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11. 发明专利

TW200707123A 在浸潤式微影術中使用超臨界流體以乾燥晶圓及清潔透鏡 USE OF SUPERCRITICAL FLUID TO DRY WAFER AND CLEAN LENS IN IMMERSION LITHOGRAPHY 审中-公开
简体标题：在浸润式微影术中使用超临界流体以干燥晶圆及清洁透镜 USE OF SUPERCRITICAL FLUID TO DRY WAFER AND CLEAN LENS IN IMMERSION LITHOGRAPHY
公开(公告)号：TW200707123A
公开(公告)日：2007-02-16
申请号：TW095123101
申请日：2006-06-27
申请人：高級微裝置公司 ADVANCED MICRO DEVICES, INC. , 史班遜股份有限公司 SPANSION LLC
发明人：撒柏瑞瑪尼安拉庫馬 SUBRAMANIAN, RAMKUMAR , 希巴威爾 SINGH, BHANWAR , 范可A PHAN, KHOI A.
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/70341 , G03F7/70916 , G03F7/70925
摘要：本發明揭露浸潤式微影(immersion lithography)方法與系統,其包含透過浸潤式微影工具的透鏡與浸潤液體(immersion liquid)照射光阻,該浸潤液體位於浸潤空間中與透鏡及光阻接觸;從浸潤空間移除浸潤液體;將超臨界流體(supercritical fluid)注入於浸潤空間中;從浸潤空間移除超臨界流體;以及將浸潤液體注入於浸潤空間中。
简体摘要：本发明揭露浸润式微影(immersion lithography)方法与系统,其包含透过浸润式微影工具的透镜与浸润液体(immersion liquid)照射光阻,该浸润液体位于浸润空间中与透镜及光阻接触;从浸润空间移除浸润液体;将超临界流体(supercritical fluid)注入于浸润空间中;从浸润空间移除超临界流体;以及将浸润液体注入于浸润空间中。

12. 发明专利

TW200703360A 用於程式化、抹除及讀取奈米級電阻性記憶體裝置之頁緩衝器架構 PAGE BUFFER ARCHITECTURE FOR PROGRAMMING, ERASING AND READING NANOSCALE RESISTIVE MEMORY DEVICES 审中-公开
简体标题：用于进程化、抹除及读取奈米级电阻性内存设备之页缓冲器架构 PAGE BUFFER ARCHITECTURE FOR PROGRAMMING, ERASING AND READING NANOSCALE RESISTIVE MEMORY DEVICES
公开(公告)号：TW200703360A
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：TW095118969
申请日：2006-05-29
申请人：史班遜股份有限公司 SPANSION LLC
发明人：比爾柯林S BILL, COLIN S. , 蔡薇 CAI, WEI DAISY
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C7/1051 , G11C7/106 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0076 , G11C2013/0085 , G11C2207/2245
摘要：於程式化和抹除電阻性記憶體裝置陣列之電阻性記憶體裝置(30)之本方法中,基於單一命令,提供高電流於程式化和抹除功能,以僅程式化和抹除其狀態將從其先前狀態改變之該等記憶體裝置(30)。
简体摘要：于进程化和抹除电阻性内存设备数组之电阻性内存设备(30)之本方法中,基于单一命令,提供高电流于进程化和抹除功能,以仅进程化和抹除其状态将从其先前状态改变之该等内存设备(30)。

13. 发明专利

TW200701532A 用於改進之開關速率與資料保持之包含阻障層之記憶體裝置 MEMORY DEVICE INCLUDING BARRIER LAYER FOR IMPROVED SWITCHING SPEED AND DATA RETENTION 审中-公开
简体标题：用于改进之开关速率与数据保持之包含阻障层之内存设备 MEMORY DEVICE INCLUDING BARRIER LAYER FOR IMPROVED SWITCHING SPEED AND DATA RETENTION
公开(公告)号：TW200701532A
公开(公告)日：2007-01-01
申请号：TW095103986
申请日：2006-02-07
申请人：史班遜股份有限公司 SPANSION LLC
发明人：克里格朱利 KRIEGER, JURI , 史皮哲史都特 SPITZER, STUART
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/12 , G11C13/0009 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/51 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要：本發明之記憶體裝置(80),包括第一電極(82)、在該第一電極(82)上並且接觸該第一電極(82)之被動層(84)(該被動層(84)包括硫化銅)、在該被動層(84)上並且接觸該被動層(84)之阻障層(86)、在該阻障層(86)上並且接觸該阻障層(86)之主動層(88)、以及在該主動層(88)上並且接觸該主動層(88)之第二電極(90)。在此環境中包含該阻障層(86),係增加該記憶體裝置(80)之開關速率(switching speed),同時亦改進其資料保存。
简体摘要：本发明之内存设备(80),包括第一电极(82)、在该第一电极(82)上并且接触该第一电极(82)之被动层(84)(该被动层(84)包括硫化铜)、在该被动层(84)上并且接触该被动层(84)之阻障层(86)、在该阻障层(86)上并且接触该阻障层(86)之主动层(88)、以及在该主动层(88)上并且接触该主动层(88)之第二电极(90)。在此环境中包含该阻障层(86),系增加该内存设备(80)之开关速率(switching speed),同时亦改进其数据保存。

14. 发明专利

TW200636974A 半導體裝置及控制其操作之方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING OPERATION THEREOF 审中-公开
简体标题：半导体设备及控制其操作之方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING OPERATION THEREOF
公开(公告)号：TW200636974A
公开(公告)日：2006-10-16
申请号：TW094146638
申请日：2005-12-27
申请人：史班遜股份有限公司 SPANSION LLC
发明人：矢野勝 YANO, MASARU , 荒川秀貴 ARAKAWA, HIDEKI , 白岩英彥 SHIRAIWA, HIDEHIKO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/11568 , G11C16/0491 , H01L27/115 , H01L29/792
摘要：一種半導體裝置係包括半導體基板、字元線、全域位元線及反向閘(inversion gate)，該反向閘在半導體基板中形成作為區域位元線之反轉層(inversion layers)。該反轉層電性連接至全域位元線以及記憶體單元使用該反轉層作為源極與汲極。
简体摘要：一种半导体设备系包括半导体基板、字符线、全域比特线及反向闸(inversion gate)，该反向闸在半导体基板中形成作为区域比特线之反转层(inversion layers)。该反转层电性连接至全域比特线以及内存单元使用该反转层作为源极与汲极。

15. 发明专利

TW200625332A 設定非揮發性記憶體之操作資訊之方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR SETTING OPERATIONAL INFORMATION OF A NON-VOLATILE MEMORY 审中-公开
简体标题：设置非挥发性内存之操作信息之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR SETTING OPERATIONAL INFORMATION OF A NON-VOLATILE MEMORY
公开(公告)号：TW200625332A
公开(公告)日：2006-07-16
申请号：TW094136652
申请日：2005-10-20
申请人：史班遜股份有限公司 SPANSION LLC
发明人：長尾光洋 NAGAO, MITSUHIRO , 加藤健太 KATO, KENTA , 河端正藏 KAWABATA, SHOZO
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C29/02 , G11C16/102 , G11C16/20 , G11C16/3436 , G11C29/021 , G11C29/023 , G11C29/028 , G11C2029/4402
摘要：查驗感測放大器(19)係由待予以重寫之非揮發性記憶格(memory cell)讀取資料。讀出資料與預期資料於比較器電路(21)中做比較。在重寫完成後，該比較器電路(21)即輸出匹配訊號MCH。選擇器(23)輸出表示揮發性資料保存單元(25)的解碼訊號STR(i)或SWP(i)，以對應該待予以重寫之非揮發性記憶格MC。根據查驗指令訊號PGV／ERV，將該查驗感測放大器(19)讀取的讀出資料儲存於揮發性資料保存單元(25)。控制是使用匹配訊號MCH而不是查驗指令訊號PGV／ERV來執行，從而在重寫完成後立即將資料儲存於揮發性資料保存單元(25)。因此，不需從非揮發性儲存器重新讀取操作資訊。
简体摘要：查验传感放大器(19)系由待予以重写之非挥发性记忆格(memory cell)读取数据。读出数据与预期数据于比较器电路(21)中做比较。在重写完成后，该比较器电路(21)即输出匹配信号MCH。选择器(23)输出表示挥发性数据保存单元(25)的译码信号STR(i)或SWP(i)，以对应该待予以重写之非挥发性记忆格MC。根据查验指令信号PGV／ERV，将该查验传感放大器(19)读取的读出数据存储于挥发性数据保存单元(25)。控制是使用匹配信号MCH而不是查验指令信号PGV／ERV来运行，从而在重写完成后立即将数据存储于挥发性数据保存单元(25)。因此，不需从非挥发性存储器重新读取操作信息。

16. 发明专利

TW200623128A 調整聚合物記憶體單元之程式化臨界的系統及方法 SYSTEMS AND METHODS FOR ADJUSTING PROGRAMMING THRESHOLDS OF POLYMER MEMORY CELLS 审中-公开
简体标题：调整聚合物内存单元之进程化临界的系统及方法 SYSTEMS AND METHODS FOR ADJUSTING PROGRAMMING THRESHOLDS OF POLYMER MEMORY CELLS
公开(公告)号：TW200623128A
公开(公告)日：2006-07-01
申请号：TW094127447
申请日：2005-08-12
申请人：史班遜股份有限公司 SPANSION LLC
发明人：史比哲史都華 SPITZER, STUART , 克吉爾朱里H KRIEGER, JURI H. , 岡大衛 GAUN, DAVID
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C13/0016 , B82Y10/00 , G11C13/0009 , G11C13/0014 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/56
摘要：提供調整與聚合物記憶體單元(215，640)操作相關之臨界的系統與方法，係藉由在後製造階段施加經調整之電場與／或電壓脈衝寬度於該聚合物記憶體單元上。該程式化臨界之客制化(customization)一般可在程式化該記憶體單元之任一週期(215，640)獲得，以增加電路設計之彈性。因此，本發明提供電流–電壓值域，與／或頻率–時間值域，以助於調整該聚合物記憶體單元(215，640)之程式化臨界。
简体摘要：提供调整与聚合物内存单元(215，640)操作相关之临界的系统与方法，系借由在后制造阶段施加经调整之电场与／或电压脉冲宽度于该聚合物内存单元上。该进程化临界之客制化(customization)一般可在进程化该内存单元之任一周期(215，640)获得，以增加电路设计之弹性。因此，本发明提供电流–电压值域，与／或频率–时间值域，以助于调整该聚合物内存单元(215，640)之进程化临界。

17. 发明专利

TW200620295A 快閃記憶體單元以及程式化快閃記憶體裝置之方法 FLASH MEMORY UNIT AND METHOD OF PROGRAMMING A FLASH MEMORY DEVICE 审中-公开
简体标题：闪存单元以及进程化闪存设备之方法 FLASH MEMORY UNIT AND METHOD OF PROGRAMMING A FLASH MEMORY DEVICE
公开(公告)号：TW200620295A
公开(公告)日：2006-06-16
申请号：TW094125726
申请日：2005-07-29
申请人：史班遜股份有限公司 SPANSION LLC
发明人：王志剛 WANG, ZHIGANG , 楊念 YANG, NIAN , 劉克政 LIU, ZHIZHENG
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/12
摘要：本發明係揭露一種快閃記憶體單元(12)以及程式化快閃記憶體裝置(28)之方法。程式化之方法能包括施加個別的程式化電壓至記憶體裝置之控制閘極(32)與汲極(42)。源極偏壓電位能施加至該記憶體裝置之源極(38)。施加該源極偏壓電位係係以選擇性的施加程式化電壓其中之一者至源極偏壓切換裝置(44)所控制。
简体摘要：本发明系揭露一种闪存单元(12)以及进程化闪存设备(28)之方法。进程化之方法能包括施加个别的进程化电压至内存设备之控制闸极(32)与汲极(42)。源极偏压电位能施加至该内存设备之源极(38)。施加该源极偏压电位系系以选择性的施加进程化电压其中之一者至源极偏压切换设备(44)所控制。

18. 发明专利

TW200608502A 用於具有增加可靠度之銅金屬化的銲墊結構以及其製造方法 BOND PAD STRUCTURE FOR COPPER METALLIZATION HAVING INCREASED RELIABILITY AND METHOD FOR FABRICATING SAME 审中-公开
简体标题：用于具有增加可靠度之铜金属化的焊垫结构以及其制造方法 BOND PAD STRUCTURE FOR COPPER METALLIZATION HAVING INCREASED RELIABILITY AND METHOD FOR FABRICATING SAME
公开(公告)号：TW200608502A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：TW094122519
申请日：2005-07-04
申请人：史班遜股份有限公司 SPANSION LLC
发明人：姜因庫 KANG, INKUK , 木下博幸 KINOSHITA HIROYUKI , 安柏揚 ANG BOON-YONG , 和田一 WADA, HAJIME , 陳兆成 CHAN, SIMON S. , 陳曉華 CHEN, CINTI XIAOHUA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/03 , H01L2224/02166 , H01L2224/05073 , H01L2224/05147 , H01L2224/05181 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/05042
摘要：依照一個實施範例，半導體晶粒中之結構包括位於互連金屬層中的金屬墊(226)，該金屬墊(226)含銅。該結構還包括在金屬墊(226)上有一層間介電層(214)。該結構還包括定義於層間介電層(214)中的終端導孔(228)，終端導孔(228)位於金屬墊(226)上，且終端導孔(228)僅沿金屬墊(226)之一側(242a、242b、242c、242d)延伸。該結構尚包括位於層間介電層(214)上且在終端導孔(228)中的終端金屬層(220)。該結構進而包括位於終端金屬層(220)上的介電內襯(216)，其中在介電內襯(216)中界定有銲墊開口(234)，且銲墊開口(234)使終端金屬層(220)的一部份(236)露出。層間介電層(214)位於終端金屬層(220)之露出部份(236)及金屬墊(226)之間。
简体摘要：依照一个实施范例，半导体晶粒中之结构包括位于互连金属层中的金属垫(226)，该金属垫(226)含铜。该结构还包括在金属垫(226)上有一层间介电层(214)。该结构还包括定义于层间介电层(214)中的终端导孔(228)，终端导孔(228)位于金属垫(226)上，且终端导孔(228)仅沿金属垫(226)之一侧(242a、242b、242c、242d)延伸。该结构尚包括位于层间介电层(214)上且在终端导孔(228)中的终端金属层(220)。该结构进而包括位于终端金属层(220)上的介电内衬(216)，其中在介电内衬(216)中界定有焊垫开口(234)，且焊垫开口(234)使终端金属层(220)的一部份(236)露出。层间介电层(214)位于终端金属层(220)之露出部份(236)及金属垫(226)之间。

19. 发明专利

TW200608406A 用於在多位元快閃記憶體裝置中之高寫入性能之方法及系統 METHODS AND SYSTEMS FOR HIGH WRITE PERFORMANCE IN MULTI-BIT FLASH MEMORY DEVICES 审中-公开
简体标题：用于在多比特闪存设备中之高写入性能之方法及系统 METHODS AND SYSTEMS FOR HIGH WRITE PERFORMANCE IN MULTI-BIT FLASH MEMORY DEVICES
公开(公告)号：TW200608406A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：TW094110806
申请日：2005-04-06
申请人：史班遜股份有限公司 SPANSION LLC
发明人：藍道夫馬可 RANDOLPH, MARK , 漢莫頓達爾藍 HAMILTON, DARLENE , 可尼茲洛尼 KORNITZ, RONI
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/0475 , G11C16/10 , G11C2211/5641
摘要：本發明提供數種方法及電路用於在雙位元快閃記憶體陣列中執行高速寫入(編程)操作。方法(200)包含，例如，拭除(204)陣列內各胞元的第一與第二位元成為第一狀態，編程(206)陣列內各胞元的第一位元成為第二狀態，且隨後根據使用者的資料編程陣列內一個或更多胞元的第二位元成為第一與第二狀態中之一種，結果該等第二位元可快速寫入(編程)。此外，該電路包含，例如，核心胞元陣列(402)，係具有組態成複數個陣列部份的雙位元快閃記憶體胞元。該電路進一步包含控制電路(404)，係經組態成可選擇性區塊拭除該等陣列部份中之一個，其中在區塊拭除(204)的第一階段，於一個陣列部份內各雙位元快閃記憶體胞元的第一與第二位元位置兩者均被移除足夠的電荷以實現第一狀態。該控制電路(404)進一步組態成：在區塊拭除的第二階段(206)中，供給電荷至一個陣列部份內各雙位元快閃記憶體胞元的第一位元位置以致隨後可快速寫入使用者的資料至第二位元位置。
简体摘要：本发明提供数种方法及电路用于在双比特闪存数组中运行高速写入(编程)操作。方法(200)包含，例如，拭除(204)数组内各胞元的第一与第二比特成为第一状态，编程(206)数组内各胞元的第一比特成为第二状态，且随后根据用户的数据编程数组内一个或更多胞元的第二比特成为第一与第二状态中之一种，结果该等第二比特可快速写入(编程)。此外，该电路包含，例如，内核胞元数组(402)，系具有组态成复数个数组部份的双比特闪存胞元。该电路进一步包含控制电路(404)，系经组态成可选择性区块拭除该等数组部份中之一个，其中在区块拭除(204)的第一阶段，于一个数组部份内各双比特闪存胞元的第一与第二比特位置两者均被移除足够的电荷以实现第一状态。该控制电路(404)进一步组态成：在区块拭除的第二阶段(206)中，供给电荷至一个数组部份内各双比特闪存胞元的第一比特位置以致随后可快速写入用户的数据至第二比特位置。

20. 发明专利

TW200817538A 排氣裝置 EXHAUST SYSTEM 失效
简体标题：排气设备 EXHAUST SYSTEM
公开(公告)号：TW200817538A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096114484
申请日：2007-04-24
申请人：三菱電線工業股份有限公司 MITSUBISHI CABLE INDUSTRIES, LTD. , 大阪螺旋管工業股份有限公司 OSAKA RASENKAN KOGYO CO., LTD. , 史班遜股份有限公司 SPANSION LLC , 日本史班遜股份有限公司 SPANSION JAPAN LTD.
发明人：池田毅 IKEDA, TAKESHI , 小泉一夫 KOIZUMI, KAZUO , 武田浩之 TAKEDA, HIROYUKI , 小山哲男 KOYAMA, TETSUO , 渡部惠一 WATANABE, KEIICHI
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C23C16/4412
摘要：一種排氣裝置,係具備於排氣路徑上介在設置的管體1的側周壁5上至少設有一開口3而成的排氣壓力調整裝置30之型態的排氣裝置,可防止開口因包含於排放氣體中的殘留成膜成分或因此產生的固態物而阻塞開口3,使排氣壓力調整裝置30的保養維護週期長期化。管體1內配設一氣體誘導壁2,誘導從上流來的排放氣體,使其不直接接觸該開口3及其附近而向下流通過,在氣體誘導壁2的一面21與管體1的側周壁5的內面6之間形成一壓力調整用流路7,另一方面,使氣體誘導壁2的另一面22側與上述排放氣體通過的排放氣體流路4面對,開口3係與壓力調整用流路7開口連通地配設,且壓力調整用流路7於較開口3更下流處連通排放氣體流路4。
简体摘要：一种排气设备,系具备于排气路径上介在设置的管体1的侧周壁5上至少设有一开口3而成的排气压力调整设备30之型态的排气设备,可防止开口因包含于排放气体中的残留成膜成分或因此产生的固态物而阻塞开口3,使排气压力调整设备30的保养维护周期长期化。管体1内配设一气体诱导壁2,诱导从上流来的排放气体,使其不直接接触该开口3及其附近而向下流通过,在气体诱导壁2的一面21与管体1的侧周壁5的内面6之间形成一压力调整用流路7,另一方面,使气体诱导壁2的另一面22侧与上述排放气体通过的排放气体流路4面对,开口3系与压力调整用流路7开口连通地配设,且压力调整用流路7于较开口3更下流处连通排放气体流路4。

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