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11. 发明专利

TW200944070A 電漿處理裝置 PLASMA PROCESSING APPARATUS 审中-公开
简体标题：等离子处理设备 PLASMA PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TW200944070A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW098104108
申请日：2009-02-09
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：松本直樹 , 吉川潤 , 佐佐木勝 , 加藤和行 , 四方政史 , 高橋慎伍
IPC分类号： H05H
摘要：茲提供一種電漿處理裝置，其藉由在一介電質及狹縫之間定義一位置關係而具有高度改進之電漿點燃性質及點燃穩定性之特徵。一電漿處理裝置11包含一具有頂部開口之處理室12；一介電質15，在其底部表面上具有傾斜表面16a及16b，使得厚度尺寸連續地變化，並將該介電質配置成關閉該處理室12之該頂部開口；及一天線24，配置在該介電質15之一頂部表面上，用以供應微波至該介電質15，因而在該介電質15之該底部表面產生電漿。此外，該天線24設有複數個設置在該傾斜表面16a及16b之鉛直上方之狹縫25。
简体摘要：兹提供一种等离子处理设备，其借由在一介电质及狭缝之间定义一位置关系而具有高度改进之等离子点燃性质及点燃稳定性之特征。一等离子处理设备11包含一具有顶部开口之处理室12；一介电质15，在其底部表面上具有倾斜表面16a及16b，使得厚度尺寸连续地变化，并将该介电质配置成关闭该处理室12之该顶部开口；及一天线24，配置在该介电质15之一顶部表面上，用以供应微波至该介电质15，因而在该介电质15之该底部表面产生等离子。此外，该天线24设有复数个设置在该倾斜表面16a及16b之铅直上方之狭缝25。

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