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11. 发明专利

TW202015179A 積體電路封裝及其形成方法审中-公开
简体标题：集成电路封装及其形成方法
公开(公告)号：TW202015179A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108120472
申请日：2019-06-13
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳明發 , CHEN, MING-FA , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN-WEI
IPC分类号： H01L21/78 , H01L25/065
摘要：一種封裝及其形成方法。一種方法包括形成第一晶粒結構。所述第一晶粒結構包括結合至載體的晶粒堆疊及堆疊式擬結構。形成第二晶粒結構。所述第二晶粒結構包括第一積體電路晶粒。藉由將所述晶粒堆疊的最頂部積體電路晶粒結合至所述第一積體電路晶粒來將所述第一晶粒結構結合至所述第二晶粒結構。所述晶粒堆疊的所述最頂部積體電路晶粒是所述晶粒堆疊中距所述載體最遠的積體電路晶粒。對所述第一晶粒結構執行單體化製程，以形成多個單獨的晶粒結構。所述單體化製程將所述堆疊式擬結構單體化成多個單獨的堆疊式擬結構。
简体摘要：一种封装及其形成方法。一种方法包括形成第一晶粒结构。所述第一晶粒结构包括结合至载体的晶粒堆栈及堆栈式拟结构。形成第二晶粒结构。所述第二晶粒结构包括第一集成电路晶粒。借由将所述晶粒堆栈的最顶部集成电路晶粒结合至所述第一集成电路晶粒来将所述第一晶粒结构结合至所述第二晶粒结构。所述晶粒堆栈的所述最顶部集成电路晶粒是所述晶粒堆栈中距所述载体最远的集成电路晶粒。对所述第一晶粒结构运行单体化制程，以形成多个单独的晶粒结构。所述单体化制程将所述堆栈式拟结构单体化成多个单独的堆栈式拟结构。

12. 发明专利

TW202004926A 半導體結構及積體電路封裝的形成方法审中-公开
简体标题：半导体结构及集成电路封装的形成方法
公开(公告)号：TW202004926A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW107140008
申请日：2018-11-12
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳憲偉 , CHEN, HSIEN-WEI , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 陳明發 , CHEN, MING-FA
IPC分类号： H01L21/50 , H01L23/02 , H01L23/34
摘要：本發明實施例提供了一種封裝及其形成方法。所述封裝包括：晶粒堆疊，接合到載板，所述晶粒堆疊包括第一積體電路晶粒，所述第一積體電路晶粒是所述晶粒堆疊的距離所述載板最遠的積體電路晶粒，所述第一積體電路晶粒的前側面對所述載板；晶粒結構，接合到所述晶粒堆疊，所述晶粒結構包括第二積體電路晶粒，所述第一積體電路晶粒的背側與所述第二積體電路晶粒的背側實體接觸，所述第一積體電路晶粒的背側與前側相反；散熱結構，接合到所述晶粒結構並鄰近所述晶粒堆疊；以及包封體，沿著所述晶粒堆疊的側壁和所述散熱結構的側壁延伸。
简体摘要：本发明实施例提供了一种封装及其形成方法。所述封装包括：晶粒堆栈，接合到载板，所述晶粒堆栈包括第一集成电路晶粒，所述第一集成电路晶粒是所述晶粒堆栈的距离所述载板最远的集成电路晶粒，所述第一集成电路晶粒的前侧面对所述载板；晶粒结构，接合到所述晶粒堆栈，所述晶粒结构包括第二集成电路晶粒，所述第一集成电路晶粒的背侧与所述第二集成电路晶粒的背侧实体接触，所述第一集成电路晶粒的背侧与前侧相反；散热结构，接合到所述晶粒结构并邻近所述晶粒堆栈；以及包封体，沿着所述晶粒堆栈的侧壁和所述散热结构的侧壁延伸。

13. 发明专利

TWI682449B 封裝件及其製造方法有权
简体标题：封装件及其制造方法
公开(公告)号：TWI682449B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW107140531
申请日：2018-11-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳明發 , CHEN, MING-FA , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN-WEI
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/60 , H01L23/488

14. 发明专利

TWI681476B 具有無矽基底插板的封裝及其形成方法有权
简体标题：具有无硅基底插板的封装及其形成方法
公开(公告)号：TWI681476B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW106135557
申请日：2017-10-17
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳明發 , CHEN, MING-FA , 余振華 , YU, CHEN-HUA
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/522

15. 发明专利

TWI648839B 具有內連結構的裝置及其製造方法有权
简体标题：具有内链接构的设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI648839B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW106136035
申请日：2017-10-20
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳英儒 , CHEN, YING-JU , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN-WEI , 陳明發 , CHEN, MING-FA , 胡致嘉 , HU, CHIH-CHIA
IPC分类号： H01L23/535 , H01L21/60

16. 发明专利

TW201712836A 三維積體電路結構审中-公开
简体标题：三维集成电路结构
公开(公告)号：TW201712836A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105131506
申请日：2016-09-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：袁景濱 , YUAN, CHING-PIN , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 陳明發 , CHEN, MING-FA , 葉松峯 , YEH, SUNG-FENG
IPC分类号： H01L23/522
CPC分类号： H01L25/074 , G02B6/12002 , G02B6/4214 , G02B6/43 , H01L21/768 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L24/19 , H01L24/25 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L25/167 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L31/12 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/18 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/18162
摘要：一種三維積體電路（3DIC）結構包括第一IC晶片和第二IC晶片。第一IC晶片包括第一金屬化結構、第一光學主動元件和第一光子內連線層。第二IC晶片包括第二金屬化結構、第二光學主動元件和第二光子內連線層。第一IC晶片和第二IC晶片藉由第一光子內連線層和第二光子內連線層接合。第一光學主動元件位於第一光子內連線層和第一金屬化結構之間。第一光學主動元件和第一金屬化結構彼此接合。第二光學主動元件位於第二光子內連線層和第二金屬化結構之間。第二光學主動元件和第二金屬化結構彼此接合。
简体摘要：一种三维集成电路（3DIC）结构包括第一IC芯片和第二IC芯片。第一IC芯片包括第一金属化结构、第一光学主动组件和第一光子内连接层。第二IC芯片包括第二金属化结构、第二光学主动组件和第二光子内连接层。第一IC芯片和第二IC芯片借由第一光子内连接层和第二光子内连接层接合。第一光学主动组件位于第一光子内连接层和第一金属化结构之间。第一光学主动组件和第一金属化结构彼此接合。第二光学主动组件位于第二光子内连接层和第二金属化结构之间。第二光学主动组件和第二金属化结构彼此接合。

17. 发明专利

TWI686876B 三維積體電路結構及其製造方法有权
简体标题：三维集成电路结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI686876B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW106115570
申请日：2017-05-11
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳英儒 , CHEN, YING-JU , 吳集錫 , WU, CHI-HSI , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN-WEI , 陳明發 , CHEN, MING-FA
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/28

18. 发明专利

TWI669791B 封裝及其形成方法有权
简体标题：封装及其形成方法
公开(公告)号：TWI669791B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW107127228
申请日：2018-08-06
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳明發 , CHEN, MING-FA , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN-WEI , 胡致嘉 , HU, CHIH-CHIA
IPC分类号： H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/528

19. 发明专利

TWI653695B 封裝體及其形成方法有权
简体标题：封装体及其形成方法
公开(公告)号：TWI653695B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW106135279
申请日：2017-10-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳明發 , CHEN, MING-FA , 余振華 , YU, CHEN-HUA
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/532 , H01L23/36

20. 发明专利

TW201822311A 用於散熱的封裝結構的製造方法审中-公开
简体标题：用于散热的封装结构的制造方法
公开(公告)号：TW201822311A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106138857
申请日：2017-11-10
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：余振華 , YU, CHEN-HUA , 陳明發 , CHEN, MING-FA , 葉松峯 , YEH, SUNG-FENG
IPC分类号： H01L23/34 , H01L23/28
摘要：提供一種封裝結構及其製造方法，其中提供用於散熱的散熱特徵。散熱特徵包括形成在晶粒堆疊中的導電通孔、熱晶片及熱金屬主體，所述形成在晶粒堆疊中的導電通孔、所述熱晶片及所述熱金屬主體可結合到晶圓級裝置。包括晶片至晶片、晶片至晶圓，及晶圓至晶圓的混合結合在不必穿越例如共晶材料等結合材料的情況下提供導熱性。對封裝結構進行等離子體切割可提供用於與熱介面材料進行界接的平滑側壁輪廓。
简体摘要：提供一种封装结构及其制造方法，其中提供用于散热的散热特征。散热特征包括形成在晶粒堆栈中的导电通孔、热芯片及热金属主体，所述形成在晶粒堆栈中的导电通孔、所述热芯片及所述热金属主体可结合到晶圆级设备。包括芯片至芯片、芯片至晶圆，及晶圆至晶圆的混合结合在不必穿越例如共晶材料等结合材料的情况下提供导热性。对封装结构进行等离子体切割可提供用于与热界面材料进行界接的平滑侧壁轮廓。

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