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11. 发明专利

TW201727934A 發光裝置及發光裝置之製造方法审中-公开
简体标题：发光设备及发光设备之制造方法
公开(公告)号：TW201727934A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105102966
申请日：2016-01-29
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：張正杰 , CHANG, CHENG-CHIEH , 吳宗典 , WU, TSUNG-TIEN , 楊文瑋 , YANG, WEN-WEI , 林宗毅 , LIN, TSUNG-YI
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2933/0066
摘要：發光裝置包括基板、發光晶片、第一電極及第二電極。發光晶片包括第一半導體層及第二半導體層。第一半導體層設置於基板上。第二半導體層堆疊於第一半導體層上，且與第一半導體層之間形成一發光接面。第一電極電性連接於第一半導體層，且與第二半導體層電性絕緣。第二電極電性連接於第二半導體層，且與第一電極電性絕緣。發光裝置另可包括透光層，此透光層設置於基板上且圍繞並接觸發光晶片之側面。透光層之折射率可介於發光晶片之折射率及真空之折射率之間。第一電極可貫穿第二半導體層以電性連接於第一半導體層。
简体摘要：发光设备包括基板、发光芯片、第一电极及第二电极。发光芯片包括第一半导体层及第二半导体层。第一半导体层设置于基板上。第二半导体层堆栈于第一半导体层上，且与第一半导体层之间形成一发光接面。第一电极电性连接于第一半导体层，且与第二半导体层电性绝缘。第二电极电性连接于第二半导体层，且与第一电极电性绝缘。发光设备另可包括透光层，此透光层设置于基板上且围绕并接触发光芯片之侧面。透光层之折射率可介于发光芯片之折射率及真空之折射率之间。第一电极可贯穿第二半导体层以电性连接于第一半导体层。

12. 发明专利

TW201810637A 微型發光二極體結構及其畫素單元與發光二極體顯示面板审中-公开
简体标题：微型发光二极管结构及其像素单元与发光二极管显示皮肤
公开(公告)号：TW201810637A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW105112553
申请日：2016-04-22
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：楊文瑋 , YANG, WEN-WEI , 吳宗典 , WU, TSUNG-TIEN , 張正杰 , CHANG, CHENG-CHIEH
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/58
CPC分类号： H01L27/156 , H01L33/24 , H01L33/405
摘要：本發明提供一種微型發光二極體結構，其包括發光堆疊層、絕緣層、第一電極與第二電極。發光堆疊層包含四角柱體並設於基底上，其中四角柱體包括第一側壁、第二側壁、第三側壁以及第四側壁，且四角柱體的頂部具有凹槽，第一側壁、第二側壁、第三側壁以及第四側壁與基底表面分別具有小於90度的夾角。絕緣層覆蓋第一側壁、第三側壁以及部分頂部。第一電極覆蓋發光堆疊層的第一側壁、四角柱體頂部上的部分絕緣層以及凹槽的底部表面。第二電極覆蓋第三側壁以及四角柱體頂部上的部分絕緣層，藉由絕緣層的開口接觸發光堆疊層。
简体摘要：本发明提供一种微型发光二极管结构，其包括发光堆栈层、绝缘层、第一电极与第二电极。发光堆栈层包含四角柱体并设于基底上，其中四角柱体包括第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁以及第四侧壁，且四角柱体的顶部具有凹槽，第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁以及第四侧壁与基底表面分别具有小于90度的夹角。绝缘层覆盖第一侧壁、第三侧壁以及部分顶部。第一电极覆盖发光堆栈层的第一侧壁、四角柱体顶部上的部分绝缘层以及凹槽的底部表面。第二电极覆盖第三侧壁以及四角柱体顶部上的部分绝缘层，借由绝缘层的开口接触发光堆栈层。

13. 发明专利

TWI588985B 微型發光二極體結構及其畫素單元與發光二極體顯示面板有权
简体标题：微型发光二极管结构及其像素单元与发光二极管显示皮肤
公开(公告)号：TWI588985B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW105112553
申请日：2016-04-22
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：楊文瑋 , YANG, WEN-WEI , 吳宗典 , WU, TSUNG-TIEN , 張正杰 , CHANG, CHENG-CHIEH
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/58
CPC分类号： H01L27/156 , H01L33/24 , H01L33/405

14. 发明专利

TWI581455B 發光裝置及發光裝置之製造方法有权
简体标题：发光设备及发光设备之制造方法
公开(公告)号：TWI581455B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105102966
申请日：2016-01-29
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：張正杰 , CHANG, CHENG-CHIEH , 吳宗典 , WU, TSUNG-TIEN , 楊文瑋 , YANG, WEN-WEI , 林宗毅 , LIN, TSUNG-YI
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2933/0066

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