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11. 发明专利

TW200637189A 高頻電路、高頻電路零件及使用它之通信裝置 HIGH FREQUENCY CIRCUIT, HIGH FREQUENCY CIRCUIT COMPONENT AND THE COMMUNICATION DEVICE USING THE SAME 审中-公开
简体标题：高频电路、高频电路零件及使用它之通信设备 HIGH FREQUENCY CIRCUIT, HIGH FREQUENCY CIRCUIT COMPONENT AND THE COMMUNICATION DEVICE USING THE SAME
公开(公告)号：TW200637189A
公开(公告)日：2006-10-16
申请号：TW094143828
申请日：2005-12-12
申请人：日立金屬股份有限公司 HITACHI METALS, LTD.
发明人： 持茂 KEMMOCHI, SHIGERU , 萩原和弘 HAGIWARA, KAZUHIRO , 深町啓介 FUKAMACHI, KEISUKE , 山下貴弘 YAMASHITA, TAKAHIRO , 內田昌幸 UCHIDA, MASAYUKI , 渡邊光弘 WATANABE, MITSUHIRO
IPC分类号： H04B
CPC分类号： H04B1/12 , H04B1/006 , H04B1/3805 , H04B1/406 , H04B1/44
摘要：本發明係一種高頻電路，具備：高頻開關電路，係用於切換天線、和第一通信系統的發訊側電路、第一通信系統的收訊側電路以及第二通信系統的收發訊電路之三種連接；第一頻帶通過濾波器，係配置在前述天線和前述高頻開關電路之間；及平衡–不平衡變換電路，係配置在前述第一通信系統的收訊側電路和前述高頻開關電路之間。
简体摘要：本发明系一种高频电路，具备：高频开关电路，系用于切换天线、和第一通信系统的发讯侧电路、第一通信系统的收讯侧电路以及第二通信系统的收发讯电路之三种连接；第一频带通过滤波器，系配置在前述天线和前述高频开关电路之间；及平衡–不平衡变换电路，系配置在前述第一通信系统的收讯侧电路和前述高频开关电路之间。

12. 发明专利

TWI262216B 複合蒸鍍材料與由其所形成之複合蒸鍍膜 COMPOSITE UAPOR-DEPOSITION MATERIAL AND COMPOSITE DEPOSITED FILM FORMED BY THE SAME 有权
简体标题：复合蒸镀材料与由其所形成之复合蒸镀膜 COMPOSITE UAPOR-DEPOSITION MATERIAL AND COMPOSITE DEPOSITED FILM FORMED BY THE SAME
公开(公告)号：TWI262216B
公开(公告)日：2006-09-21
申请号：TW092113745
申请日：2003-05-21
申请人：日立金屬股份有限公司 HITACHI METALS, LTD.
发明人：古市真治
IPC分类号： C23C , B22F
摘要：本發明係提供一種適於形成具有機場致發光元件等低光反射率電極之複合蒸鍍材料。複合蒸鍍材料具有內部具模槽之低比電阻金屬包封與具有由填於其模槽之高蒸氣壓金屬粉末與低比電阻金屬粉末相互混合物所成之模蕊者。比電阻金屬粉末可以鋁進行製作之，高蒸氣壓金屬粉末可以錳，而低比電阻金屬粉末可以鋁製作之。以複合蒸鍍材料所蒸鍍之複合膜係由蒸鍍初期階段之低光反射率連續變化呈蒸鍍終期階段之低比電阻之組成。
简体摘要：本发明系提供一种适于形成具有机场致发光组件等低光反射率电极之复合蒸镀材料。复合蒸镀材料具有内部具模槽之低比电阻金属包封与具有由填于其模槽之高蒸气压金属粉末与低比电阻金属粉末相互混合物所成之模蕊者。比电阻金属粉末可以铝进行制作之，高蒸气压金属粉末可以锰，而低比电阻金属粉末可以铝制作之。以复合蒸镀材料所蒸镀之复合膜系由蒸镀初期阶段之低光反射率连续变化呈蒸镀终期阶段之低比电阻之组成。

13. 发明专利

TWI247812B 架線用鋁合金薄膜及形成該薄膜之濺射靶材料 ALUMINUM ALLOY FILM FOR WIRING AND SPUTTER TARGET MATERIAL FOR FORMING THE FILM 失效
简体标题：架线用铝合金薄膜及形成该薄膜之溅射靶材料 ALUMINUM ALLOY FILM FOR WIRING AND SPUTTER TARGET MATERIAL FOR FORMING THE FILM
公开(公告)号：TWI247812B
公开(公告)日：2006-01-21
申请号：TW093135175
申请日：2004-11-17
申请人：日立金屬股份有限公司 HITACHI METALS, LTD.
发明人：村田英夫 MURATA, HIDEO
IPC分类号： C22C , C23C
CPC分类号： H01L23/53219 , C23C14/3414 , G02F2001/136295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明所揭示者為一種架線用之Al合金薄膜，其以原子計算由0.2至1.5%Ge和0.2至2.5%Ni，且餘額主要為 Al組成，其中Ge和Ni之合計用量不多於3.0%。本發明亦針對一種具有如Al合金薄膜相同化學組成之潑射靶材料。
简体摘要：本发明所揭示者为一种架线用之Al合金薄膜，其以原子计算由0.2至1.5%Ge和0.2至2.5%Ni，且余额主要为 Al组成，其中Ge和Ni之合计用量不多于3.0%。本发明亦针对一种具有如Al合金薄膜相同化学组成之泼射靶材料。

14. 发明专利

TW200520661A 多層陶瓷基板,其製造方法及包含此種基板的電子裝置 MULTI-LAYERED CERAMIC SUBSTRATE AND ITS PRODUCTION METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING SAME 审中-公开
简体标题：多层陶瓷基板,其制造方法及包含此种基板的电子设备 MULTI-LAYERED CERAMIC SUBSTRATE AND ITS PRODUCTION METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING SAME
公开(公告)号：TW200520661A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：TW093131354
申请日：2004-10-15
申请人：日立金屬股份有限公司 HITACHI METALS, LTD.
发明人：種井平吉 TANEI, HIRAYOSHI , 上田到 UEDA, ITARU , 市川耕司 ICHIKAWA, KOJI , 恒松裕之 TSUNEMATSU, HIROYUKI , 池田初男 IKEDA, HATSUO
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H01L21/481 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/15153 , H01L2924/15174 , H01L2924/1531 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H05K1/0306 , H05K3/0052 , H05K3/4611 , H05K3/4629 , H05K2203/308 , Y10T428/24926 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： (a)使用含有陶瓷材料之粉末及有機黏劑之黏結劑(slurry)製成能低溫燒結之基板用生胚薄片(green sheet),(b)在生胚薄片(亦稱軟質陶瓷片)上形成電極後進行積層以製作未燒結多層陶瓷基板，(c)將含有在未燒結多層陶瓷基板之燒結溫度下不會燒結之無機粒子(具有0.3μm以上，為陶瓷材料之粉末之平均粒徑之0.3～4倍之平均粒徑)和有機黏劑之拘束層密著於含有未燒結多層陶瓷基板之外部電極之上面及／或下面而成一體的積層體，(d)燒結積層體，(e)從燒結之積層體之表面除去拘束層，藉此，製成面內收縮率為1％以內(參差率在0.1％以內)，且外部電極上殘留之無機粒子對構成外部電極之金屬和構成無機粒子之金屬之合計，構成無機粒子之金屬之百分比係為20質量％以下，之多層陶瓷基板板。
简体摘要： (a)使用含有陶瓷材料之粉末及有机黏剂之黏结剂(slurry)制成能低温烧结之基板用生胚薄片(green sheet),(b)在生胚薄片(亦称软质陶瓷片)上形成电极后进行积层以制作未烧结多层陶瓷基板，(c)将含有在未烧结多层陶瓷基板之烧结温度下不会烧结之无机粒子(具有0.3μm以上，为陶瓷材料之粉末之平均粒径之0.3～4倍之平均粒径)和有机黏剂之拘束层密着于含有未烧结多层陶瓷基板之外部电极之上面及／或下面而成一体的积层体，(d)烧结积层体，(e)从烧结之积层体之表面除去拘束层，借此，制成面内收缩率为1％以内(参差率在0.1％以内)，且外部电极上残留之无机粒子对构成外部电极之金属和构成无机粒子之金属之合计，构成无机粒子之金属之百分比系为20质量％以下，之多层陶瓷基板板。

15. 发明专利

TW200519217A 架線用鋁合金薄膜及形成該薄膜之濺射靶材料 ALUMINUM ALLOY FILM FOR WIRING AND SPUTTER TARGET MATERIAL FOR FORMING THE FILM 失效
简体标题：架线用铝合金薄膜及形成该薄膜之溅射靶材料 ALUMINUM ALLOY FILM FOR WIRING AND SPUTTER TARGET MATERIAL FOR FORMING THE FILM
公开(公告)号：TW200519217A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：TW093135175
申请日：2004-11-17
申请人：日立金屬股份有限公司 HITACHI METALS, LTD.
发明人：村田英夫 MURATA, HIDEO
IPC分类号： C22C , C23C
CPC分类号： H01L23/53219 , C23C14/3414 , G02F2001/136295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明所揭示者為一種架線用之Al合金薄膜，其以原子計算由0.2至1.5％Ge和0.2至2.5％Ni，且餘額主要為Al組成，其中Ge和Ni之合計用量不多於3.0％。本發明亦針對一種具有如Al合金薄膜相同化學組成之濺射靶材料。
简体摘要：本发明所揭示者为一种架线用之Al合金薄膜，其以原子计算由0.2至1.5％Ge和0.2至2.5％Ni，且余额主要为Al组成，其中Ge和Ni之合计用量不多于3.0％。本发明亦针对一种具有如Al合金薄膜相同化学组成之溅射靶材料。

16. 发明专利

TW200428693A 正極材料與其製造方法、以及鋰蓄電池审中-公开
简体标题：正极材料与其制造方法、以及锂蓄电池
公开(公告)号：TW200428693A
公开(公告)日：2004-12-16
申请号：TW093103946
申请日：2004-02-18
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD. , 日立金屬股份有限公司 HITACHI METALS, LTD. , 新神戶電機股份有限公司 SHIN-KOBE ELECTRIC MACHINERY CO., LTD.
发明人：湯淺豊隆 YUASA, TOYOTAKA , 葛西昌弘 KASAI, MASAHIRO , 中源衛 NAKAJIMA, GENEI
IPC分类号： H01M
CPC分类号： H01M4/0435 , H01M4/043 , H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/052 , H01M2004/021
摘要：本發明之目的為提供–30℃低溫環境下放電特性及電池容量降低少之正極材料與其製造方法，以及使用該正極材料之鋰蓄電池。本發明為凝聚複數一次粒子形成二次粒子，上述一次粒子彼此結合接觸之長度為上述一次粒子之斷面全周長之10～70％之正極材料。
简体摘要：本发明之目的为提供–30℃低温环境下放电特性及电池容量降低少之正极材料与其制造方法，以及使用该正极材料之锂蓄电池。本发明为凝聚复数一次粒子形成二次粒子，上述一次粒子彼此结合接触之长度为上述一次粒子之断面全周长之10～70％之正极材料。

17. 发明专利

TW580518B 具有優越切削性之模具用高强度鋼有权
简体标题：具有优越切削性之模具用高强度钢
公开(公告)号：TW580518B
公开(公告)日：2004-03-21
申请号：TW088121683
申请日：1999-12-10
申请人：日立金屬股份有限公司 HITACHI METALS, LTD.
发明人：中津英司 , 田村庸 , 村川義行
IPC分类号： C22C
CPC分类号： C22C38/42 , C22C38/06 , C22C38/44 , C22C38/46 , C22C38/48 , C22C38/52
摘要：一種具有優良切削性之模具用高強度鋼，主要含有依重量計為0.005至0.1%之C，不多於1.5%之Si，不多於2.0%之Mn，自3.0至少於8.0%之Cr，不多於4.0%之Ni，0.1至2.0%之Al，不多於3.5%之Cu，餘為Fe和包括N和0之不可免雜質，且具有基本微結構為麻田散鐵之金屬結構，其中雜質N和0限定之含量範圍為N不多於0.02%，而0不多於0.003%。
在本發明中，在重切削中之改進和在精密放電加工性質與高級拋光性質中之改良可達成於使如上之高強度鋼具有一種化學組成，使其(7.7×C(重量%))+(2.2×Si(重量%))+(271.2×S(重量%))之數值較佳不少於2.5，的更佳不多於6。
简体摘要：一种具有优良切削性之模具用高强度钢，主要含有依重量计为0.005至0.1%之C，不多于1.5%之Si，不多于2.0%之Mn，自3.0至少于8.0%之Cr，不多于4.0%之Ni，0.1至2.0%之Al，不多于3.5%之Cu，余为Fe和包括N和0之不可免杂质，且具有基本微结构为麻田散铁之金属结构，其中杂质N和0限定之含量范围为N不多于0.02%，而0不多于0.003%。在本发明中，在重切削中之改进和在精密放电加工性质与高级抛光性质中之改良可达成于使如上之高强度钢具有一种化学组成，使其(7.7×C(重量%))+(2.2×Si(重量%))+(271.2×S(重量%))之数值较佳不少于2.5，的更佳不多于6。

18. 发明专利

TW200400277A 複合蒸鍍材料與由其所形成之複合蒸鍍膜审中-公开
简体标题：复合蒸镀材料与由其所形成之复合蒸镀膜
公开(公告)号：TW200400277A
公开(公告)日：2004-01-01
申请号：TW092113745
申请日：2003-05-21
申请人：日立金屬股份有限公司 HITACHI METALS, LTD.
发明人：古市真治
IPC分类号： C23C , B22F
摘要：本發明係提供一種適於形成具有機場致發光元件等低光反射率電極之複合蒸鍍材料。複合蒸鍍材料具有內部具模槽之低比電阻金屬包封與具有由填於其模槽之高蒸氣壓金屬粉末與低比電阻金屬粉末相互混合物所成之模蕊者。比電阻金屬粉末可以鋁進行製作之，高蒸氣壓金屬粉末可以錳，而低比電阻金屬粉末可以鋁製作之。以複合蒸鍍材料所蒸鍍之複合膜係由蒸鍍初期階段之低光反射率連續變化呈蒸鍍終期階段之低比電阻之組成。
简体摘要：本发明系提供一种适于形成具有机场致发光组件等低光反射率电极之复合蒸镀材料。复合蒸镀材料具有内部具模槽之低比电阻金属包封与具有由填于其模槽之高蒸气压金属粉末与低比电阻金属粉末相互混合物所成之模蕊者。比电阻金属粉末可以铝进行制作之，高蒸气压金属粉末可以锰，而低比电阻金属粉末可以铝制作之。以复合蒸镀材料所蒸镀之复合膜系由蒸镀初期阶段之低光反射率连续变化呈蒸镀终期阶段之低比电阻之组成。

19. 发明专利

TW200935727A 高頻放大器及高頻模組以及使用有此些之移動體無線機审中-公开
简体标题：高频放大器及高频模块以及使用有此些之移动体无线机
公开(公告)号：TW200935727A
公开(公告)日：2009-08-16
申请号：TW097147825
申请日：2008-12-09
申请人：日立金屬股份有限公司 HITACHI METALS, LTD.
发明人：大熊康介 OKUMA, YASUYUKI
IPC分类号： H03F
摘要：【【課題】】提供一種:具備高線形特性,積體化為容易,且對於製程誤差所致之電晶體特性的變動之耐性為强的高頻放大器。【【解決手段】】在具備有將進行高頻之放大的放大元件作偏壓之偏壓電路的高頻放大器中,偏壓電路係包含有反餽電路,而在該反餽電路之反餽迴圈內,係被插入有具備一端被接地之電容的具有低域通過特性的電路。藉由此,而供給安定之偏壓電壓,而能夠改善高頻放大器之線形性。
简体摘要：【【课题】】提供一种:具备高线形特性,积体化为容易,且对于制程误差所致之晶体管特性的变动之耐性为强的高频放大器。【【解决手段】】在具备有将进行高频之放大的放大组件作偏压之偏压电路的高频放大器中,偏压电路系包含有反馈电路,而在该反馈电路之反馈循环内,系被插入有具备一端被接地之电容的具有低域通过特性的电路。借由此,而供给安定之偏压电压,而能够改善高频放大器之线形性。

20. 发明专利

TW200935036A 流量傳感器及應用此流量傳感器的質量流量控制裝置 FLOW SENSOR AND MASS FLOW CONTROLLER USING THE SAME 审中-公开
简体标题：流量传感器及应用此流量传感器的质量流量控制设备 FLOW SENSOR AND MASS FLOW CONTROLLER USING THE SAME
公开(公告)号：TW200935036A
公开(公告)日：2009-08-16
申请号：TW098103897
申请日：2009-02-06
申请人：日立金屬股份有限公司 HITACHI METALS, LTD.
发明人：杉本真鄉 SUGIMOTO, MASATO , 林明史 HAYASHI, AKIFUMI
IPC分类号： G01F
CPC分类号： G01F1/6847 , G01F5/00 , G05D7/0635
摘要：本發明目的在於提供一種用於大流量但卻不至於大型化的、廉價而簡潔的高性能流量傳感器以及應用此傳感器的質量流量控制裝置。其特徵在於,流量傳感器(8)將流體以特定的分流比分流至旁通流路(12)和由形成橋式電路的一部分的發熱電阻絲繞制成的傳感器流路(14),將通過上述流體流經上述傳感器流路(14)而產生的熱移動作為上述橋式電路的不平衡來捕捉,以此將上述流體的整體流量作為傳感器輸出來求得。上述旁通流路由複數條細流路(74)構成,各條細流路之截面由大體呈直線狀的一條邊和與該條邊相接的曲線形成,上述細流路(74)的等效水力直徑(d)與上述細流路(74)的長度(T)的常用對數之比在0.27以下。並且,該流量傳感器安裝在質量流量控制裝置內。
简体摘要：本发明目的在于提供一种用于大流量但却不至于大型化的、廉价而简洁的高性能流量传感器以及应用此传感器的质量流量控制设备。其特征在于,流量传感器(8)将流体以特定的分流比分流至旁通流路(12)和由形成桥式电路的一部分的发热电阻丝绕制成的传感器流路(14),将通过上述流体流经上述传感器流路(14)而产生的热移动作为上述桥式电路的不平衡来捕捉,以此将上述流体的整体流量作为传感器输出来求得。上述旁通流路由复数条细流路(74)构成,各条细流路之截面由大体呈直线状的一条边和与该条边相接的曲线形成,上述细流路(74)的等效水力直径(d)与上述细流路(74)的长度(T)的常用对数之比在0.27以下。并且,该流量传感器安装在质量流量控制设备内。

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