专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

11. 发明专利

TW201123510A 一種含鈉絕緣層用於ＣＩＧＳ太陽電池之製作方式 A METHOD TO FABRICATE THE SODIUM-CONTAINED ISOLATION LAYER ON THE CIGS SOLAR CELL 审中-公开
简体标题：一种含钠绝缘层用于ＣＩＧＳ太阳电池之制作方式 A METHOD TO FABRICATE THE SODIUM-CONTAINED ISOLATION LAYER ON THE CIGS SOLAR CELL
公开(公告)号：TW201123510A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW098145448
申请日：2009-12-29
申请人：國防部軍備局中山科學研究院
发明人：倪國裕 , 梁仕昌 , 薄慧雲 , 曾百亨 , 李世偉 , 張尚紘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本案作法是一種含鈉絕緣層製作方式，將軟性基板與鉬間之絕緣層採用含鈉(Νa)成分之絕緣層，有助於鈉(Νa)自鉬金屬層擴散進入CIS或CIGS吸收層中，而改善其結晶結構與電性以致提升了電池效率。
简体摘要：本案作法是一种含钠绝缘层制作方式，将软性基板与钼间之绝缘层采用含钠(Νa)成分之绝缘层，有助于钠(Νa)自钼金属层扩散进入CIS或CIGS吸收层中，而改善其结晶结构与电性以致提升了电池效率。

12. 发明专利

TW201123462A 一種減少成份損失的硒化製程的方法 A SELENIZATION METHOD TO REDUCE THE MATERIAL LOSS 审中-公开
简体标题：一种减少成份损失的硒化制程的方法 A SELENIZATION METHOD TO REDUCE THE MATERIAL LOSS
公开(公告)号：TW201123462A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW098145447
申请日：2009-12-29
申请人：國防部軍備局中山科學研究院
发明人：蘇程裕 , 何偉豪 , 倪國裕 , 梁仕昌 , 薄慧雲
IPC分类号： H01L , C23C
摘要：本案作法是一種減少成份損失的硒化製程的方法，將不同形式堆疊硒與前驅物利用常壓變溫壓合方式，進行硒化反應，可有效成形成CI(G)S太陽電池吸收層薄膜。
简体摘要：本案作法是一种减少成份损失的硒化制程的方法，将不同形式堆栈硒与前驱物利用常压变温压合方式，进行硒化反应，可有效成形成CI(G)S太阳电池吸收层薄膜。

13. 发明专利

TW201113498A 抗彈陶瓷板的製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING BULLET-PROOF CERAMIC PLATE 审中-公开
简体标题：抗弹陶瓷板的制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING BULLET-PROOF CERAMIC PLATE
公开(公告)号：TW201113498A
公开(公告)日：2011-04-16
申请号：TW098134479
申请日：2009-10-12
申请人：國防部軍備局中山科學研究院
发明人：薄慧雲 , 魏肇男 , 陳俊雄 , 廖健鴻
IPC分类号： F41H , C04B
摘要：本發明揭露一種抗彈陶瓷板的製造方法,包含下列步驟:首先,混合氧化鋁、氧化矽、氧化鎂以及氧化鈣成為第一混合物。接著,研磨該第一混合物成為直徑小於0.5��m的粉末狀。之後,加入有機質、解膠劑、黏結劑以及潤滑劑與上述該粉末狀第一混合物混合成為第二混合物。進一步,利用噴霧造粒使該第二混合物成為直徑20-80��m的粉末狀。接著,壓製上述該粉末狀第二混合物以形成素胚。之後,燒結該素胚以形成抗彈陶瓷塊。最後,結合複數個上述該抗彈陶瓷塊,以形成該抗彈陶瓷板。
简体摘要：本发明揭露一种抗弹陶瓷板的制造方法,包含下列步骤:首先,混合氧化铝、氧化硅、氧化镁以及氧化钙成为第一混合物。接着,研磨该第一混合物成为直径小于0.5��m的粉末状。之后,加入有机质、解胶剂、黏结剂以及润滑剂与上述该粉末状第一混合物混合成为第二混合物。进一步,利用喷雾造粒使该第二混合物成为直径20-80��m的粉末状。接着,压制上述该粉末状第二混合物以形成素胚。之后,烧结该素胚以形成抗弹陶瓷块。最后,结合复数个上述该抗弹陶瓷块,以形成该抗弹陶瓷板。

14. 发明专利

TW201024440A 二氧化錫緻密化濺射靶材 HIGH DENSITY SNO2 TARGET FOR SPUTTERING PROCESS 审中-公开
简体标题：二氧化锡致密化溅射靶材 HIGH DENSITY SNO2 TARGET FOR SPUTTERING PROCESS
公开(公告)号：TW201024440A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：TW097150360
申请日：2008-12-24
申请人：國防部軍備局中山科學研究院
发明人：薄慧雲 , 魏肇男 , 方冠榮 , 溫騰億
IPC分类号： C23C
摘要：本發明係為一種靶材具高導電性及高緻密化製造方法，係藉由二氧化錫(SnO2)添加過渡金屬氧化物(如：氧化銻及氧化銅)，使其塊材室溫導電率上升1000~10000倍，並藉由氧化銅的液相燒結，改善靶材的緻密性，因此同時添加兩種過渡氧化物，可達到靶材導電性質及燒結緻密性的提升效果，製備出兼具高緻密化及良好導電性之靶材材料。
简体摘要：本发明系为一种靶材具高导电性及高致密化制造方法，系借由二氧化锡(SnO2)添加过渡金属氧化物(如：氧化锑及氧化铜)，使其块材室温导电率上升1000~10000倍，并借由氧化铜的液相烧结，改善靶材的致密性，因此同时添加两种过渡氧化物，可达到靶材导电性质及烧结致密性的提升效果，制备出兼具高致密化及良好导电性之靶材材料。

15. 发明专利

TW201425632A 摻雜鈧之二氧化鉿層及其應用审中-公开
简体标题：掺杂钪之二氧化铪层及其应用
公开(公告)号：TW201425632A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW101148620
申请日：2012-12-20
申请人：國防部軍備局中山科學研究院 , CHUNG SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：蔡毅龍 , TSAI, YI LUNG , 薄慧雲 , BOR, HUI YUN , 魏肇男 , WEI, CHAO NAN , 伍員鵬 , WU, YUAN PANG , 王錫福 , WANG, SEA FUE , 陳弘軒 , CHEN, HONG SYUAN
IPC分类号： C23C16/40 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L29/772 , H01L29/92
摘要：本發明提供一種摻雜鈧之二氧化鉿層，其包含二氧化鉿(HfO2)以及鈧，其中以該摻雜鈧之二氧化鉿層之總原子百分比(at%)為基準，鈧之摻雜量係介於3至13 at%之間。本發明更提供一種金屬-氧化物-金屬電容，其係包含該摻雜鈧之二氧化鉿層。本發明又提供一種金屬氧化物半導體場效電晶體，其係包含該摻雜鈧之二氧化鉿層。本發明又提供一種電阻式記憶體，其係包含該金屬-氧化物-金屬電容。本發明又提供一種非揮發性的記憶體，其係包含該金屬氧化物半導體場效電晶體。由於該摻雜鈧之二氧化鉿層之鈧之摻雜量介於3至13 at%之間，故該摻雜鈧之二氧化鉿層之漏電流大幅下降。
简体摘要：本发明提供一种掺杂钪之二氧化铪层，其包含二氧化铪(HfO2)以及钪，其中以该掺杂钪之二氧化铪层之总原子百分比(at%)为基准，钪之掺杂量系介于3至13 at%之间。本发明更提供一种金属-氧化物-金属电容，其系包含该掺杂钪之二氧化铪层。本发明又提供一种金属氧化物半导体场效应管，其系包含该掺杂钪之二氧化铪层。本发明又提供一种电阻式内存，其系包含该金属-氧化物-金属电容。本发明又提供一种非挥发性的内存，其系包含该金属氧化物半导体场效应管。由于该掺杂钪之二氧化铪层之钪之掺杂量介于3至13 at%之间，故该掺杂钪之二氧化铪层之漏电流大幅下降。

16. 实用新型

TWM471360U 一種ＣＩＧＳ薄膜太陽電池前驅層結構有权
简体标题：一种ＣＩＧＳ薄膜太阳电池前驱层结构
公开(公告)号：TWM471360U
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW101225117
申请日：2012-12-26
申请人：國防部軍備局中山科學研究院 , CHUNG SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：吳政翰 , 倪國裕 , NIEH, CUO YO , 薄慧雲 , BOR, HUI YUN , 林義成 , LIN, YI CHENG , 徐敬堯 , HSU, CHING YAO , 李哲偉 , LI, ZHE WEI
IPC分类号： B32B15/00 , H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/50

17. 发明专利

TW201141813A 一種提昇儲氫合金性能的熔製坩堝處理方法 A SMELTING METHOD TO IMPROVE THE HYDROGEN CAPACITY OF METAL HYDRIDES 审中-公开
简体标题：一种提升储氢合金性能的熔制坩埚处理方法 A SMELTING METHOD TO IMPROVE THE HYDROGEN CAPACITY OF METAL HYDRIDES
公开(公告)号：TW201141813A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW099116939
申请日：2010-05-27
申请人：國防部軍備局中山科學研究院
发明人：伍員鵬 , 薄慧雲 , 廖健鴻 , 劉明浩
IPC分类号： C04B , C01B
CPC分类号： Y02E60/327
摘要：本發明係針對含有大量高活性鈦、鋯、釩或稀土等元素之儲氫合金，提供一種適合工業大量連續生產，同時所得到的合金產物又具有合金成份均勻、雜質含量低與吸放氫性能優異的熔製方法。其特徵主要在於將含有氧化釔之漿體塗佈於耐火氧化物坩堝表層，並經高溫燒結，使得氧化釔擴散進入耐火氧化物表層形成含部分耐火氧化物之富氧化釔固溶相，使後續之真空感應熔煉中，儲氫合金中含有之熔融鈦、鋯、釩與稀土等高活性元素與耐火氧化物之反應被氧化釔固溶相所阻絕。
简体摘要：本发明系针对含有大量高活性钛、锆、钒或稀土等元素之储氢合金，提供一种适合工业大量连续生产，同时所得到的合金产物又具有合金成份均匀、杂质含量低与吸放氢性能优异的熔制方法。其特征主要在于将含有氧化钇之浆体涂布于耐火氧化物坩埚表层，并经高温烧结，使得氧化钇扩散进入耐火氧化物表层形成含部分耐火氧化物之富氧化钇固溶相，使后续之真空感应熔炼中，储氢合金中含有之熔融钛、锆、钒与稀土等高活性元素与耐火氧化物之反应被氧化钇固溶相所阻绝。

18. 发明专利

TW201122145A 成長硒化物薄膜的硒化方法及其硒化裝置审中-公开
简体标题：成长硒化物薄膜的硒化方法及其硒化设备
公开(公告)号：TW201122145A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW098144185
申请日：2009-12-22
申请人：國防部軍備局中山科學研究院
发明人：龔志榮 , 蕭聖右 , 楊竣雄 , 倪國裕 , 梁仕昌 , 薄慧雲
IPC分类号： C23C
摘要：一種成長硒化物薄膜的硒化裝置，包含容置有一金屬層的一腔體、用於加熱該腔體的一加熱單元，及與該腔體連通的一通氣管路。其硒化方法主要是透過該通氣管路導引充滿有機硒的前驅氣體進入該腔體內，使有機硒受熱後裂解，產生與該金屬層反應的硒，形成一硒化物薄膜。藉此，利用有機硒毒性低、裂解溫度低、可在常壓下存放，及參與反應的特性，大幅提升環境安全，降低設備成本，及縮減製程時間，進而提升經濟效益。
简体摘要：一种成长硒化物薄膜的硒化设备，包含容置有一金属层的一腔体、用于加热该腔体的一加热单元，及与该腔体连通的一通气管路。其硒化方法主要是透过该通气管路导引充满有机硒的前驱气体进入该腔体内，使有机硒受热后裂解，产生与该金属层反应的硒，形成一硒化物薄膜。借此，利用有机硒毒性低、裂解温度低、可在常压下存放，及参与反应的特性，大幅提升环境安全，降低设备成本，及缩减制程时间，进而提升经济效益。

19. 发明专利

TW201112423A 一種均質緻密ＣＩＳ薄膜之製作方法 A METHOD TO PRODUCE THE HOMOGENOUS AND FINE CIS LAYER 审中-公开
简体标题：一种均质致密ＣＩＳ薄膜之制作方法 A METHOD TO PRODUCE THE HOMOGENOUS AND FINE CIS LAYER
公开(公告)号：TW201112423A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW098132043
申请日：2009-09-23
申请人：國防部軍備局中山科學研究院
发明人：倪國裕 , 梁仕昌 , 薄慧雲 , 曾百亨 , 李世偉 , 簡唯倫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：一般典型的CuInSe2(簡稱CIS)硒化製程大都是利用蒸鍍或濺鍍的方法將適當厚度的銅和銦之前驅物(precursor)薄膜先鍍上基板,然後在硒蒸氣或H2Se氣體的環境下加熱進行硒化(selenization)反應。在基板不加熱時前驅物的鍍膜過程中,先後分別鍍製的銅、銦兩層薄膜便會自行反應,形成銅銦合金相。而這些相的形成與分佈不均將會影響後續硒化反應後CIS薄膜之化學組成均勻度,尤其是快速加熱(rapid thermal annealing)方式進行硒化之製程。本案作法是一種均質緻密CIS薄膜之製作方法,藉由一適當厚度之鋁薄層安插於銅與銦層之間以隔離銅與銦於鍍膜時之先期反應所產生的銅銦合金相,有助於硒化反應後得到較均勻的化學組成以及具有較佳特性之CIS薄膜。
简体摘要：一般典型的CuInSe2(简称CIS)硒化制程大都是利用蒸镀或溅镀的方法将适当厚度的铜和铟之前驱物(precursor)薄膜先镀上基板,然后在硒蒸气或H2Se气体的环境下加热进行硒化(selenization)反应。在基板不加热时前驱物的镀膜过程中,先后分别镀制的铜、铟两层薄膜便会自行反应,形成铜铟合金相。而这些相的形成与分布不均将会影响后续硒化反应后CIS薄膜之化学组成均匀度,尤其是快速加热(rapid thermal annealing)方式进行硒化之制程。本案作法是一种均质致密CIS薄膜之制作方法,借由一适当厚度之铝薄层安插于铜与铟层之间以隔离铜与铟于镀膜时之先期反应所产生的铜铟合金相,有助于硒化反应后得到较均匀的化学组成以及具有较佳特性之CIS薄膜。

20. 发明专利

TWI334447B 鈦鎳功能性材料的熔製方法 METHOD FOR PRODUCING ACTIVE NI-TI BASED ALLOYS 有权
简体标题：钛镍功能性材料的熔制方法 METHOD FOR PRODUCING ACTIVE NI-TI BASED ALLOYS
公开(公告)号：TWI334447B
公开(公告)日：2010-12-11
申请号：TW095132290
申请日：2006-09-01
申请人：國防部軍備局中山科學研究院
发明人：伍員鵬 , 薄慧雲 , 鄭榮瑞 , 劉明浩
IPC分类号： C22F , C22C
摘要：本發明係提供一種能用於工業大量連續生產同時又擁有合金主成份組成準確、成份均勻、雜質含量低且加工性能優異之鈦鎳功能性材料的熔製方法。其特徵為，在坩堝處理階段以攙有相對於氧化釔重量百分比7~16%之二氧化矽於氧化釔漿體中並塗佈燒結於傳統之氧化物坩堝表面，在熔煉階段則在第一爐次之熔煉上將純鎳與純鈦原料分離，先加熱純鎳至熔點附近，再將感應線圈之加熱功率控制在最小剛好使鎳金屬液呈黏滯狀態下維持約三十分鐘後再緩緩添加純鈦，待原料全熔並受磁力線之攪拌均勻後澆注而成。
简体摘要：本发明系提供一种能用于工业大量连续生产同时又拥有合金主成份组成准确、成份均匀、杂质含量低且加工性能优异之钛镍功能性材料的熔制方法。其特征为，在坩埚处理阶段以搀有相对于氧化钇重量百分比7~16%之二氧化硅于氧化钇浆体中并涂布烧结于传统之氧化物坩埚表面，在熔炼阶段则在第一炉次之熔炼上将纯镍与纯钛原料分离，先加热纯镍至熔点附近，再将感应线圈之加热功率控制在最小刚好使镍金属液呈黏滞状态下维持约三十分钟后再缓缓添加纯钛，待原料全熔并受磁力线之搅拌均匀后浇注而成。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式