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11. 发明专利

TWI507666B 光偵測器電路有权
简体标题：光侦测器电路
公开(公告)号：TWI507666B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW100104908
申请日：2011-02-15
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：黑川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI , 池田隆之 , IKEDA, TAKAYUKI , 田村輝 , TAMURA, HIKARU
IPC分类号： G01J1/44 , H01L31/10 , H04N5/335
CPC分类号： H01L31/0224 , H01L27/1443 , H01L27/14632 , H04N5/335 , H04N5/365

12. 发明专利

TWI485857B 薄膜電晶體及具有該薄膜電晶體的顯示裝置有权
简体标题：薄膜晶体管及具有该薄膜晶体管的显示设备
公开(公告)号：TWI485857B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW097142519
申请日：2008-11-04
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小林聰 , KOBAYASHI, SATOSHI , 黑川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI , 鄉戶宏充 , GODO, HIROMICHI
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/04 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L29/41733 , H01L29/66765 , H01L29/78696

13. 发明专利

TWI483400B 薄膜電晶體，具有該薄膜電晶體的顯示裝置，和其製造方法有权
简体标题：薄膜晶体管，具有该薄膜晶体管的显示设备，和其制造方法
公开(公告)号：TWI483400B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW097137938
申请日：2008-10-02
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 黑川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI , 神保安弘 , JINBO, YASUHIRO , 小林聰 , KOBAYASHI, SATOSHI , 河江大輔 , KAWAE, DAISUKE
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/4908 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/04 , H01L29/41733 , H01L29/66765 , H01L29/78696

14. 发明专利

TW201507167A 薄膜電晶體，具有該薄膜電晶體的顯示裝置，和其製造方法审中-公开
简体标题：薄膜晶体管，具有该薄膜晶体管的显示设备，和其制造方法
公开(公告)号：TW201507167A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103137795
申请日：2008-10-02
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 黑川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI , 神保安弘 , JINBO, YASUHIRO , 小林聰 , KOBAYASHI, SATOSHI , 河江大輔 , KAWAE, DAISUKE
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12
CPC分类号： H01L29/66765 , H01L28/40 , H01L29/04 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/78696
摘要：本發明提供一種電特性優越的薄膜電晶體、以及包括該薄膜電晶體的顯示裝置、和這些的製造方法。該薄膜電晶體包括：形成在閘極電極上的閘極絕緣膜；形成在閘極絕緣膜上的微晶半導體膜；形成在微晶半導體膜上的一對緩衝層；形成在一對緩衝層上的添加有賦予一種導電型的雜質元素的一對半導體膜；形成在添加有賦予一種導電型的雜質元素的一對半導體膜上的佈線，其中，在閘極絕緣膜的一部分或全部或者微晶半導體膜的一部分或全部包含成為施體的雜質元素。
简体摘要：本发明提供一种电特性优越的薄膜晶体管、以及包括该薄膜晶体管的显示设备、和这些的制造方法。该薄膜晶体管包括：形成在闸极电极上的闸极绝缘膜；形成在闸极绝缘膜上的微晶半导体膜；形成在微晶半导体膜上的一对缓冲层；形成在一对缓冲层上的添加有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜；形成在添加有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜上的布线，其中，在闸极绝缘膜的一部分或全部或者微晶半导体膜的一部分或全部包含成为施体的杂质元素。

15. 发明专利

TWI470805B 薄膜電晶體，具有該薄膜電晶體的顯示裝置，和其製造方法有权
简体标题：薄膜晶体管，具有该薄膜晶体管的显示设备，和其制造方法
公开(公告)号：TWI470805B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW097137937
申请日：2008-10-02
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 黑川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI , 神保安弘 , JINBO, YASUHIRO , 小林聰 , KOBAYASHI, SATOSHI , 河江大輔 , KAWAE, DAISUKE
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66765 , H01L28/40 , H01L29/04 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/78696

16. 发明专利

TW201432353A 顯示裝置审中-公开
简体标题：显示设备
公开(公告)号：TW201432353A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW103112133
申请日：2010-11-03
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：黑川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI , 池田隆之 , IKEDA, TAKAYUKI , 田村輝 , TAMURA, HIKARU , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： G02F1/1333 , G02F1/136 , G06F3/042 , G09F9/00
CPC分类号： G06F3/0421 , G02F1/13338 , G06F3/0412 , G06F3/0416 , G06F3/042 , G06F2203/04101 , H01L27/1225 , H01L27/14612 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14649 , H01L27/14678 , H01L29/7869
摘要：顯示裝置包括配置有觸控感測器及包括氧化物半導體層的薄膜電晶體的顯示面板。當檢測物件接近於顯示面板並遮避外光時，由光感測器檢測出投影到顯示面板的影子，由此檢測出檢測物件的位置或動作。即使檢測物件沒有接觸到顯示面板也可以檢測出檢測物件。
简体摘要：显示设备包括配置有触摸传感器及包括氧化物半导体层的薄膜晶体管的显示皮肤。当检测对象接近于显示皮肤并遮避外光时，由光传感器检测出投影到显示皮肤的影子，由此检测出检测对象的位置或动作。即使检测对象没有接触到显示皮肤也可以检测出检测对象。

17. 发明专利

TWI442398B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI442398B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW096148787
申请日：2007-12-19
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：井上卓之 , INOUE, TAKAYUKI , 黑川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI
IPC分类号： G11C11/4076 , G11C8/10
CPC分类号： G11C5/141 , G11C5/142 , G11C29/70

18. 发明专利

TW201304534A 半導體裝置及其驅動方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其驱动方法
公开(公告)号：TW201304534A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101109660
申请日：2012-03-21
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：黑川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI
IPC分类号： H04N5/3745 , H04N5/335
CPC分类号： H03M1/123 , H03M1/56
摘要：本發明係提供一種包括一類比/數位轉換器電路的半導體裝置，其可以高精確度與高解析度執行類比/數位轉換，並可縮小尺寸。一個迴路電阻佈線係由複數個電源供應開關與複數個輸出電路共用，並且用到一使用該電阻佈線與該複數個電源供應開關以產生一三角(階形)波之參考電壓。因此，此一類比/數位轉換器電路在作為一輸出電路時可縮小尺寸，並獲得高精確度數位訊號，而不需使用一複雜的電路結構。此外，該類比/數位轉換器電路的構成元件的數目小，因此在平行提供類比/數位轉換器電路的情形下，該等類比/數位轉換器電路之間的變異可被縮小。
简体摘要：本发明系提供一种包括一模拟/数码转换器电路的半导体设备，其可以高精确度与高分辨率运行模拟/数码转换，并可缩小尺寸。一个回路电阻布线系由复数个电源供应开关与复数个输出电路共享，并且用到一使用该电阻布线与该复数个电源供应开关以产生一三角(阶形)波之参考电压。因此，此一模拟/数码转换器电路在作为一输出电路时可缩小尺寸，并获得高精确度数码信号，而不需使用一复杂的电路结构。此外，该模拟/数码转换器电路的构成组件的数目小，因此在平行提供模拟/数码转换器电路的情形下，该等模拟/数码转换器电路之间的变异可被缩小。

19. 发明专利

TWI611244B 光偵測器，液晶顯示裝置，和發光裝置有权
简体标题：光侦测器，液晶显示设备，和发光设备
公开(公告)号：TWI611244B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW104128804
申请日：2010-08-06
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：黑川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI , 池田隆之 , IKEDA, TAKAYUKI
IPC分类号： G02F1/1335 , H01L27/144 , H01L31/0232 , G06F3/042
CPC分类号： H01L31/02327 , G02F1/133514 , G02F2001/13312 , H01L27/1446 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/3269 , H01L31/02164 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

20. 发明专利

TWI574079B 顯示裝置有权
简体标题：显示设备
公开(公告)号：TWI574079B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW105115976
申请日：2010-11-03
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：黑川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI , 池田隆之 , IKEDA, TAKAYUKI , 田村輝 , TAMURA, HIKARU , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： G02F1/1333 , G02F1/136 , G06F3/042 , G09F9/00
CPC分类号： G06F3/0421 , G02F1/13338 , G06F3/0412 , G06F3/0416 , G06F3/042 , G06F2203/04101 , H01L27/1225 , H01L27/14612 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14649 , H01L27/14678 , H01L29/7869

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