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11. 发明专利

TW201504563A 發光二極體模組审中-公开
简体标题：发光二极管模块
公开(公告)号：TW201504563A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW102115742
申请日：2013-05-02
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：張超雄 , CHANG, CHAO HSIUNG , 黃哲瑄 , HUANG, CHE HSANG , 林厚德 , LIN, HOU TE , 陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN
IPC分类号： F21V13/00 , F21Y101/02
CPC分类号： G02F1/133606 , G02F1/133603 , G02F1/133605 , G02F2001/133607
摘要：一種發光二極體模組，其包括電路板、發光二極體和透鏡，所述發光二極體電連接於電路板，透鏡覆蓋發光二極體並固定於電路板上，發光二極體模組還包括反射層，所述反射層設置於電路板之上，所述透鏡包括半透光面，所述半透光面與發光二極體相對設置並自透鏡的頂端朝向電路板傾斜，發光二極體發出的一部分光線經由所述半透光面透射出透鏡，另一部分光線經由所述半透光面朝向反射層反射，從而得到較大出光角度的發光二極體模組，減少發光二極體的使用數量。
简体摘要：一种发光二极管模块，其包括电路板、发光二极管和透镜，所述发光二极管电连接于电路板，透镜覆盖发光二极管并固定于电路板上，发光二极管模块还包括反射层，所述反射层设置于电路板之上，所述透镜包括半透光面，所述半透光面与发光二极管相对设置并自透镜的顶端朝向电路板倾斜，发光二极管发出的一部分光线经由所述半透光面透射出透镜，另一部分光线经由所述半透光面朝向反射层反射，从而得到较大出光角度的发光二极管模块，减少发光二极管的使用数量。

12. 发明专利

TW201442293A 發光二極體封裝結構审中-公开
简体标题：发光二极管封装结构
公开(公告)号：TW201442293A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW102116434
申请日：2013-05-08
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：黃哲瑄 , HUANG, CHE HSANG , 林新強 , LIN, HSIN CHIANG , 葉輔湘 , YEH, FU HSIANG
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/54 , H01L33/508 , H01L33/56 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
摘要：一種發光二極體封裝結構，包括基板、形成在基板上的引腳結構和反射杯、設置在引腳結構上的發光二極體晶片及收容於所述反射杯內並混合有螢光粉的第一封裝層，所述發光二極體晶片包括一頂面、自該頂面朝基板方向延伸的側面及與所述頂面相對的底面，所述第一封裝層的下端高於所述發光二極體晶片底面所在的平面。
简体摘要：一种发光二极管封装结构，包括基板、形成在基板上的引脚结构和反射杯、设置在引脚结构上的发光二极管芯片及收容于所述反射杯内并混合有萤光粉的第一封装层，所述发光二极管芯片包括一顶面、自该顶面朝基板方向延伸的侧面及与所述顶面相对的底面，所述第一封装层的下端高于所述发光二极管芯片底面所在的平面。

13. 发明专利

TW201417358A 發光二極體及其製造方法审中-公开
简体标题：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TW201417358A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW101135191
申请日：2012-09-26
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：黃哲瑄 , HUANG, CHE HSANG , 陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN , 陳隆欣 , CHEN, LUNG HSIN , 曾文良 , TSENG, WEN LIANG , 黃郁良 , HUANG, YU LIANG
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L27/15 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：一種發光二極體，其包括基板、嵌設於基板的第一電極組合與第二電極組合、及電性連接至第一電極組合及第二電極組合的複數發光二極體晶粒，所述第一電極組合包括間隔設置的第一電極及第二電極，所述第二電極組合位於第一、第二電極之間，其包括第三電極，所述基板包括本體及自本體中部向下凸設的延伸部，所述第一、第二、第三電極嵌設於基板的本體，所述第三電極的下表面被所述延伸部覆蓋，所述第一、第二電極的下表面外露於所述基板，所述發光二極體晶粒電性連接所述第一電極、第二電極及第三電極。本發明還涉及這種發光二極體的製造方法。
简体摘要：一种发光二极管，其包括基板、嵌设于基板的第一电极组合与第二电极组合、及电性连接至第一电极组合及第二电极组合的复数发光二极管晶粒，所述第一电极组合包括间隔设置的第一电极及第二电极，所述第二电极组合位于第一、第二电极之间，其包括第三电极，所述基板包括本体及自本体中部向下凸设的延伸部，所述第一、第二、第三电极嵌设于基板的本体，所述第三电极的下表面被所述延伸部覆盖，所述第一、第二电极的下表面外露于所述基板，所述发光二极管晶粒电性连接所述第一电极、第二电极及第三电极。本发明还涉及这种发光二极管的制造方法。

14. 发明专利

TW201401568A 發光二極體裝置审中-公开
简体标题：发光二极管设备
公开(公告)号：TW201401568A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW101129294
申请日：2012-08-14
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：黃哲瑄 , HUANG, CHE HSANG
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/58
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要：一種發光二極體裝置，包括具有電路結構的基板、發光二極體晶粒以及透鏡，該基板具有相對設置的上表面和下表面，該基板的上表面處設置有粗糙結構；該發光二極體晶粒設置在基板上表面並電連接至該電路結構；該透鏡設置在基板上表面並將發光二極體晶粒罩設在內，該透鏡與基板上表面的粗糙結構相接觸並經由黏膠黏接在該粗糙結構上。
简体摘要：一种发光二极管设备，包括具有电路结构的基板、发光二极管晶粒以及透镜，该基板具有相对设置的上表面和下表面，该基板的上表面处设置有粗糙结构；该发光二极管晶粒设置在基板上表面并电连接至该电路结构；该透镜设置在基板上表面并将发光二极管晶粒罩设在内，该透镜与基板上表面的粗糙结构相接触并经由黏胶黏接在该粗糙结构上。

15. 发明专利

TWI535071B 發光二極體有权
简体标题：发光二极管
公开(公告)号：TWI535071B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW102138558
申请日：2013-10-24
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：謝雨倫 , HSIEH, YU LUN , 黃哲瑄 , HUANG, CHE HSANG
IPC分类号： H01L33/50

16. 发明专利

TWI482318B 發光二極體及其封裝結構有权
简体标题：发光二极管及其封装结构
公开(公告)号：TWI482318B
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：TW101148839
申请日：2012-12-20
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：張耀祖 , JANG, YAU TZU , 黃郁良 , HUANG, YU LIANG , 曾文良 , TSENG, WEN LIANG , 陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN , 陳隆欣 , CHEN, LUNG HSIN , 羅杏芬 , LO, HSING FEN , 張超雄 , CHANG, CHAO HSIUNG , 黃哲瑄 , HUANG, CHE HSANG , 謝雨倫 , HSIEH, YU LUN
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/647 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L27/0248 , H01L29/866 , H01L33/502 , H01L33/52 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/48137

17. 发明专利

TW201510506A 發光二極體檢測方法及檢測系統审中-公开
简体标题：发光二极管检测方法及检测系统
公开(公告)号：TW201510506A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW102122438
申请日：2013-06-24
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：黃哲瑄 , HUANG, CHE HSANG
IPC分类号： G01N21/62 , G01J3/28 , H01L33/50
摘要：一種發光二極體檢測方法，包括：檢測發光二極體晶粒所發出的光線的頻譜資料；檢測螢光粉在受激發光後所發出的光線的頻譜資料；根據發光二極體晶粒所發出的光線和螢光粉所發出光線的比例，計算發光二極體晶粒與螢光粉的合成光譜；將所計算的合成光譜與標準的或期望的頻譜資料相比較，以確定計算的合成光譜是否在標準的或期望的頻譜資料範圍內；若計算的合成光譜不在標準的或期望的頻譜資料範圍內，則調整發光二極體所發出光線與螢光粉所發出光線的比例直至所計算的合成光譜位於標準的或期望的頻譜資料範圍內。本發明還提供了一種發光二極體檢測系統。
简体摘要：一种发光二极管检测方法，包括：检测发光二极管晶粒所发出的光线的频谱数据；检测萤光粉在受激发光后所发出的光线的频谱数据；根据发光二极管晶粒所发出的光线和萤光粉所发出光线的比例，计算发光二极管晶粒与萤光粉的合成光谱；将所计算的合成光谱与标准的或期望的频谱数据相比较，以确定计算的合成光谱是否在标准的或期望的频谱数据范围内；若计算的合成光谱不在标准的或期望的频谱数据范围内，则调整发光二极管所发出光线与萤光粉所发出光线的比例直至所计算的合成光谱位于标准的或期望的频谱数据范围内。本发明还提供了一种发光二极管检测系统。

18. 发明专利

TW201508209A 發光二極體光源陣列模擬系統及模擬方法审中-公开
简体标题：发光二极管光源数组仿真系统及仿真方法
公开(公告)号：TW201508209A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW102121669
申请日：2013-06-19
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：黃哲瑄 , HUANG, CHE HSANG
IPC分类号： F21V14/02 , F21S2/00 , G05D25/02 , F21Y101/02
摘要：一種發光二極體光源陣列模擬方法，包括以下步驟：攝取單顆發光二極體光源的光場分佈圖像；量測上述光場分佈圖像中各個座標點所對應的光強度資料；將複數個發光二極體光源按間距排列成發光二極體光源陣列；根據單顆發光二極體光源的光場分佈圖像以及發光二極體光源之間的間距逐點計算發光二極體光源陣列在各個座標點上的光強積分值；以及根據發光二極體光源陣列在各個座標點上的光強積分值模擬出發光二極體光源陣列的光場分佈圖像。本發明還提供了一種發光二極體光源陣列模擬系統。
简体摘要：一种发光二极管光源数组仿真方法，包括以下步骤：摄取单颗发光二极管光源的光场分布图像；量测上述光场分布图像中各个座标点所对应的光强度数据；将复数个发光二极管光源按间距排列成发光二极管光源数组；根据单颗发光二极管光源的光场分布图像以及发光二极管光源之间的间距逐点计算发光二极管光源数组在各个座标点上的光强积分值；以及根据发光二极管光源数组在各个座标点上的光强积分值仿真出发光二极管光源数组的光场分布图像。本发明还提供了一种发光二极管光源数组仿真系统。

19. 发明专利

TWI466344B 發光二極體及其製造方法有权
简体标题：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TWI466344B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW101135192
申请日：2012-09-26
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：黃哲瑄 , HUANG, CHE HSANG , 陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN , 陳隆欣 , CHEN, LUNG HSIN , 曾文良 , TSENG, WEN LIANG , 黃郁良 , HUANG, YU LIANG
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L33/36 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

20. 发明专利

TW201417357A 發光二極體及其製造方法审中-公开
简体标题：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TW201417357A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW101135190
申请日：2012-09-26
申请人：榮創能源科技股份有限公司 , ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人：黃哲瑄 , HUANG, CHE HSANG , 陳濱全 , CHEN, PIN CHUAN , 陳隆欣 , CHEN, LUNG HSIN , 曾文良 , TSENG, WEN LIANG , 黃郁良 , HUANG, YU LIANG
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/36
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L33/486 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/12041 , H01L2933/0033 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：一種發光二極體，其包括基板、嵌設於基板的第一電極組合、第二電極組合、以及電性連接至第一電極組合及第二電極組合的複數發光二極體晶粒，所述第一電極組合包括間隔設置的第一電極及第二電極，所述第一電極及第二電極嵌設於基板，且其下表面外露於基板，所述第二電極組合位於第一、第二電極之間，其包括第三電極，所述第三電極嵌設於所述基板，且其下表面位於所述基板內，所述發光二極體晶粒電性連接所述第一電極、第二電極、第三電極。本發明還涉及一種發光二極體的製造方法。
简体摘要：一种发光二极管，其包括基板、嵌设于基板的第一电极组合、第二电极组合、以及电性连接至第一电极组合及第二电极组合的复数发光二极管晶粒，所述第一电极组合包括间隔设置的第一电极及第二电极，所述第一电极及第二电极嵌设于基板，且其下表面外露于基板，所述第二电极组合位于第一、第二电极之间，其包括第三电极，所述第三电极嵌设于所述基板，且其下表面位于所述基板内，所述发光二极管晶粒电性连接所述第一电极、第二电极、第三电极。本发明还涉及一种发光二极管的制造方法。

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