专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

11. 发明专利

TWI379166B 保護膜形成用材料、光阻圖案的形成方法及保護膜洗淨除去液失效
简体标题：保护膜形成用材料、光阻图案的形成方法及保护膜洗净除去液
公开(公告)号：TWI379166B
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：TW096134995
申请日：2007-09-19
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：高山壽一 , 石塚啓太 , 羽田英夫 , 橫井滋
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/2041 , Y10S430/106 , Y10S430/146
摘要：提供一種保護膜形成用材料、光阻圖案的形成方法、及保護膜洗淨除去液，該保護膜係層積於光阻膜上之保護膜，能夠抑制來自光阻膜的放氣對曝光裝置的污染，對環境的影響小、具有高撥水性、且不容易與光阻膜產生混合，而能夠形成高解像的光阻圖案。
保護膜形成用材料係含有(a)非極性聚合物、及(b)非極性溶劑之保護膜形成用材料。又，提供一種使用該保護膜形成用材料之光阻圖案的形成方法、及在該光阻圖案的形成方法中所使用的保護膜洗淨除去液。
简体摘要：提供一种保护膜形成用材料、光阻图案的形成方法、及保护膜洗净除去液，该保护膜系层积于光阻膜上之保护膜，能够抑制来自光阻膜的放气对曝光设备的污染，对环境的影响小、具有高拨水性、且不容易与光阻膜产生混合，而能够形成高解像的光阻图案。保护膜形成用材料系含有(a)非极性聚合物、及(b)非极性溶剂之保护膜形成用材料。又，提供一种使用该保护膜形成用材料之光阻图案的形成方法、及在该光阻图案的形成方法中所使用的保护膜洗净除去液。

12. 发明专利

TW201235466A 微影製程用洗淨液及配線形成方法审中-公开
简体标题：微影制程用洗净液及配线形成方法
公开(公告)号：TW201235466A
公开(公告)日：2012-09-01
申请号：TW100103442
申请日：2011-01-28
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：大橋卓矢 , 高濱昌 , 江藤崇弘 , 森大二郎 , 橫井滋
IPC分类号： C11D , G03F , H01L
CPC分类号： H01L21/31133 , C11D7/06 , C11D7/3209 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02063 , H01L21/76814
摘要：本發明之課題係提供對於ILD材料之抑制腐蝕機能優異，且抗蝕膜及下層反射防止膜之除去性能亦優異之微影製程用洗淨液，以及使用此微影製程用洗淨液之配線形成方法。本發明之相關微影製程用洗淨液為含有4級氫氧化銨、水溶性有機溶劑、水及無機鹼。水溶性有機溶劑為含有偶極矩為3.0D以上之高極性溶劑、乙二醇醚系溶劑及多元醇；上述高極性溶劑與乙二醇醚系溶劑之合計含有量，相對於總量為30質量%以上。
简体摘要：本发明之课题系提供对于ILD材料之抑制腐蚀机能优异，且抗蚀膜及下层反射防止膜之除去性能亦优异之微影制程用洗净液，以及使用此微影制程用洗净液之配线形成方法。本发明之相关微影制程用洗净液为含有4级氢氧化铵、水溶性有机溶剂、水及无机碱。水溶性有机溶剂为含有偶极矩为3.0D以上之高极性溶剂、乙二醇醚系溶剂及多元醇；上述高极性溶剂与乙二醇醚系溶剂之合计含有量，相对于总量为30质量%以上。

13. 发明专利

TW201106117A 多層光阻層合體用剝離液及多層光阻層合體之處理方法审中-公开
简体标题：多层光阻层合体用剥离液及多层光阻层合体之处理方法
公开(公告)号：TW201106117A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：TW099108368
申请日：2010-03-22
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：原口高之 , 米村幸治 , 山下直紀 , 橫井滋 , 熊澤明 , 江藤崇弘
IPC分类号： G03F , C11D
摘要：本發明提供一種可同時剝離光阻膜及成為其下層之被膜之光阻剝離液。本發明提供一種多層光阻層合體用剝離液,其係用以對具有在基板上直接或透過其他層形成之無機系光阻下層膜與形成於前述無機系光阻下層膜上之光阻膜之多層光阻層合體,去除前述無機系光阻下層膜與前述光阻膜所用之多層光阻層合體用剝離液,其含有(A)四級銨氫氧化物、(B)水溶性有機溶劑及(C)水。
简体摘要：本发明提供一种可同时剥离光阻膜及成为其下层之被膜之光阻剥离液。本发明提供一种多层光阻层合体用剥离液,其系用以对具有在基板上直接或透过其他层形成之无机系光阻下层膜与形成于前述无机系光阻下层膜上之光阻膜之多层光阻层合体,去除前述无机系光阻下层膜与前述光阻膜所用之多层光阻层合体用剥离液,其含有(A)四级铵氢氧化物、(B)水溶性有机溶剂及(C)水。

14. 发明专利

TWI332126B 光阻用剝離液 PHOTORESIST STRIPPING SOLUTION 有权
简体标题：光阻用剥离液 PHOTORESIST STRIPPING SOLUTION
公开(公告)号：TWI332126B
公开(公告)日：2010-10-21
申请号：TW095116976
申请日：2006-05-12
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：橫井滋 , 山之內篤史
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/06 , C11D7/261 , C11D7/263 , C11D7/34 , C11D7/5004
摘要：本發明係提供一種由(a)季銨氫氧化物(如：四甲銨氫氧化物等)、與(b)至少1種選自二醇類、二醇醚類中之水溶性有機溶劑(如：丙二醇、乙二醇、二乙二醇單丁醚等)、及(c)非胺系水溶性有機溶媒(如：二甲亞碸、N－甲基－2－吡咯烷酮等)所成之光阻用剝離液。本發明光阻用剝離液對於液晶面板(crystal panel)之製造步驟所使用之丙烯酸系透明膜不致產生膨脹(swelling)、著色等不適，亦不致對於電極材料產生損害，且光阻剝離性佳，同時對於半導體元件之封裝(package)(特別是晶圓等級晶片尺寸之封裝(W－CSP)製造步驟所使用之厚膜負型光阻(感光性乾薄膜)之剝離性優異，對於銅之損害抑制效果亦為優異。
简体摘要：本发明系提供一种由(a)季铵氢氧化物(如：四甲铵氢氧化物等)、与(b)至少1种选自二醇类、二醇醚类中之水溶性有机溶剂(如：丙二醇、乙二醇、二乙二醇单丁醚等)、及(c)非胺系水溶性有机溶媒(如：二甲亚砜、N－甲基－2－吡咯烷酮等)所成之光阻用剥离液。本发明光阻用剥离液对于液晶皮肤(crystal panel)之制造步骤所使用之丙烯酸系透明膜不致产生膨胀(swelling)、着色等不适，亦不致对于电极材料产生损害，且光阻剥离性佳，同时对于半导体组件之封装(package)(特别是晶圆等级芯片尺寸之封装(W－CSP)制造步骤所使用之厚膜负型光阻(感光性干薄膜)之剥离性优异，对于铜之损害抑制效果亦为优异。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式