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11. 发明专利

TW201212292A 發光裝置 LIGHT EMITTING DEVICE 审中-公开
简体标题：发光设备 LIGHT EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW201212292A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：TW100106191
申请日：2011-02-24
申请人：東芝股份有限公司
发明人：三石巖 , 布上真也 , 佐藤高洋 , 福田由美 , 岡田葵 , 松田直壽 , 彥坂年輝
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C09K11/7734 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本發明之實施形態的發光裝置,係具備:發出波長380nm~470nm之光的發光元件;及配置於該發光元件上的CASN系之第1紅色螢光體;及配置於該發光元件上的矽鋁氮氧化合物(sialon)系之第2紅色螢光體;以及配置於該發光元件上的矽鋁氮氧化合物系之綠色螢光體。
简体摘要：本发明之实施形态的发光设备,系具备:发出波长380nm~470nm之光的发光组件;及配置于该发光组件上的CASN系之第1红色萤光体;及配置于该发光组件上的硅铝氮氧化合物(sialon)系之第2红色萤光体;以及配置于该发光组件上的硅铝氮氧化合物系之绿色萤光体。

12. 发明专利

TW201131807A 半導體發光元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME 审中-公开
简体标题：半导体发光组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
公开(公告)号：TW201131807A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099129921
申请日：2010-09-03
申请人：東芝股份有限公司
发明人：木村重哉 , 名古肇 , 岡俊行 , 橘浩一 , 彥坂年輝 , 布上真也
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01S5/3216 , H01S5/34333
摘要：根據一實施例,一種半導體發光元件包括n-型半導體層,其包括氮化物半導體、p-型半導體層,其包括氮化物半導體、發光部、以及堆疊體。該發光部設置在該n-型及p-型半導體層之間並包括障壁層及井層。該井層與該障壁層堆疊。該堆疊體設置在該發光部及該n-型半導體層之間並包括第一層及第二層。該第二層與該第一層堆疊。該堆疊體的平均In組成物比率高於該發光部之平均In組成物比率的0.4倍。該障壁層的層厚度tb為10奈米或以下。
简体摘要：根据一实施例,一种半导体发光组件包括n-型半导体层,其包括氮化物半导体、p-型半导体层,其包括氮化物半导体、发光部、以及堆栈体。该发光部设置在该n-型及p-型半导体层之间并包括障壁层及井层。该井层与该障壁层堆栈。该堆栈体设置在该发光部及该n-型半导体层之间并包括第一层及第二层。该第二层与该第一层堆栈。该堆栈体的平均In组成物比率高于该发光部之平均In组成物比率的0.4倍。该障壁层的层厚度tb为10奈米或以下。

13. 发明专利

TW201128815A 發光裝置 LIGHT EMITTING DEVICE 审中-公开
简体标题：发光设备 LIGHT EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW201128815A
公开(公告)日：2011-08-16
申请号：TW099129914
申请日：2010-09-03
申请人：東芝股份有限公司
发明人：彥坂年輝 , 佐藤高洋 , 三石嚴 , 布上真也
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/50 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L33/44 , H01L33/504 , H01L33/58 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：依據一實施例,發光裝置包括用以發射第一光的半導體發光元件、安裝構件、第一及第二波長轉換層、及透明層。該第一波長轉換層係位於該元件及該安裝構件之間,接觸該安裝構件。該第一波長轉換層吸收該第一光,並發射具有較該第一光之波長為長之波長的第二光。該半導體發光元件係配置於該第二波長轉換層及該第一波長轉換層之間。該第二波長轉換層吸收該第一光,並發射具有較該第一光之波長為長之波長的第三光。該透明層係位於該元件及該第二波長轉換層之間。該第一、第二及第三光係可透射該透明層。
简体摘要：依据一实施例,发光设备包括用以发射第一光的半导体发光组件、安装构件、第一及第二波长转换层、及透明层。该第一波长转换层系位于该组件及该安装构件之间,接触该安装构件。该第一波长转换层吸收该第一光,并发射具有较该第一光之波长为长之波长的第二光。该半导体发光组件系配置于该第二波长转换层及该第一波长转换层之间。该第二波长转换层吸收该第一光,并发射具有较该第一光之波长为长之波长的第三光。该透明层系位于该组件及该第二波长转换层之间。该第一、第二及第三光系可透射该透明层。

14. 发明专利

TW201138148A 半導體發光裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 失效
简体标题：半导体发光设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201138148A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW099130063
申请日：2010-09-06
申请人：東芝股份有限公司
发明人：彥坂年輝 , 鹽田倫也 , 原田佳幸 , 布上真也
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/32
摘要：根據一實施例,半導體發光裝置包括:n型及p型半導體層、阻障層、及井層。n型及p型半導體層及阻障層包括氮化物半導體。阻障層設置在n型及p型半導體層之間。井層設置在阻障層之間,具有比阻障層更小之帶隙能量,並包括InGaN。阻障層之至少一層包括第一、第二、及第三層。第二層設置成比第一層更接近p型半導體層。第三層設置成比第二層更接近該p型半導體層。第二層包括AlxGa1-xN(0≦x≦0.05)。第二層之帶隙能量大於第一及第三層。第一及第二層之總厚度不大於第三層。
简体摘要：根据一实施例,半导体发光设备包括:n型及p型半导体层、阻障层、及井层。n型及p型半导体层及阻障层包括氮化物半导体。阻障层设置在n型及p型半导体层之间。井层设置在阻障层之间,具有比阻障层更小之带隙能量,并包括InGaN。阻障层之至少一层包括第一、第二、及第三层。第二层设置成比第一层更接近p型半导体层。第三层设置成比第二层更接近该p型半导体层。第二层包括AlxGa1-xN(0≦x≦0.05)。第二层之带隙能量大于第一及第三层。第一及第二层之总厚度不大于第三层。

15. 发明专利

TW201130157A 半導體發光裝置 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE 失效
简体标题：半导体发光设备 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW201130157A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099129502
申请日：2010-09-01
申请人：東芝股份有限公司
发明人：名古肇 , 橘浩一 , 彥坂年輝 , 木村重哉 , 布上真也
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/12 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/32 , H01S5/34333
摘要：根據一個實施例,半導體發光裝置包括n型及p型半導體層、一發光部份、一多層式結構本體、及一n側中間層。該發光部份被設置在該等半導體層之間。該發光部份包括含有GaN之隔離層、及一設置在該等隔離層間之井層。該井層包含Inx1Ga1-x1N。該本體被設置在該n型半導體層及該發光部份之間。本體包括:含有GaN之第一層、及被設置在該等第一層間之第二層。該第二層包含Inx2Ga1-x2N。第二銦組成比率x2係不少於該第一銦組成比率x1之0.6倍,且係低於該第一銦組成比率x1。該中間層被設置在該本體及該發光部份之間,且包括含有Aly1Ga1-y1N(0
简体摘要：根据一个实施例,半导体发光设备包括n型及p型半导体层、一发光部份、一多层式结构本体、及一n侧中间层。该发光部份被设置在该等半导体层之间。该发光部份包括含有GaN之隔离层、及一设置在该等隔离层间之井层。该井层包含Inx1Ga1-x1N。该本体被设置在该n型半导体层及该发光部份之间。本体包括:含有GaN之第一层、及被设置在该等第一层间之第二层。该第二层包含Inx2Ga1-x2N。第二铟组成比率x2系不少于该第一铟组成比率x1之0.6倍,且系低于该第一铟组成比率x1。该中间层被设置在该本体及该发光部份之间,且包括含有Aly1Ga1-y1N(0

16. 发明专利

TW201034245A 半導體發光元件 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体发光组件 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW201034245A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW098128679
申请日：2009-08-26
申请人：東芝股份有限公司
发明人：柴田恭平 , 彥坂年輝
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/42
摘要：本發明係一種半導體發光元件，其中，具備含有第1半導體層，和第2半導體層，和設置於前述第1半導體層與前述第2半導體層之間的發光層之半導體多層構造體，和連接於前述半導體多層構造體之前述第1半導體層的第1電極，和設置於前述半導體多層構造體之前述第2半導體層上方的第2電極，和連接於前述第2電極之第3電極；前述第2電極係具有對於前述半導體多層構造體之主面而言，從垂直的方向而視，設置於前述第1電極與前述第3電極之間，朝向於連結前述第1電極與前述第3電極之路徑而延伸存在的缺口乃至少形成有1個之第1範圍，和設置於前述第1電極的周圍，未形成有缺口之第2範圍，和設置於前述第3電極的周圍，未形成有缺口之第3範圍。
简体摘要：本发明系一种半导体发光组件，其中，具备含有第1半导体层，和第2半导体层，和设置于前述第1半导体层与前述第2半导体层之间的发光层之半导体多层构造体，和连接于前述半导体多层构造体之前述第1半导体层的第1电极，和设置于前述半导体多层构造体之前述第2半导体层上方的第2电极，和连接于前述第2电极之第3电极；前述第2电极系具有对于前述半导体多层构造体之主面而言，从垂直的方向而视，设置于前述第1电极与前述第3电极之间，朝向于链接前述第1电极与前述第3电极之路径而延伸存在的缺口乃至少形成有1个之第1范围，和设置于前述第1电极的周围，未形成有缺口之第2范围，和设置于前述第3电极的周围，未形成有缺口之第3范围。

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