佐藤俊樹 , SATO, TOSHIKI
IPC分类号： H01M4/66 , H01M4/70
CPC分类号： H01M4/667 , H01M4/0402 , H01M4/661 , H01M4/663 , H01M10/052
摘要：本發明提供一種有關突片熔接性優異、且實現與活性物質層的接觸電阻的低電阻化的電極材料。集電體(電極材料)(1)係具備有：由金屬箔所成的基材(1a)、及含碳的導電物質(1b)，以面積為0.1mm2之正方形視野進行觀察時，導電物質(1b)以島狀被配置在基材(1a)的表面，並且以藉由導電物質(1b)所致之基材(1a)的表面的被覆率為1~80%的方式所構成。
简体摘要：本发明提供一种有关突片熔接性优异、且实现与活性物质层的接触电阻的低电阻化的电极材料。集电体(电极材料)(1)系具备有：由金属箔所成的基材(1a)、及含碳的导电物质(1b)，以面积为0.1mm2之正方形视野进行观察时，导电物质(1b)以岛状被配置在基材(1a)的表面，并且以借由导电物质(1b)所致之基材(1a)的表面的被覆率为1~80%的方式所构成。

13. 发明专利

TW200942643A 半導體製造裝置用表面處理構件，及其製造方法 SURFACE TREATMENT MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING SYSTEM AND METHOD FOR PRODUCING SAME 审中-公开
简体标题：半导体制造设备用表面处理构件，及其制造方法 SURFACE TREATMENT MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING SYSTEM AND METHOD FOR PRODUCING SAME
公开(公告)号：TW200942643A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW097148769
申请日：2008-12-15
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：坪田隆之 , 久本淳 , 和田浩司 , 細川護
IPC分类号： C23C , C22C , H01L
CPC分类号： C25D11/246
摘要：本發明提供能抑制半導體製造裝置在使用中電特性經時變化的半導體製造裝置用表面處理構件及其製造方法。半導體製造裝置用表面處理構件（1）具備：由鋁或鋁合金所形成的基材（2）；和形成於基材（2）的表面的、實施了水合處理的陽極氧化被膜（3）；和形成於陽極氧化被膜（3）的表面的氟高濃度化層（4），其特徵為：氟高濃度化層（4）的氟濃度為1質量％以上。一種半導體製造裝置用表面處理構件（1）的製造方法的特徵在於包括下述工序：在由鋁或鋁合金形成的基材（2）的表面形成陽極氧化被膜（3）的陽極氧化被膜形成工序；和對陽極氧化被膜（3）實施水合處理的水合處理工序；和在陽極氧化被膜（3）的表面形成氟濃度高濃度化為1質量％以上的氟高濃度化層（4）的氟高濃度化層形成工序。
简体摘要：本发明提供能抑制半导体制造设备在使用中电特性经时变化的半导体制造设备用表面处理构件及其制造方法。半导体制造设备用表面处理构件（1）具备：由铝或铝合金所形成的基材（2）；和形成于基材（2）的表面的、实施了水合处理的阳极氧化被膜（3）；和形成于阳极氧化被膜（3）的表面的氟高浓度化层（4），其特征为：氟高浓度化层（4）的氟浓度为1质量％以上。一种半导体制造设备用表面处理构件（1）的制造方法的特征在于包括下述工序：在由铝或铝合金形成的基材（2）的表面形成阳极氧化被膜（3）的阳极氧化被膜形成工序；和对阳极氧化被膜（3）实施水合处理的水合处理工序；和在阳极氧化被膜（3）的表面形成氟浓度高浓度化为1质量％以上的氟高浓度化层（4）的氟高浓度化层形成工序。

14. 发明专利

TW201202486A 陽極氧化皮膜之形成方法审中-公开
简体标题：阳极氧化皮膜之形成方法
公开(公告)号：TW201202486A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100106201
申请日：2011-02-24
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：細川護 , 和田浩司 , 坪田隆之 , 久本淳
IPC分类号： C25D
CPC分类号： C25D11/04 , C25D11/024 , C25D11/08 , C25D11/16 , C25D11/18 , C25D11/246 , C25D21/12
摘要：提供一種以使用直流電源作為前提，不必使用特殊的設備，在短時間內就可生產性優異地形成厚膜的陽極氧化皮膜，而視需要也可得到皮膜的高硬度化的陽極氧化皮膜之形成方法。於鋁及鋁合金所選擇的鋁系基材，通一定電流A0進行陽極氧化的皮膜之形成方法，重複在形成皮膜中到達所定電壓V1時一旦休止通電，休電時間T1以上之期間，繼續該休電之後，再開始通電的複數次第1休電處理，使得上述所定電壓V1，休電時間T1，滿足所定關係式。
简体摘要：提供一种以使用直流电源作为前提，不必使用特殊的设备，在短时间内就可生产性优异地形成厚膜的阳极氧化皮膜，而视需要也可得到皮膜的高硬度化的阳极氧化皮膜之形成方法。于铝及铝合金所选择的铝系基材，通一定电流A0进行阳极氧化的皮膜之形成方法，重复在形成皮膜中到达所定电压V1时一旦休止通电，休电时间T1以上之期间，继续该休电之后，再开始通电的复数次第1休电处理，使得上述所定电压V1，休电时间T1，满足所定关系式。

15. 发明专利

TW201030189A 半導體液晶製造裝置用表面處理構件之製造方法 METHOD OF MANUFACTURING A SURFACE TREATED MEMBER FOR SEMICONDUCTOR LIQUID CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS 审中-公开
简体标题：半导体液晶制造设备用表面处理构件之制造方法 METHOD OF MANUFACTURING A SURFACE TREATED MEMBER FOR SEMICONDUCTOR LIQUID CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS
公开(公告)号：TW201030189A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW099100384
申请日：2010-01-08
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：和田浩司 , 坪田隆之 , 細川護 , 久本淳
IPC分类号： C25D
CPC分类号： C25D11/24 , H01L29/4908
摘要：本發明提供一種能夠利用簡便的方法形成硬度高於利用以往方法形成的陽極氧化覆膜而且沒有發生裂縫的方面的問題、高硬度且低裂縫的平衡性出色的陽極氧化覆膜的半導體液晶製造裝置用表面處理構件的製造方法。該製造方法是在將鋁合金或純鋁作為基材的構件的表面形成陽極氧化覆膜，然後浸漬於純水中而對所述陽極氧化覆膜進行水合處理的半導體液晶製造裝置用表面處理構件的製造方法，其中，在滿足處理溫度：80℃~100℃、處理時間（分鐘）≧-1.5×處理溫度（℃）+270的條件下實施所述水合處理。
简体摘要：本发明提供一种能够利用简便的方法形成硬度高于利用以往方法形成的阳极氧化覆膜而且没有发生裂缝的方面的问题、高硬度且低裂缝的平衡性出色的阳极氧化覆膜的半导体液晶制造设备用表面处理构件的制造方法。该制造方法是在将铝合金或纯铝作为基材的构件的表面形成阳极氧化覆膜，然后浸渍于纯水中而对所述阳极氧化覆膜进行水合处理的半导体液晶制造设备用表面处理构件的制造方法，其中，在满足处理温度：80℃~100℃、处理时间（分钟）≧-1.5×处理温度（℃）+270的条件下实施所述水合处理。

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