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11. 发明专利

TW201602367A 超音波接合用純銅合金線的剖面構造审中-公开
简体标题：超音波接合用纯铜合金线的剖面构造
公开(公告)号：TW201602367A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW103124224
申请日：2014-07-15
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K.K.
发明人：三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 天野裕之 , AMANO, HIROYUKI , 濱本拓也 , HAMAMOTO, TAKUYA , 三苫修一 , MITOMA, SYUICHI , 執行裕之 , SHIGYOU, HIROYUKI , 中島伸一郎 , NAKASHIMA, SHINICHIRO , 劉斌 , LIU, BIN
IPC分类号： C22C9/00 , B23K20/10 , H01L21/60 , H01L23/49
CPC分类号： H01L2224/43 , H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2224/85205 , H01L2924/01204 , H01L2924/01022 , H01L2924/0104 , H01L2924/0103 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012 , H01L2924/01203
摘要：本發明提供一種線材，即使是純銅合金連接線，在因為大氣中的氧而使得線材表面的銅氧化物層為未飽和之銅氧化物(Cu2-xO)的期間，亦可藉由形成其厚度為不使該氧化物層還原之程度的有機碳層，使得超音波接合的製程容許度(process window)變得廣泛。該線材的成分組成，係鈦(Ti)、鋯(Zr)、鋅(Zn)及錫(Sn)中的至少1種卑金屬(base metal)為40質量ppm以上、未滿100質量ppm(以下簡記為「40~100質量ppm」)，以及剩餘部分由純度99.990~99.996質量%的銅(Cu)所構成；該線材的剖面構造，係該線材表面因鑽石伸線模而縮徑的伸線加工面，該線材表面的整個面上，形成總有機碳量(TOC值)為50~3,000μg/m2的有機碳層，該線材剖面的最外層，形成氧未飽和之銅氧化物(Cu2-xO)所構成之厚度為2~20奈米的銅氧化物層，該銅氧化物層的內側所存在的上述卑金屬，係為未被內部氧化的狀態。
简体摘要：本发明提供一种线材，即使是纯铜合金连接线，在因为大气中的氧而使得线材表面的铜氧化物层为未饱和之铜氧化物(Cu2-xO)的期间，亦可借由形成其厚度为不使该氧化物层还原之程度的有机碳层，使得超音波接合的制程容许度(process window)变得广泛。该线材的成分组成，系钛(Ti)、锆(Zr)、锌(Zn)及锡(Sn)中的至少1种卑金属(base metal)为40质量ppm以上、未满100质量ppm(以下简记为“40~100质量ppm”)，以及剩余部分由纯度99.990~99.996质量%的铜(Cu)所构成；该线材的剖面构造，系该线材表面因钻石伸线模而缩径的伸线加工面，该线材表面的整个面上，形成总有机碳量(TOC值)为50~3,000μg/m2的有机碳层，该线材剖面的最外层，形成氧未饱和之铜氧化物(Cu2-xO)所构成之厚度为2~20奈米的铜氧化物层，该铜氧化物层的内侧所存在的上述卑金属，系为未被内部氧化的状态。

12. 发明专利

TW201415566A 半導體裝置連接用銅銠合金細線审中-公开
简体标题：半导体设备连接用铜铑合金细线
公开(公告)号：TW201415566A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW102116582
申请日：2013-05-09
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K.K.
发明人：天野裕之 , AMANO, HIROYUKI , 三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 岡崎純一 , OKAZAKI, JUNICHI , 濱本拓也 , HAMAMOTO, TAKUYA , 中島伸一郎 , NAKASHIMA, SHINICHIRO , 山下勉 , YAMASHITA, TSUTOMU , 三苫修一 , MITOMA, SYUICHI , 小野甲介 , ONO, KOSUKE , 劉斌 , RYU, BIN , 執行裕之 , SHIGYOU, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01204 , H01L2924/01016 , H01L2924/01008 , H01L2924/01045 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01083 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004 , H01L2924/01041 , H01L2924/01051 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/01082 , H01L2924/0105 , H01L2924/01033 , H01L2924/01024
摘要：抑制銅合金球接合線之超音波接合之鋁飛濺及斜靠性，提高第二次接合中之第二次接合性。在由純度99.995質量%以上之原料銅(Cu)與銠(Rh)0.1~1.5質量%所構成之金屬基體中，固溶做為非金屬元素之硫(S)1.0~10質量ppm及氧(O)10~150質量ppm，而且，固溶磷(P)1~10質量ppm。金屬基體中之銠係抑制硫往球表面之偏析以控制動態強度，抑制被固溶之氧與硫之舉動，提高斜靠性及第二次接合性。
简体摘要：抑制铜合金球接合线之超音波接合之铝飞溅及斜靠性，提高第二次接合中之第二次接合性。在由纯度99.995质量%以上之原料铜(Cu)与铑(Rh)0.1~1.5质量%所构成之金属基体中，固溶做为非金属元素之硫(S)1.0~10质量ppm及氧(O)10~150质量ppm，而且，固溶磷(P)1~10质量ppm。金属基体中之铑系抑制硫往球表面之偏析以控制动态强度，抑制被固溶之氧与硫之举动，提高斜靠性及第二次接合性。

13. 发明专利

TW201411748A 半導體裝置連接用銅鉑合金細線审中-公开
简体标题：半导体设备连接用铜铂合金细线
公开(公告)号：TW201411748A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102116584
申请日：2013-05-09
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K.K.
发明人：天野裕之 , AMANO, HIROYUKI , 三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 岡崎純一 , OKAZAKI, JUNICHI , 濱本拓也 , HAMAMOTO, TAKUYA , 中島伸一郎 , NAKASHIMA, SHINICHIRO , 山下勉 , YAMASHITA, TSUTOMU , 三苫修一 , MITOMA, SYUICHI , 小野甲介 , ONO, KOSUKE , 劉斌 , RYU, BIN , 執行裕之 , SHIGYOU, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45565 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2224/45147 , H01L2924/01078 , H01L2924/01016 , H01L2924/01008 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20751 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/01083 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004
摘要：在球接合用銅細線中，可提高第二次接合性，同時防止球接合之晶片龜裂，提高環接性。連續鑄造在高純度銅(Cu)含有鉑(Pt)0.1~2.0質量%、做為非金屬元素之硫(S)1~10質量ppm、氧(O)10~150質量ppm、及如有需要則含有磷(P)1~5質量ppm之熔融銅鉑合金，以形成素線之過程中，藉偏析而形成有不含鉑之銅的極薄層，於在大氣環境氣體中被氧化而伸線加工後的接合線表層，形成6~2nm氧化膜。維氏硬度係77~105Hv之接合線，均勻的氧化膜係提高第二次接合性，藉基體添加元素，抑制球接合時之動態強度而防止鋁飛濺，維持不產生斜靠之靜態強度。
简体摘要：在球接合用铜细线中，可提高第二次接合性，同时防止球接合之芯片龟裂，提高环接性。连续铸造在高纯度铜(Cu)含有铂(Pt)0.1~2.0质量%、做为非金属元素之硫(S)1~10质量ppm、氧(O)10~150质量ppm、及如有需要则含有磷(P)1~5质量ppm之熔融铜铂合金，以形成素线之过程中，藉偏析而形成有不含铂之铜的极薄层，于在大气环境气体中被氧化而伸线加工后的接合线表层，形成6~2nm氧化膜。维氏硬度系77~105Hv之接合线，均匀的氧化膜系提高第二次接合性，藉基体添加元素，抑制球接合时之动态强度而防止铝飞溅，维持不产生斜靠之静态强度。

15. 发明专利

TW201306101A 半導體元件用平角狀鍍鋁銅帶审中-公开
简体标题：半导体组件用平角状镀铝铜带
公开(公告)号：TW201306101A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW100126267
申请日：2011-07-26
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K.K.
发明人：三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 中島伸一郎 , NAKAJIMA, SHINICHIRO , 菊池照夫 , KIKUCHI, TERUO , 秋元英行 , AKIMOTO, HIDEYUKI , 松尾寬 , MATSUO, HIROSHI , 宮崎兼一 , MIYAZAKI, KENICHI
IPC分类号： H01L21/30
摘要：提供連接半導體裝置焊墊與基板導腳之焊帶，提升其超音波接合度、高導電容量以及環套特性。於銅芯材被覆一層鋁被覆層以組成焊帶，其中銅芯材係由維氏硬度70Hv以下之純度99.9%以上的銅(Cu)所製成，以施予焊帶導電性與環套形成性；被覆層係純度99.9%以上的鋁於氬氣(Ar)或氦氣等惰性氣體下析出，其係維氏硬度30Hv以上之緻密的微細結晶組織，藉此縮小芯材與被覆層之硬度差異，以防止鋁墊損傷，同時提升接合度。惰性氣體下析出之鋁微細結晶組織，其硬度較鋁塊材高，形成環套時亦不會產生斷裂、剝落之現象。
简体摘要：提供连接半导体设备焊垫与基板导脚之焊带，提升其超音波接合度、高导电容量以及环套特性。于铜芯材被覆一层铝被覆层以组成焊带，其中铜芯材系由维氏硬度70Hv以下之纯度99.9%以上的铜(Cu)所制成，以施予焊带导电性与环套形成性；被覆层系纯度99.9%以上的铝于氩气(Ar)或氦气等惰性气体下析出，其系维氏硬度30Hv以上之致密的微细结晶组织，借此缩小芯材与被覆层之硬度差异，以防止铝垫损伤，同时提升接合度。惰性气体下析出之铝微细结晶组织，其硬度较铝块材高，形成环套时亦不会产生断裂、剥落之现象。

16. 发明专利

TW201305362A 高溫半導體元件用平角狀鍍鈀（Ｐｄ）或鉑（Ｐｔ）銅帶审中-公开
简体标题：高温半导体组件用平角状镀钯（Ｐｄ）或铂（Ｐｔ）铜带
公开(公告)号：TW201305362A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW100126838
申请日：2011-07-28
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K.K.
发明人：三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 中島伸一郎 , NAKAJIMA, SHINICHIRO , 松尾寬 , MATSUO, HIROSHI , 宮崎兼一 , MIYAZAKI, KENICHI
IPC分类号： C23C14/16 , B32B15/20 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/05624 , H01L2224/45 , H01L2224/45014 , H01L2224/45033 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01203
摘要：提供多處同時連接鋁墊與基板側導線間之焊帶，能提高超音波接合性及高溫可靠性。由鈀(Pd)或鉑(Pt)被覆銅芯材所構成的焊帶，有使銅芯材為具有70Hv以下之維氏硬度且純度在99.9%以上之銅(Cu)，以賦予導電性及環套形成性，在氬氣(Ar)等稀有氣體的環境氣體下，前述鈀(Pd)或鉑(Pt)被覆層在室溫之銅(Cu)芯材狹帶上，藉磁控管濺鍍以形成細微粒狀結晶組織，使該結晶組織之維氏硬度與芯材及被覆層相同，以防止鋁墊之損傷，同時提高接合性。
简体摘要：提供多处同时连接铝垫与基板侧导线间之焊带，能提高超音波接合性及高温可靠性。由钯(Pd)或铂(Pt)被覆铜芯材所构成的焊带，有使铜芯材为具有70Hv以下之维氏硬度且纯度在99.9%以上之铜(Cu)，以赋予导电性及环套形成性，在氩气(Ar)等稀有气体的环境气体下，前述钯(Pd)或铂(Pt)被覆层在室温之铜(Cu)芯材狭带上，藉磁控管溅镀以形成细微粒状结晶组织，使该结晶组织之维氏硬度与芯材及被覆层相同，以防止铝垫之损伤，同时提高接合性。

17. 发明专利

TWI362078B 半導體元件用金銲接線 GOLD BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENTS 有权
简体标题：半导体组件用金焊接线 GOLD BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENTS
公开(公告)号：TWI362078B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：TW094141270
申请日：2005-11-24
申请人：田中電子工業股份有限公司
发明人：手島聰 , 三上道孝
IPC分类号： H01L , C22C
CPC分类号： C22C5/02 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L2224/05624 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/4845 , H01L2224/48624 , H01L2224/85207 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01041 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01059 , H01L2924/01063 , H01L2924/01064 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01205 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , Y10T428/12431 , H01L2924/01004 , H01L2924/01204 , H01L2924/01039 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/013 , H01L2924/01062 , H01L2924/01048 , H01L2924/01049 , H01L2924/00013 , H01L2924/00 , H01L2924/01006
摘要：提供即使銲接線之線徑變細至23μm以下，以有優越真圓度的壓銲銲球所形成，且具有能耐銲接線熔流的裂斷應力之半導體元件用金(Au)銲接線。
一種半導體元件用金銲接線，係以由Au基體及機能性元素而成的Au合金而成，其特徵在於該Au基體含有Be 3~15質量ppm、Ca 3~40質量ppm、La 3~20質量ppm，該Au合金之壓銲銲球的真圓度為0.95~1.05。
简体摘要：提供即使焊接线之线径变细至23μm以下，以有优越真圆度的压焊焊球所形成，且具有能耐焊接线熔流的裂断应力之半导体组件用金(Au)焊接线。一种半导体组件用金焊接线，系以由Au基体及机能性元素而成的Au合金而成，其特征在于该Au基体含有Be 3~15质量ppm、Ca 3~40质量ppm、La 3~20质量ppm，该Au合金之压焊焊球的真圆度为0.95~1.05。

18. 发明专利

TWI603911B 半導體裝置用接合線的捲線構造有权
简体标题：半导体设备用接合线的卷线构造
公开(公告)号：TWI603911B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW105128766
申请日：2016-09-06
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K. K.
发明人：三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 前田菜那子 , MAEDA, NANAKO , 陳煒 , CHEN, WEI , 伊藤杏奈 , ITO, ANNA
IPC分类号： B65H81/08 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/78

19. 发明专利

TW201250013A 高強度高伸長速率金合金接合線 HIGH STRENGTH AND HIGH ELONGATION RATIO OF AU ALLOY BONDING WIRE 审中-公开
简体标题：高强度高伸长速率金合金接合线 HIGH STRENGTH AND HIGH ELONGATION RATIO OF AU ALLOY BONDING WIRE
公开(公告)号：TW201250013A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW100120810
申请日：2011-06-15
申请人：田中電子工業股份有限公司
发明人：三上道孝
IPC分类号： C22C , H01L
CPC分类号： H01L2224/43 , H01L2224/45 , H01L2224/45144 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/00012
摘要：本發明之課題係於金合金線組成之接合線中，取得期望的伸長速率及裂斷強度組合。其解決手段係藉由高純度金(Au)中含有銅(Cu)、銀(Ag)、鈀(Pd)或鉑(Pt)中至少一種以上元素以0.5～30重量%，使接合線拉絲加工之熱處理溫度450～650 . C範圍中，出現伸長速率變化呈現平緩的區域。於此溫度範圍中，接合線之裂斷強度下降，又維持視為高純度金線標準之伸長速率4%時，其對應熱處理溫度之強度以上的強度。因此，於此平緩區域中進行熱處理，藉此取得不受溫度變化影響之一定強度以上的合金接合線，此外，藉由選擇適當的溫度區域，針對其伸長速率可得不同強度性質之接合線。
简体摘要：本发明之课题系于金合金线组成之接合线中，取得期望的伸长速率及裂断强度组合。其解决手段系借由高纯度金(Au)中含有铜(Cu)、银(Ag)、钯(Pd)或铂(Pt)中至少一种以上元素以0.5～30重量%，使接合线拉丝加工之热处理温度450～650 . C范围中，出现伸长速率变化呈现平缓的区域。于此温度范围中，接合线之裂断强度下降，又维持视为高纯度金线标准之伸长速率4%时，其对应热处理温度之强度以上的强度。因此，于此平缓区域中进行热处理，借此取得不受温度变化影响之一定强度以上的合金接合线，此外，借由选择适当的温度区域，针对其伸长速率可得不同强度性质之接合线。

20. 发明专利

TW201716310A 半導體裝置用接合線的捲線構造审中-公开
简体标题：半导体设备用接合线的卷线构造
公开(公告)号：TW201716310A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105128766
申请日：2016-09-06
申请人：田中電子工業股份有限公司 , TANAKA DENSHI KOGYO K. K.
发明人：三上道孝 , MIKAMI, MICHITAKA , 前田菜那子 , MAEDA, NANAKO , 陳煒 , CHEN, WEI , 伊藤杏奈 , ITO, ANNA
IPC分类号： B65H81/08 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/78
摘要：【課題】本發明之目的在提供比迄今緊固力更強，且在輸送時的振動等亦不會崩壞的新穎的接合線的捲線構造。此外，本發明之目的在於提供不會浪費線，且可順利地進行線軸更換作業的接合線的捲線構造。【構成】本發明之接合線的捲線構造，其特徵為：由序列捲繞的前頭捲繞部分、交叉多層捲繞的實捲繞部分、及序列捲繞的尾端捲繞部分所構成之線軸上纏繞有接合線，在該實捲繞部分的兩端形狀所形成的至少一方斜邊，有具有比由線軸端部延伸的下斜邊的仰角更為急陡的仰角的中斜邊或上斜邊的突起部，在該突起部接連波型的鋸齒狀層，並且該上斜邊的頂點的高度比該鋸齒狀層的平均高度更高。
简体摘要：【课题】本发明之目的在提供比迄今紧固力更强，且在输送时的振动等亦不会崩坏的新颖的接合线的卷线构造。此外，本发明之目的在于提供不会浪费线，且可顺利地进行线轴更换作业的接合线的卷线构造。【构成】本发明之接合线的卷线构造，其特征为：由串行卷绕的前头卷绕部分、交叉多层卷绕的实卷绕部分、及串行卷绕的尾端卷绕部分所构成之线轴上缠绕有接合线，在该实卷绕部分的两端形状所形成的至少一方斜边，有具有比由线轴端部延伸的下斜边的仰角更为急陡的仰角的中斜边或上斜边的突起部，在该突起部接连波型的锯齿状层，并且该上斜边的顶点的高度比该锯齿状层的平均高度更高。

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