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11. 发明专利

TWI554832B 光阻圖型之形成方法有权
简体标题：光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TWI554832B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW101135300
申请日：2012-09-26
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：仁藤豪人 , NITO, HIDETO , 中村剛 , NAKAMURA, TSUYOSHI , 清水宏明 , SHIMIZU, HIROAKI , 橫谷次朗 , YOKOYA, JIRO
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/075 , H01L21/027 , C08F20/22
CPC分类号： G03F7/2041 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397

12. 发明专利

TWI554831B 光阻圖型之形成方法有权
简体标题：光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TWI554831B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW101133781
申请日：2012-09-14
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：橫谷次朗 , YOKOYA, JIRO , 中村剛 , NAKAMURA, TSUYOSHI , 清水宏明 , SHIMIZU, HIROAKI , 仁藤豪人 , NITO, HIDETO
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/20 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/38

13. 发明专利

TWI554829B 光阻組成物，光阻圖型之形成方法有权
简体标题：光阻组成物，光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TWI554829B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW101134749
申请日：2012-09-21
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：清水宏明 , SHIMIZU, HIROAKI , 中村剛 , NAKAMURA, TSUYOSHI , 橫谷次朗 , YOKOYA, JIRO , 仁藤豪人 , NITO, HIDETO
IPC分类号： G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/38

14. 发明专利

TWI457707B 浸液式曝光用光阻組成物，光阻圖型之形成方法，含氟高分子化合物有权
简体标题：浸液式曝光用光阻组成物，光阻图型之形成方法，含氟高分子化合物
公开(公告)号：TWI457707B
公开(公告)日：2014-10-21
申请号：TW098120470
申请日：2009-06-18
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：鹽野大壽 , SHIONO, DAIJU , 平野智之 , HIRANO, TOMOYUKI , 古谷早苗 , FURUYA, SANAE , 太宰尚宏 , DAZAI, TAKAHIRO , 清水宏明 , SHIMIZU, HIROAKI , 黑澤剛志 , KUROSAWA, TSUYOSHI , 仁藤豪人 , NITO, HIDETO , 中村剛 , NAKAMURA, TSUYOSHI
IPC分类号： G03F7/039 , C08F220/26 , C08F220/22 , C08F212/32 , H01L21/027
CPC分类号： C08F214/18 , C08F220/18 , C08F220/24 , C08F220/28 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , Y10S430/108 , Y10S430/111

15. 发明专利

TW201415165A 光阻組成物及光阻圖型形成方法审中-公开
简体标题：光阻组成物及光阻图型形成方法
公开(公告)号：TW201415165A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW102121973
申请日：2013-06-20
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：中村剛 , NAKAMURA, TSUYOSHI , 橫谷次朗 , YOKOYA, JIRO , 仁藤豪人 , NITO, HIDETO , 清水宏明 , SHIMIZU, HIROAKI
IPC分类号： G03F7/038 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/38 , Y10S430/12 , Y10S430/121
摘要：一種經由曝光而產生鹼，經由酸之作用而增大對鹼顯影液之溶解性的光阻組成物，其為含有經由酸之作用而增大對鹼顯影液之溶解性的基材成份(A)，與由pKa為7以下之含氮陽離子與對陰離子所形成之酸性化合物成份(G1)，與由含氮陽離子與作為pKa為0~5之酸的共軛鹼的對陰離子所形成之緩衝劑成份(K)之光阻組成物。
简体摘要：一种经由曝光而产生碱，经由酸之作用而增大对碱显影液之溶解性的光阻组成物，其为含有经由酸之作用而增大对碱显影液之溶解性的基材成份(A)，与由pKa为7以下之含氮阳离子与对阴离子所形成之酸性化合物成份(G1)，与由含氮阳离子与作为pKa为0~5之酸的共轭碱的对阴离子所形成之缓冲剂成份(K)之光阻组成物。

16. 发明专利

TW201329633A 光阻圖型之形成方法审中-公开
简体标题：光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TW201329633A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101133781
申请日：2012-09-14
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：橫谷次朗 , YOKOYA, JIRO , 中村剛 , NAKAMURA, TSUYOSHI , 清水宏明 , SHIMIZU, HIROAKI , 仁藤豪人 , NITO, HIDETO
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/20 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/38
摘要：一種光阻圖型之形成方法，其為包含將含有經由酸之作用而增大對鹼顯影液之溶解性的基材成份，與光鹼產生劑成份，與酸供應成份之光阻組成物，塗佈於支撐體上以形成光阻膜之步驟(1)，與不對前述光阻膜進行預燒焙，而使該光阻膜曝光之步驟(2)，與於前述步驟(2)後進行燒焙，而前述光阻膜之曝光部中，使經由前述曝光而由前述光鹼產生劑成份所產生之鹼，與由前述酸供應成份所產生之酸進行中和，而前述光阻膜之未曝光部中，經由前述酸供應成份所產生之酸之作用，而增大前述基材成份對鹼顯影液的溶解性之步驟(3)，與使前述光阻膜進行鹼顯影，而將前述光阻膜之未曝光部溶解去除以形成負型光阻圖型之步驟(4)。
简体摘要：一种光阻图型之形成方法，其为包含将含有经由酸之作用而增大对碱显影液之溶解性的基材成份，与光碱产生剂成份，与酸供应成份之光阻组成物，涂布于支撑体上以形成光阻膜之步骤(1)，与不对前述光阻膜进行预烧焙，而使该光阻膜曝光之步骤(2)，与于前述步骤(2)后进行烧焙，而前述光阻膜之曝光部中，使经由前述曝光而由前述光碱产生剂成份所产生之碱，与由前述酸供应成份所产生之酸进行中和，而前述光阻膜之未曝光部中，经由前述酸供应成份所产生之酸之作用，而增大前述基材成份对碱显影液的溶解性之步骤(3)，与使前述光阻膜进行碱显影，而将前述光阻膜之未曝光部溶解去除以形成负型光阻图型之步骤(4)。

17. 发明专利

TWI394005B 正型光阻組成物，光阻圖型之形成方法與高分子化合物有权
简体标题：正型光阻组成物，光阻图型之形成方法与高分子化合物
公开(公告)号：TWI394005B
公开(公告)日：2013-04-21
申请号：TW098113176
申请日：2009-04-21
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：清水宏明 , SHIMIZU, HIROAKI , 中村剛 , NAKAMURA, TSUYOSHI , 森貴敬 , MORI, TAKAYOSHI , 古谷早苗 , FURUYA, SANAE , 鹽野大壽 , SHIONO, DAIJU , 平野智之 , HIRANO, TOMOYUKI , 太宰尚宏 , DAZAI, TAKAHIRO
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004 , C08F20/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F220/18 , C08F220/28 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/2041 , Y10S430/111

18. 发明专利

TWI561913B 光阻組成物及光阻圖型之形成方法有权
简体标题：光阻组成物及光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TWI561913B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW102100415
申请日：2013-01-07
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：清水宏明 , SHIMIZU, HIROAKI , 橫谷次朗 , YOKOYA, JIRO , 中村剛 , NAKAMURA, TSUYOSHI , 仁藤豪人 , NITO, HIDETO
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/027 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/20 , G03F7/40

19. 发明专利

TWI551950B 光阻組成物及光阻圖型形成方法有权
简体标题：光阻组成物及光阻图型形成方法
公开(公告)号：TWI551950B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW102121973
申请日：2013-06-20
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：中村剛 , NAKAMURA, TSUYOSHI , 橫谷次朗 , YOKOYA, JIRO , 仁藤豪人 , NITO, HIDETO , 清水宏明 , SHIMIZU, HIROAKI
IPC分类号： G03F7/038 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/38 , Y10S430/12 , Y10S430/121

20. 发明专利

TWI464533B 光阻組成物，光阻圖型之形成方法，新穎化合物與酸產生劑有权
简体标题：光阻组成物，光阻图型之形成方法，新颖化合物与酸产生剂
公开(公告)号：TWI464533B
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：TW098123934
申请日：2009-07-15
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：內海義之 , UTSUMI, YOSHIYUKI , 石塚啟太 , ISHIDUKA, KEITA , 松澤賢介 , MATSUZAWA, KENSUKE , 川上晃也 , KAWAUE, AKIYA , 清水宏明 , SHIMIZU, HIROAKI , 中村剛 , NAKAMURA, TSUYOSHI
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027 , C07C309/12 , C07C381/12
CPC分类号： C07C381/12 , C07C309/12 , C07C2603/74 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041

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